Physics of interfaces in magnetic nano structures
Fyzika rozhraní v magnetických nanostrukturách
diplomová práce (OBHÁJENO)
Zobrazit/ otevřít
Trvalý odkaz
http://hdl.handle.net/20.500.11956/91375Identifikátory
SIS: 180990
Kolekce
- Kvalifikační práce [10679]
Autor
Vedoucí práce
Konzultant práce
Beran, Lukáš
Oponent práce
Urbánek, Michal
Fakulta / součást
Matematicko-fyzikální fakulta
Obor
Optika a optoelektronika
Katedra / ústav / klinika
Fyzikální ústav UK
Datum obhajoby
14. 9. 2017
Nakladatel
Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakultaJazyk
Angličtina
Známka
Výborně
Klíčová slova (česky)
rozhraní, magnetická anizotropie, magnetooptický Kerrův jev, magnetooptická spektroskopie, spektroskopická elipsometrieKlíčová slova (anglicky)
interfaces, magnetic anisotropy, magneto-optical Kerr effect, magneto-optical spectroscopy, spectroscopic ellipsometryVlastnosti nanostruktur mohou být silně ovlivněny změnami jejich rozhraní. Díky své hloubkové citlivosti a bezkontaktnímu měření jsou magnetooptická spektroskopie a spektroskopická elipsometrie ideální ke studiu takových jevů. Dvě metody nevratné modifikace magnetických vlastností, a to zejména magnetické anizotropie, jsou zkoumány v této práci. Změřené spektrální závislosti magnetooptického Kerrova jevu jsou porovnány s teoretickými výpočty za účelem určení profilů vzorků pro různé úrovně a různé metody modifikace. Dále jsou provedena elipsometrická měření na zařízení, jehož optické vlastnosti je možno měnit přikládáním elektrického napětí.
Modification of interfaces in nanostructures can significantly influence their overall properties. Magneto-optical spectroscopy and spectroscopic ellipsometry are ideal for studying these phenomena thanks to their in-depth sensitivity and contactless measurements. Two methods of nonreversible modification of magnetic properties, especially the magnetic anisotropy, are investigated. The measured spectral dependence of magneto-optical Kerr effect is compared to a theoretical calculation in order to determine the profile of the samples for different levels and methods of modification. In addition to this, ellipsometric measurements are performed on a device whose optical properties change by voltage application.