Vliv žíhání na koncentraci přirozených defektů v polovodičích (CdZn)Te.

Abstract

Paper is focused on finding an optimal annealing treatment for elimination of concentration of inclusions in (CdZn)Te. Demands for material used for MBE growth of (HgCd)Te are material without crystal imperfections, infrared transmittance above 60% and good crystalline quality. These parameters were measured by the X-ray diffraction rocking curve (XRC) method, Infrared Fourier Transform spectrometer and Infrared microscopy. The influence of annealing in the range of 600-850řC in Cd overpressure was investigated on saples contained Te-rich inclusions. The change of shape of Te-rich inclusions and infrared transmittance after annealing in Tellurium vapor was measured. The influence of annealing in Te overpressure in the range of 600-800řC was also investigated o samples contained Cd-rich inclusions, one sample was annealed in Cd overpressure.

Práca je zameraná na výskum optimálních podmienok žíhania, ktoré vedú k výraznému zníženiu koncentrácie prirodzených defektov v polovodičoch (CdZn)Te. Požiadavky kladené na materiál (CdZn)Te používaný ako podložky pre tenké vrstvy (HgCd)Te tvorené epitaxiou z molekulárnych zväzkov sú kryštál s nízkou koncentráciou štruktúrnych defektov, vysoká priepustnosť žiarenia s vlnovou dĺžkou 10m a dobrá kryštálová štruktúra. Bol skúmaný vplyv žíhania na zmeny parametrov týchto požiadaviek pomocou optického mikroskopu pracujúceho v infračervenej oblasti, Fourierovským interferometrom pre strednú infračervenú oblasť a pomocou difraktometru metódou XRC. Bol skúmaný vplyv žíhania na vzorky obsahujúce telúrové inklúzie pri teplotách 600-850řC v parách kadmia. Bola tiež odmeraná zmena telúrových inklúzií po žíhaní v parách telúru. Bola skúmaná zmena morfológie inklúzií vo vzorkách s kadmiovými inklúziami po žíhaní pri teplotách 600-800řC v parách telúru, ako aj po žíhaní v parách kadmia.