Studium časově rozlišené luminiscence polovodičových nanostruktur

Abstract

This diploma thesis deals with luminescence of silicon nanocrystals prepared by ion-implantation method. Samples have been characterized by time integrated spectroscopy. Time-resolved measurements were also done. We observed two-component photoluminescence with a great difference in decay times. Stretched-exponential decay of the slower one (s) was observed, described and compared to works of other authors. Great attention was paid to nonlinearities of the faster luminescence component ( 100ps) which were obtained by 532nm excitation. We suggested two-photon or two-step excitation model and new experiment to resolve this problem.

Práce se zabývá luminiscencí nanokrystalů křemíku připravených metodou iontové implantace. Vzorky byly charakterizovány časově integrovanou spektroskopií. Dále jsou uvedeny výsledky časově rozlišených měření. Byly pozorovány její dvě složky s řádově různými dobami doznívání intenzity. Pomalá mikrosekundová složka vykazovala stretched-exponenciální časový vývoj, který byl popsán a porovnán s jinými pracemi. Velká pozornost byla věnována rychlejší složce ( 100ps) a jejím nelineárním projevům při excitaci na vlnové délce 532nm. Navrhujeme dvoufotonový nebo dvoustupňový model a experiment, který by mohl tento problém rozhodnout.