Interaction of group III and IV metals with Si(100) surface in temperature range from 20 to 800K
Interakce kovů II. a IV. skupiny s povrchem SI(100) rozmezí teplot od 20 do 800KI
dissertation thesis (DEFENDED)
View/ Open
Permanent link
http://hdl.handle.net/20.500.11956/47833Identifiers
Study Information System: 44051
Collections
- Kvalifikační práce [10932]
Author
Advisor
Referee
Janda, Pavel
Klapetek, Petr
Faculty / Institute
Faculty of Mathematics and Physics
Discipline
Physics of Surfaces and Interfaces
Department
Department of Surface and Plasma Science
Date of defense
23. 1. 2012
Publisher
Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakultaLanguage
English
Grade
Pass
Keywords (Czech)
Si(100), STM, AFM, adsorpce, difúzeKeywords (English)
Si(100), STM, AFM, adsorption, diffusion1 Název práce: Interakce kovů III. a IV. skupiny s povrchem Si(100) v rozmezí teplot od 20 do 800 K Autor: Martin Setvín Katedra: Katedra fyziky povrchů a plazmatu Vedoucí doktorské práce: Doc. RNDr. Ivan Ošt'ádal CSc. Abstrakt: Interakce kovů III. a IV. skupiny s povrchem Si(100) v rozmezí teplot od 20 do 800 K byla studována pomocí rastrovací tunelové mikroskopie (STM) a mikroskopie atomárních sil (AFM). Adsorpci a přeskoky jednotlivých kovových atomů na povrchu Si(100)-c(4×2) lze sledovat pomocí STM za snížených teplot. Pomocí dvou metod byly určeny aktivačí energie a frekvenční prefaktory pro přeskoky jednotlivých indiových atomů - přímým STM měřením za nízké teploty a pomocí kinetických Monte Carlo simulací růstového pro- cesu za pokojové teploty. Kovy III. a IV. kupiny se v blízkosti pokojové teploty samouspořádávají do řetízků, které jsou pouze jeden atom široké. Atomární a elektronová struktura řetízků byla zkoumána pomocí STM a dynamického nekontaktního AFM. Klíčová slova: Si(100), STM, AFM, adsorpce, difúze
1 Title: Interaction of group III and IV metals with Si(100) surface in temperature range from 20 to 800 K Author: Martin Setvín Department: Departement of Surface and Plasma Science Supervisor of the doctoral thesis: Doc. RNDr. Ivan Ošt'ádal CSc. Abstract: Interaction of group III and IV metals with Si(100) surface was studied by STM (Scanning Tunneling Microscopy) and AFM (Atomic Force Microscopy) in temperature range from 20 to 800 K. Adsorption and hopping of single metal adatoms on Si(100)-c(4×2) reconstruction can be observed by STM at low temperatures. Activation energies and frequency prefactors for hopping of single indium atoms were measured by two meth- ods - direct STM measurement at low temperature and Kinetic Monte Carlo simulations of layer growth at room temperature. Group III and IV atoms self-assemble into single atom wide chains on Si(100) surface at about room temperature. Atomic and electronic structure of the chains was investi- gated by means of STM and dynamic non-contact AFM. Keywords: Si(100), STM, AFM, adsorption, diffusion