Hledat
Zobrazují se záznamy 1-7 z 7
Studium adsorpce kovů na Si(100)2×1 pomocí STM při nízkých teplotách
Low temperature STM study of metal adsorption on Si(100)2×1
Bakalářská práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Ošťádal, Ivan
Datum publikování: 2011
Datum obhajoby: 23. 06. 2011
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Práce se zabývá přípravou UHV aparatury umožňující měření skenovacím tunelovým mikroskopem při nízkých teplotách a studiem jednorozměrných hliníkových struktur na povrchu Si(100)2 × 1. Byla provedena kalibrační měření ...
The thesis covers the preparation of a UHV system enabling low-temperature measurements by scanning tunneling microscope and the study of one-dimensional aluminium structures on the Si(100)2 × 1 surface. Calibration ...
The thesis covers the preparation of a UHV system enabling low-temperature measurements by scanning tunneling microscope and the study of one-dimensional aluminium structures on the Si(100)2 × 1 surface. Calibration ...
Vliv snižování teploty povrchu křemíku Si(100) na morfologii růstu kovu při malém pokrytí
Influence of decreasing surface temperature of Si(100) on metal growth morphology at low coverage
Bakalářská práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Ošťádal, Ivan
Datum publikování: 2015
Datum obhajoby: 11. 09. 2015
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Práce se zabývá studiem růstu cínových řetízků na povrchu Si(100) připravovaných napařováním při teplotách nižších než pokojová. Pomocí skenovací tunelové mikroskopie (STM) byly ...
The thesis is focused on study of growth of tin chains on Si(100) surface deposited by vacuum evaporation at temperatures below room temperature. Scanning tunneling microscopy ...
The thesis is focused on study of growth of tin chains on Si(100) surface deposited by vacuum evaporation at temperatures below room temperature. Scanning tunneling microscopy ...
Príprava povrchu Si(110)-Tl pre depozíciu organických molekúl
Preparation of the Si(110)-Tl surface for deposition of organic molecules
Příprava povrchu Si(110)-Tl pro depozici organických molekul
Bakalářská práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Kocán, Pavel
Datum publikování: 2018
Datum obhajoby: 26. 06. 2018
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: This bachelor thesis deals with the formation of an anisotropic surface Si (110) -Tl, which will serve as a substrate for the deposition of organic molecules of copper phthalocyanines. The aim was to identify relevant ...
Táto bakalárska práca sa zaoberá tvorbou anizotropného povrchu Si(110)-Tl, ktorý ďalej bude slúžiť ako substrát pre depozíciu organických molekúl ftalocyaninov medi. Cieľom bolo identifikovať relevantné parametre prípravy ...
Táto bakalárska práca sa zaoberá tvorbou anizotropného povrchu Si(110)-Tl, ktorý ďalej bude slúžiť ako substrát pre depozíciu organických molekúl ftalocyaninov medi. Cieľom bolo identifikovať relevantné parametre prípravy ...
Štúdium adsorpcie a pohyblivosti molekúl ftalocyanínov na pasivovanom povrchu kremíku pri zníženej teplote pomocou STM
STM study of adsorption and mobility of phtalocyanine molecules on passivated silicon surfaces at lower temperatures
Studium adsorpce a pohyblivosti molekul ftalocyaninů na pasivovaném povrchu křemíku při snížené teplotě pomocí STM
Bakalářská práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Ošťádal, Ivan
Datum publikování: 2019
Datum obhajoby: 12. 09. 2019
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Práca sa zaoberá prípravou experimentu pre štúdium adsorpcie molekúl ftalocyanínu na povrchu kremíka pasivovaného cínovou rekonštrukciou. Hlavnou používanou experimentálnou technikou je zobrazovanie povrchu skenovacím ...
The thesis deals with an experiment for studying adsorption of phthalocyanin molecules on silicon surface passivated by a tin reconstruction. The main technique used for imaging surface is scanning tunneling microscopy ...
The thesis deals with an experiment for studying adsorption of phthalocyanin molecules on silicon surface passivated by a tin reconstruction. The main technique used for imaging surface is scanning tunneling microscopy ...
Analýza fluktuací tunelového proudu v STM
Analýza fluktuací tunelového proudu v STM
Bakalářská práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Ošťádal, Ivan
Datum publikování: 2014
Datum obhajoby: 11. 09. 2014
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Práce se zabývá analýzou fluktuací tunelového proudu v skenovací tunelovací mikroskopii (STM). Je studována dynamika atomů Sn na povrchu Si (111) 7x7 za použití časového záznamu tunelového proudu. Z jeho zpracování jsou ...
The thesis deals with analysis of fluctuations of the tunnelling current in scanning tunnelling microscopy (STM). The dynamics of Sn atoms on the surface Si (111) 7x7 is studied by means of time records of the tunnelling ...
The thesis deals with analysis of fluctuations of the tunnelling current in scanning tunnelling microscopy (STM). The dynamics of Sn atoms on the surface Si (111) 7x7 is studied by means of time records of the tunnelling ...
Teoretické výpočty stability a elektronové struktury povrchů Si
Theoretical calculation of stability and electronic structure of Si surfaces
Bakalářská práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Kocán, Pavel
Datum publikování: 2011
Datum obhajoby: 13. 09. 2011
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Î Ø ØÓ ÔÖ × Ñ ×ØÖÙ Ò × ÖÒÙÐ ¹ Ò Ø Ó Ñ ØÓ Ý Ú ÔÓ Øó ØÓÑ ÖÒ Ð ¹ ØÖÓÒÓÚ ×ØÖÙ ØÙÖÝ ÑÓÐ Ùи Ô ÚÒ Ð Ø ÔÓÚÖ ó¸ Ó ÚÞÐ Ø × Ñ × Ô Þ Ú Ð Ñ ØÓ ÓÙ ÙÒ ÓÒ ÐÙ Ù×ØÓØÝž Ð × Ñ Þ ÔÓÔ× Ð Ú ÔÓ ØÒ ÔÖÓ Ö Ñ Ö Ðи Ø Ö Ò Ñ ØÓ ÙÒ ÓÒ ÐÙ Ù×ØÓØÝ Þ ÐÓö ...
ÁÒ Ø × ÛÓÖ Á Ö Ý ×ÙÑÑ Ö Þ ¹ Ò Ø Ó Ñ Ø Ó × ÓÖ ÓÑÔÙØ Ø ÓÒ Ò ØÓÑ Ò Ò Ð ØÖÓÒ ×ØÖÙ ØÙÖ Ó ÑÓÐ ÙР׸ ×ÓÐ ×Ø Ø × Ò Ø Ö ×ÙÖ × Ô ÖØ ¹ ÙÐ ÖÐÝ Á ÔÙÖ×Ù Ò× ØÝ ÙÒ Ø ÓÒ Ð Ø ÓÖÝž Ì Ò Á × Ö Ø Ñ Ø Ó Ó Ö ÐÐ × ÑÙÐ Ø ÓÒ Ô Ö ¸ Û × × ÓÒ Ø Ò× ØÝ ...
ÁÒ Ø × ÛÓÖ Á Ö Ý ×ÙÑÑ Ö Þ ¹ Ò Ø Ó Ñ Ø Ó × ÓÖ ÓÑÔÙØ Ø ÓÒ Ò ØÓÑ Ò Ò Ð ØÖÓÒ ×ØÖÙ ØÙÖ Ó ÑÓÐ ÙР׸ ×ÓÐ ×Ø Ø × Ò Ø Ö ×ÙÖ × Ô ÖØ ¹ ÙÐ ÖÐÝ Á ÔÙÖ×Ù Ò× ØÝ ÙÒ Ø ÓÒ Ð Ø ÓÖÝž Ì Ò Á × Ö Ø Ñ Ø Ó Ó Ö ÐÐ × ÑÙÐ Ø ÓÒ Ô Ö ¸ Û × × ÓÒ Ø Ò× ØÝ ...
Studium interakce atomů kovů s metastabilními rekonstrukcemi povrchu Si(111) pomocí STM
Interaction of metal atoms with metastable reconstructions of the Si(111) surface studied by STM
Studium interakce atomů kovů s metastabilními rekonstrukcemi povrchu Si(111) pomocí STM
Bakalářská práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Kocán, Pavel
Datum publikování: 2011
Datum obhajoby: 23. 06. 2011
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Metódou STM je skúmaný proces rekonštrukcie povrchu Si(111) po naparení tália a jeho následnej desorbcii. Je nameraná závislosť pokrytia povrchu táliom na teplote a z určenej závislosti sú vyvodené vhodné podmienky pre ...
Process of reconstruction of Si(111) surface after vapor deposition of thallium and subsequent desorption is studied by STM. Dependency of surface coverage on temperature is determined and this dependency is afterwards ...
Process of reconstruction of Si(111) surface after vapor deposition of thallium and subsequent desorption is studied by STM. Dependency of surface coverage on temperature is determined and this dependency is afterwards ...