Tailoring the optical properties of light-emitting semiconductor structures via doping and matrix embedding

Abstract

Různé formy polovodičů jsou nedílnou součástí současného života. Tato práce je věnována různým aspektům polovodičů v jejich různých dimenzích od 3D do 0D. První část práce popisuje možnost excitace fotoluminiscence kvantových teček CdTe/CdS prostřednictvím generace druhé harmonické infračerveného světla v matici KH2PO4, do níž jsou zavedeny. Druhá část popisuje syntézu ternárních chalkogenidových kvantových teček typu jadro a jadro/slupka, jejich chemickou modifikaci (povlak slupkou ZnS nebo dopování Cu) a zavedení do matice CaCO3 prostřednictvím techniky spolusrážení; pomocí časově rozlišené a stacionární fotoluminiscenční spektroskopie bylo ukázáno, že zabudování kvantových teček typu jadro do uhličitanu vápenatého pasivuje jejich povrchové defekty, ačkoliv bez změny jejich emisního profilu. V případě systémů jádro/slupka bylo zjištěno, že zavedení kvantových teček povlečených ZnS do CaCO3 vede ke zkrácení jejich doby dohasínáni a nakonec k poklesu kvantového výtěžku, pravděpodobně kvůli izomorfismu Zn2+ a Ca2+ . Dopování stříbro-indium- sulfidových (AgInS2) kvantových teček mědí vedlo zpočátku ke zvýšení kvantového výtěžku a prodloužení doby dohasínáni, s následným poklesem obou těchto hodnot se zvýšením obsahu Cu v důsledku zvýšené defektivity systému. Pomocí teplotně závislé fotoluminiscenční...