Analýza fluktuací tunelového proudu v STM
Analýza fluktuací tunelového proudu v STM
bachelor thesis (DEFENDED)
View/
Permanent link
http://hdl.handle.net/20.500.11956/63762Identifiers
Study Information System: 127367
CU Caralogue: 990018526040106986
Collections
- Kvalifikační práce [11338]
Faculty / Institute
Faculty of Mathematics and Physics
Discipline
General Physics
Department
Department of Surface and Plasma Science
Date of defense
11. 9. 2014
Publisher
Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakultaLanguage
English
Grade
Excellent
Keywords (Czech)
STM, fluktuace, Si (111) 7x7Keywords (English)
STM, fluctuation, Si (111) 7x7Práce se zabývá analýzou fluktuací tunelového proudu v skenovací tunelovací mikroskopii (STM). Je studována dynamika atomů Sn na povrchu Si (111) 7x7 za použití časového záznamu tunelového proudu. Z jeho zpracování jsou určeny doby, po které atom Sn setrvává v různých oblastech půlcel povrchové rekonstrukce. Dále jsou studovány jednotlivé modelové typy rušení tunelového proudu, které mají vliv na přesnost provedeného experimentu. Powered by TCPDF (www.tcpdf.org)
The thesis deals with analysis of fluctuations of the tunnelling current in scanning tunnelling microscopy (STM). The dynamics of Sn atoms on the surface Si (111) 7x7 is studied by means of time records of the tunnelling current. The records provided characteristic times of Sn adatom staying in various areas of half unit cells of the surface reconstructions are analysed. The model types of the tunnelling current interference, which influence the measurement accuracy, are also studied. Powered by TCPDF (www.tcpdf.org)