Počítačové simulace charakteristik desorpce kovů z povrchu Si(111)
Computer simulations of characteristics of metal desorption from the Si(111) surface
bachelor thesis (DEFENDED)

View/ Open
Permanent link
http://hdl.handle.net/20.500.11956/73039Identifiers
Study Information System: 139366
Collections
- Kvalifikační práce [10593]
Author
Advisor
Referee
Mysliveček, Josef
Faculty / Institute
Faculty of Mathematics and Physics
Discipline
General Physics
Department
Department of Surface and Plasma Science
Date of defense
17. 6. 2014
Publisher
Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakultaLanguage
Czech
Grade
Excellent
Keywords (Czech)
kinetické Monte Carlo, tepelně programovaná desorpce, desorpce nultého rádu, Si(111)Keywords (English)
Kinetic Monte Carlo, temperature programmed desorption, zero-order desorption, Si(111)Název práce: Počítačové simulace charakteristik desorpce kovů z povrchu Si(111) Autor: Adam Sikora Katedra: Katedra fyziky povrchů a plazmatu Vedoucí bakalářské práce: RNDr. Pavel Kocán, Ph.D. Abstrakt: V případě desorpce některých kovů (Pb, In, Ga) z povrchů Si(111) a Ga(111) byl pomocí integrálních technik překvapivě pozorován nultý řád desorp- ce. Teoretické vysvětlení nultého řádu zde dosud chybí, neboť se zdá, že podmínky obvykle vedoucí k desorpci nultého řádu - vysoká difuzivita, existence 2D plynné fáze atd. - zde nemohou být splněny. Cílem práce bude vyvinutí kinetického Mon- te Carlo počítačového kódu pro simulaci atomárních procesů na povrchu Si(111). Vyvinutý kód bude následně použitý k zkoumání desorpčních spekter za různých podmínek a taky k nalezení parametrů, které dovolují právě desorpci nultého řádu. Klíčová slova: kinetické Monte Carlo, tepelně programovaná desorpce, desorpce nultého řádu, Si(111) 1
Title: Computer simulations of characteristics of metal desorption from the Si(111) surface Author: Adam Sikora Department: Department of Surface and Plasma Science Supervisor: RNDr. Pavel Kocán, Ph.D. Abstract: In case of desorption of some metals (Pb, In, Ga) from surfaces Si(111) and Ga(111) was by use of integral techniques surprisingly observed zero-order of desorption. Theoretical explanation of zero-order is still missing, since it appears that the conditions that normally lead to desorption of the zeroth order - high diffusivity, the existence of 2D gaseous phase etc. - can not be met. The aim of this work is to develop kinetic Monte Carlo computer code for simulations of atomic processes on the surface of Si(111). The developed code will then be used for investigation of desorption spectra for various parameters and also for finding the parameters which allow the zero-order desorption. Keywords: Kinetic Monte Carlo, temperature programmed desorption, zero-order desorption, Si(111) 1