Hledat
Zobrazují se záznamy 1-10 z 18
Studium adsorpce a mobility atomů Al na povrchu Si(100)
Adsorption and mobility of Al adatoms on Si(100) surface
Diplomová práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Ošťádal, Ivan
Datum publikování: 2013
Datum obhajoby: 18. 09. 2013
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Tématem práce je r st hliníkových útvar jednorozm rných etízk na povrchu Si(100). Pomocí STM byly zm eny r stové charakteristiky Al na Si(100) p i pokojové a vy í teplot a r zných hodnotách pokrytí. Výsledky jsou diskutovány ...
The subject of the thesis is growth of aluminium structures one-dimensional chains on Si(100) surface. Growth characteristics of Al on Si(100) at room temperature and at higher temperature and various coverages were measured ...
The subject of the thesis is growth of aluminium structures one-dimensional chains on Si(100) surface. Growth characteristics of Al on Si(100) at room temperature and at higher temperature and various coverages were measured ...
Interaction of organic molecules with metal passivated semiconductor surfaces studied via STM
Studium interakce organických molekul na kovem pasivovaných površích křemíku pomocí STM
Dizertační práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Sobotík, Pavel
Datum publikování: 2019
Datum obhajoby: 26. 09. 2019
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Název Studium interakce organických molekul na kovem pasivovaných površích křemíku pomocí STM Autor Petr Zimmermann Katedra / Ústav Katedra fyziky povrchů a plazmatu Vedoucí doktorské práce Doc. RNDr. Pavel Sobotík, CSc. ...
Title Interaction of Organic Molecules with Metal Passivated Silicon Surfaces Studied via STM Author Petr Zimmermann Department Department of Plasma and Surface Science Supervisor Doc. RNDr. Pavel Sobotík, CSc. Department ...
Title Interaction of Organic Molecules with Metal Passivated Silicon Surfaces Studied via STM Author Petr Zimmermann Department Department of Plasma and Surface Science Supervisor Doc. RNDr. Pavel Sobotík, CSc. Department ...
Interaction of group III and IV metals with Si(100) surface in temperature range from 20 to 800K
Interakce kovů II. a IV. skupiny s povrchem SI(100) rozmezí teplot od 20 do 800KI
Dizertační práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Ošťádal, Ivan
Datum publikování: 2012
Datum obhajoby: 23. 01. 2012
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: 1 Title: Interaction of group III and IV metals with Si(100) surface in temperature range from 20 to 800 K Author: Martin Setvín Department: Departement of Surface and Plasma Science Supervisor of the doctoral thesis: Doc. ...
1 Název práce: Interakce kovů III. a IV. skupiny s povrchem Si(100) v rozmezí teplot od 20 do 800 K Autor: Martin Setvín Katedra: Katedra fyziky povrchů a plazmatu Vedoucí doktorské práce: Doc. RNDr. Ivan Ošt'ádal CSc. ...
1 Název práce: Interakce kovů III. a IV. skupiny s povrchem Si(100) v rozmezí teplot od 20 do 800 K Autor: Martin Setvín Katedra: Katedra fyziky povrchů a plazmatu Vedoucí doktorské práce: Doc. RNDr. Ivan Ošt'ádal CSc. ...
Morfologie modelových katalyzátorů v prostředí elektrolytu
Morphology of model catalysts in electrolyte environment
Diplomová práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Mysliveček, Josef
Datum publikování: 2016
Datum obhajoby: 14. 09. 2016
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Předmětem práce je příprava inverzního modelového katalyzátoru CeOx/Pt(111) a jeho studium kombinací metod povrchové fyziky a elektrochemie. Pro elektrochemická měření byla navržena a zkousntruována nová elektrochemická ...
The aim of this thesis is preparation of inverse model catalyst CeOx/Pt(111) and its investigation using combination of surface physics methods and electrochemistry. New electrochemical cell was designed and built for ...
The aim of this thesis is preparation of inverse model catalyst CeOx/Pt(111) and its investigation using combination of surface physics methods and electrochemistry. New electrochemical cell was designed and built for ...
Studium adsorpce kovů na Si(100)2×1 pomocí STM při nízkých teplotách
Low temperature STM study of metal adsorption on Si(100)2×1
Bakalářská práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Ošťádal, Ivan
Datum publikování: 2011
Datum obhajoby: 23. 06. 2011
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Práce se zabývá přípravou UHV aparatury umožňující měření skenovacím tunelovým mikroskopem při nízkých teplotách a studiem jednorozměrných hliníkových struktur na povrchu Si(100)2 × 1. Byla provedena kalibrační měření ...
The thesis covers the preparation of a UHV system enabling low-temperature measurements by scanning tunneling microscope and the study of one-dimensional aluminium structures on the Si(100)2 × 1 surface. Calibration ...
The thesis covers the preparation of a UHV system enabling low-temperature measurements by scanning tunneling microscope and the study of one-dimensional aluminium structures on the Si(100)2 × 1 surface. Calibration ...
Electronic structure of bimetallic systems - study of gas molecule interaction
Změny elektronické struktury bimetalických systémů při interakci s molekulami plynu
Dizertační práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Nehasil, Václav
Datum publikování: 2013
Datum obhajoby: 04. 04. 2013
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Bimetallic Rh-V system was studied by means of surface science experimental methods. Properties of ultra-thin Rh-V layers supported by γ-Al2O3 were compared with model systems prepared by vacuum V deposition on Rh(111), ...
Práce je věnována studiu bimetalického Rh-V systému pomocí metod fyziky povrchů. Vlastnosti ultra-tenkých Rh-V vrstev nesených na γ-Al2O3 byly porovnány s modelovými systémy připravenými vakuovou depozicí V na Rh(111), ...
Práce je věnována studiu bimetalického Rh-V systému pomocí metod fyziky povrchů. Vlastnosti ultra-tenkých Rh-V vrstev nesených na γ-Al2O3 byly porovnány s modelovými systémy připravenými vakuovou depozicí V na Rh(111), ...
Vliv snižování teploty povrchu křemíku Si(100) na morfologii růstu kovu při malém pokrytí
Influence of decreasing surface temperature of Si(100) on metal growth morphology at low coverage
Bakalářská práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Ošťádal, Ivan
Datum publikování: 2015
Datum obhajoby: 11. 09. 2015
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Práce se zabývá studiem růstu cínových řetízků na povrchu Si(100) připravovaných napařováním při teplotách nižších než pokojová. Pomocí skenovací tunelové mikroskopie (STM) byly ...
The thesis is focused on study of growth of tin chains on Si(100) surface deposited by vacuum evaporation at temperatures below room temperature. Scanning tunneling microscopy ...
The thesis is focused on study of growth of tin chains on Si(100) surface deposited by vacuum evaporation at temperatures below room temperature. Scanning tunneling microscopy ...
Fyzikálně-chemické vlastnosti epitaxních vrstev CeO2/Cu(110)
Physically chemical properties of epitaxial films CeO2/Cu(110)
Diplomová práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Veltruská, Kateřina
Datum publikování: 2012
Datum obhajoby: 18. 05. 2012
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: V rámci této práce byly zkoumány možnosti přípravy tenkých epitaxních vrstev oxidu ceru na povrchu Cu(110). K charakterizaci připravených systémů byly použity metody rentgenová fotoelektronová spektroskopie (XPS), úhlově ...
In this work ways of preparation of thin epitaxial cerium oxide film on Cu(110) surface were studied. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), X-ray photoelectron difraction (XPD), low energy electron difraction (LEED), ion ...
In this work ways of preparation of thin epitaxial cerium oxide film on Cu(110) surface were studied. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), X-ray photoelectron difraction (XPD), low energy electron difraction (LEED), ion ...
Príprava povrchu Si(110)-Tl pre depozíciu organických molekúl
Preparation of the Si(110)-Tl surface for deposition of organic molecules
Příprava povrchu Si(110)-Tl pro depozici organických molekul
Bakalářská práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Kocán, Pavel
Datum publikování: 2018
Datum obhajoby: 26. 06. 2018
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: This bachelor thesis deals with the formation of an anisotropic surface Si (110) -Tl, which will serve as a substrate for the deposition of organic molecules of copper phthalocyanines. The aim was to identify relevant ...
Táto bakalárska práca sa zaoberá tvorbou anizotropného povrchu Si(110)-Tl, ktorý ďalej bude slúžiť ako substrát pre depozíciu organických molekúl ftalocyaninov medi. Cieľom bolo identifikovať relevantné parametre prípravy ...
Táto bakalárska práca sa zaoberá tvorbou anizotropného povrchu Si(110)-Tl, ktorý ďalej bude slúžiť ako substrát pre depozíciu organických molekúl ftalocyaninov medi. Cieľom bolo identifikovať relevantné parametre prípravy ...
Studium mobility atomů kovů na povrchu Si(100) pomocí STM
STM study of metal adatom mobility on Si(100) surface
Diplomová práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Ošťádal, Ivan
Datum publikování: 2012
Datum obhajoby: 20. 09. 2012
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Práce se zabývá studiem difúze kovů III. a IV. skupiny na povrchu Si(100). Jsou popsány tři různé metody, jak je možné určit hodnoty difúzních bariér a diskutovány neshody v publikovaných výsledcích. Růst hliníku na Si(100) ...
Surface diffusion of group III and IV metals on Si(100) is studied. Three methods for obtaining diffusion barriers are presented and discrepancies in published results are discussed. Room temperature growth of Al on Si(100) ...
Surface diffusion of group III and IV metals on Si(100) is studied. Three methods for obtaining diffusion barriers are presented and discrepancies in published results are discussed. Room temperature growth of Al on Si(100) ...