Preparation of conductive layers in CdTe/CdZnTe semiconductors by laser ablation

Abstract

Hlavní náplní této práce je charakterizace elektrických vlastností polovodičových ma- teriálů CdTe a CdZnTe, převážně pomocí měření Hallova jevu metodou van der Pauwa. Zkoumané vzorky byly technologicky upraveny laserovou ablací za různých vstupních parametrů a také reaktivním iontovým leptáním. Tyto procesy vedly k vytvoření vo- divé povrchové vrstvy, jejíhož vlastnosti závisely na parametrech úprav. Laserová ablace na vzorcích často vytvářela kvalitní p-typovou vodivou vrstvu. Tento proces pomohl eliminovat povrchové nehomogenity a také elektrické průrazy na poškozených senzorech detektorů záření.

The primary focus of this thesis is the characterization of the electrical properties of CdTe and CdZnTe semiconductor materials, predominantly using Hall effect measure- ments via the van der Pauw method. The investigated samples were technologically modified by laser ablation under varying input parameters and by reactive ion etching. These treatments resulted in the formation of a conductive surface layer, whose properties depended on the processing parameters. Laser ablation frequently formed a high-quality p-type conductive layer on the samples. This process helped eliminate surface inhomo- geneities and also electrical breakdowns on damaged radiation detector sensors.