Show simple item record

Interakce kovů II. a IV. skupiny s povrchem SI(100) rozmezí teplot od 20 do 800KI
dc.contributor.advisorOšťádal, Ivan
dc.creatorSetvín, Martin
dc.date.accessioned2018-11-30T11:34:19Z
dc.date.available2018-11-30T11:34:19Z
dc.date.issued2012
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/20.500.11956/47833
dc.description.abstract1 Title: Interaction of group III and IV metals with Si(100) surface in temperature range from 20 to 800 K Author: Martin Setvín Department: Departement of Surface and Plasma Science Supervisor of the doctoral thesis: Doc. RNDr. Ivan Ošt'ádal CSc. Abstract: Interaction of group III and IV metals with Si(100) surface was studied by STM (Scanning Tunneling Microscopy) and AFM (Atomic Force Microscopy) in temperature range from 20 to 800 K. Adsorption and hopping of single metal adatoms on Si(100)-c(4×2) reconstruction can be observed by STM at low temperatures. Activation energies and frequency prefactors for hopping of single indium atoms were measured by two meth- ods - direct STM measurement at low temperature and Kinetic Monte Carlo simulations of layer growth at room temperature. Group III and IV atoms self-assemble into single atom wide chains on Si(100) surface at about room temperature. Atomic and electronic structure of the chains was investi- gated by means of STM and dynamic non-contact AFM. Keywords: Si(100), STM, AFM, adsorption, diffusionen_US
dc.description.abstract1 Název práce: Interakce kovů III. a IV. skupiny s povrchem Si(100) v rozmezí teplot od 20 do 800 K Autor: Martin Setvín Katedra: Katedra fyziky povrchů a plazmatu Vedoucí doktorské práce: Doc. RNDr. Ivan Ošt'ádal CSc. Abstrakt: Interakce kovů III. a IV. skupiny s povrchem Si(100) v rozmezí teplot od 20 do 800 K byla studována pomocí rastrovací tunelové mikroskopie (STM) a mikroskopie atomárních sil (AFM). Adsorpci a přeskoky jednotlivých kovových atomů na povrchu Si(100)-c(4×2) lze sledovat pomocí STM za snížených teplot. Pomocí dvou metod byly určeny aktivačí energie a frekvenční prefaktory pro přeskoky jednotlivých indiových atomů - přímým STM měřením za nízké teploty a pomocí kinetických Monte Carlo simulací růstového pro- cesu za pokojové teploty. Kovy III. a IV. kupiny se v blízkosti pokojové teploty samouspořádávají do řetízků, které jsou pouze jeden atom široké. Atomární a elektronová struktura řetízků byla zkoumána pomocí STM a dynamického nekontaktního AFM. Klíčová slova: Si(100), STM, AFM, adsorpce, difúzecs_CZ
dc.languageEnglishcs_CZ
dc.language.isoen_US
dc.publisherUniverzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakultacs_CZ
dc.subjectSi(100)en_US
dc.subjectSTMen_US
dc.subjectAFMen_US
dc.subjectadsorptionen_US
dc.subjectdiffusionen_US
dc.subjectSi(100)cs_CZ
dc.subjectSTMcs_CZ
dc.subjectAFMcs_CZ
dc.subjectadsorpcecs_CZ
dc.subjectdifúzecs_CZ
dc.titleInteraction of group III and IV metals with Si(100) surface in temperature range from 20 to 800Ken_US
dc.typedizertační prácecs_CZ
dcterms.created2012
dcterms.dateAccepted2012-01-23
dc.description.departmentKatedra fyziky povrchů a plazmatucs_CZ
dc.description.departmentDepartment of Surface and Plasma Scienceen_US
dc.description.facultyFaculty of Mathematics and Physicsen_US
dc.description.facultyMatematicko-fyzikální fakultacs_CZ
dc.identifier.repId44051
dc.title.translatedInterakce kovů II. a IV. skupiny s povrchem SI(100) rozmezí teplot od 20 do 800KIcs_CZ
dc.contributor.refereeJanda, Pavel
dc.contributor.refereeKlapetek, Petr
dc.identifier.aleph001426748
thesis.degree.namePh.D.
thesis.degree.leveldoktorskécs_CZ
thesis.degree.disciplineFyzika povrchů a rozhranícs_CZ
thesis.degree.disciplinePhysics of Surfaces and Interfacesen_US
thesis.degree.programPhysicsen_US
thesis.degree.programFyzikacs_CZ
uk.thesis.typedizertační prácecs_CZ
uk.taxonomy.organization-csMatematicko-fyzikální fakulta::Katedra fyziky povrchů a plazmatucs_CZ
uk.taxonomy.organization-enFaculty of Mathematics and Physics::Department of Surface and Plasma Scienceen_US
uk.faculty-name.csMatematicko-fyzikální fakultacs_CZ
uk.faculty-name.enFaculty of Mathematics and Physicsen_US
uk.faculty-abbr.csMFFcs_CZ
uk.degree-discipline.csFyzika povrchů a rozhranícs_CZ
uk.degree-discipline.enPhysics of Surfaces and Interfacesen_US
uk.degree-program.csFyzikacs_CZ
uk.degree-program.enPhysicsen_US
thesis.grade.csProspěl/acs_CZ
thesis.grade.enPassen_US
uk.abstract.cs1 Název práce: Interakce kovů III. a IV. skupiny s povrchem Si(100) v rozmezí teplot od 20 do 800 K Autor: Martin Setvín Katedra: Katedra fyziky povrchů a plazmatu Vedoucí doktorské práce: Doc. RNDr. Ivan Ošt'ádal CSc. Abstrakt: Interakce kovů III. a IV. skupiny s povrchem Si(100) v rozmezí teplot od 20 do 800 K byla studována pomocí rastrovací tunelové mikroskopie (STM) a mikroskopie atomárních sil (AFM). Adsorpci a přeskoky jednotlivých kovových atomů na povrchu Si(100)-c(4×2) lze sledovat pomocí STM za snížených teplot. Pomocí dvou metod byly určeny aktivačí energie a frekvenční prefaktory pro přeskoky jednotlivých indiových atomů - přímým STM měřením za nízké teploty a pomocí kinetických Monte Carlo simulací růstového pro- cesu za pokojové teploty. Kovy III. a IV. kupiny se v blízkosti pokojové teploty samouspořádávají do řetízků, které jsou pouze jeden atom široké. Atomární a elektronová struktura řetízků byla zkoumána pomocí STM a dynamického nekontaktního AFM. Klíčová slova: Si(100), STM, AFM, adsorpce, difúzecs_CZ
uk.abstract.en1 Title: Interaction of group III and IV metals with Si(100) surface in temperature range from 20 to 800 K Author: Martin Setvín Department: Departement of Surface and Plasma Science Supervisor of the doctoral thesis: Doc. RNDr. Ivan Ošt'ádal CSc. Abstract: Interaction of group III and IV metals with Si(100) surface was studied by STM (Scanning Tunneling Microscopy) and AFM (Atomic Force Microscopy) in temperature range from 20 to 800 K. Adsorption and hopping of single metal adatoms on Si(100)-c(4×2) reconstruction can be observed by STM at low temperatures. Activation energies and frequency prefactors for hopping of single indium atoms were measured by two meth- ods - direct STM measurement at low temperature and Kinetic Monte Carlo simulations of layer growth at room temperature. Group III and IV atoms self-assemble into single atom wide chains on Si(100) surface at about room temperature. Atomic and electronic structure of the chains was investi- gated by means of STM and dynamic non-contact AFM. Keywords: Si(100), STM, AFM, adsorption, diffusionen_US
uk.file-availabilityV
uk.publication.placePrahacs_CZ
uk.grantorUniverzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta, Katedra fyziky povrchů a plazmatucs_CZ
thesis.grade.codeP
dc.identifier.lisID990014267480106986


Files in this item

Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record


© 2017 Univerzita Karlova, Ústřední knihovna, Ovocný trh 560/5, 116 36 Praha 1; email: admin-repozitar [at] cuni.cz

Za dodržení všech ustanovení autorského zákona jsou zodpovědné jednotlivé složky Univerzity Karlovy. / Each constituent part of Charles University is responsible for adherence to all provisions of the copyright law.

Upozornění / Notice: Získané informace nemohou být použity k výdělečným účelům nebo vydávány za studijní, vědeckou nebo jinou tvůrčí činnost jiné osoby než autora. / Any retrieved information shall not be used for any commercial purposes or claimed as results of studying, scientific or any other creative activities of any person other than the author.

DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
Theme by 
@mire NV