Study of Radiation Damage in Silicon Strip Detector for ATLAS ITk

Abstract

Ionizační záření způsobuje objemové a povrchové poškození v křemíkových detektorech. Objemové poškození je také způsobováno neutrony. Tyto poškození ovlivňují detekční vlastnosti křemíkových stripových detektorů. Hlavním cílem této bakalářské práce je studovat, jaký vliv má radiační poškození na detekční vlastnosti křemíkových stripových detektorů za pomoci měření jejich elektrických charakteristik. Testované křemíkové stripové senzory byly navrhnuty pro výměnu stávajícího Vnitřního Detektoru (ID) experimentu ATLAS novým celokřemíkovým Vnitřním Dráhovým Detektorem (ITk). Kompletní vyměna je nutná kvůli mod- ernizaci Velkého Hadronového Urychlovače (LHC) na Vysoce Luminozitní Velký Hadronový Urychlovač (HL-LHC). 1

Ionizing radiation causes bulk and surface damages in silicon detectors. The significant bulk damage is caused also by neutrons. Those damages in- fluence the detection performance of silicon strip detectors. The main purpose of this thesis is to study the effects of radiation damage in silicon strip sen- sors by performing electrical tests on them. Tested silicon strip sensors were designed for the replacement of the current Inner Detector of the ATLAS ex- periment by a new all-silicon Inner Tracker. This replacement is needed because of the upgrade of the Large Hadron Collider (LHC) into the High-Luminosity LHC. 1