Studium mobility atomů kovů na povrchu Si(100) pomocí STM
STM study of metal adatom mobility on Si(100) surface
diplomová práce (OBHÁJENO)
Zobrazit/ otevřít
Trvalý odkaz
http://hdl.handle.net/20.500.11956/40811Identifikátory
SIS: 87018
Kolekce
- Kvalifikační práce [10691]
Autor
Vedoucí práce
Oponent práce
Mysliveček, Josef
Fakulta / součást
Matematicko-fyzikální fakulta
Obor
Fyzika povrchů a ionizovaných prostředí
Katedra / ústav / klinika
Katedra fyziky povrchů a plazmatu
Datum obhajoby
20. 9. 2012
Nakladatel
Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakultaJazyk
Čeština
Známka
Výborně
Klíčová slova (česky)
Si(100), STM, povrchová difúze, Kinetic Monte CarloKlíčová slova (anglicky)
Si(100), STM, surface diffusion, Kinetic Monte CarloPráce se zabývá studiem difúze kovů III. a IV. skupiny na povrchu Si(100). Jsou popsány tři různé metody, jak je možné určit hodnoty difúzních bariér a diskutovány neshody v publikovaných výsledcích. Růst hliníku na Si(100) je studován pomocí STM za pokojové teploty, kdy je pozorována monomodální škálovaná ostrůvková distribuční funkce. Je popsán model Kinetic Monte Carlo simulace, který je následně použit pro fitování vazebných energií a difúzních bariér pro systém Al/Si(100). Nejlepší shoda s experimentem je zjištěna pro anizotropní difúzi s bariérou 0,60 eV ve směru kolmém na Si dimerové řádky a 0,80 eV ve směru rovnoběžném. Jsou popsány úpravy chladicího systému potřebného pro přímé pozorování difúze kovů na Si(100) pomocí STM a je proveden první nízkoteplotní experiment.
Surface diffusion of group III and IV metals on Si(100) is studied. Three methods for obtaining diffusion barriers are presented and discrepancies in published results are discussed. Room temperature growth of Al on Si(100) is studied using STM, observing a monomodal scaled island size distribution function. A Kinetic Monte Carlo simulation model is employed to obtain bonding energies and diffusion barriers for Al/Si(100). The best agreement between the measured and simulated characteristics is found for strongly anisotropic diffusion with barriers 0.60 eV in the direction orthogonal to the Si dimer rows and 0.80 eV in the parallel direction. Modifications of the cooling system required for observing metal adatom diffusion on Si(100) using STM are described and the first low-temperature experiment is carried out.