Hledat
Zobrazují se záznamy 1-3 z 3
Vliv vnějších polí na elektrické pole a fotoproud detektorů CdTe
Influence of external fields on electric field and photocurrent in CdTe detectors
Rigorózní práce (UZNÁNO)
Vedoucí práce: Franc, Jan
Datum publikování: 2017
Datum obhajoby: 15. 03. 2017
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Tato práce se zabývá studiem polovodičových detektorů z materiálů CdTe a CdZnTe pracujících za vysokých toků záření. Experimentálně byl studován vliv vysokých toků Rentgenového a optického záření na tzv. polarizaci detektoru. ...
This thesis is focused on a study of CdTe and CdZnTe semiconductor detectors working under high flux of radiation. We studied experimentally an influence of high flux of X-rays and optical radiation on polarization of the ...
This thesis is focused on a study of CdTe and CdZnTe semiconductor detectors working under high flux of radiation. We studied experimentally an influence of high flux of X-rays and optical radiation on polarization of the ...
Fotoluminiscence krystalů CdTe
Photoluminescence of CdTe crystals
Rigorózní práce (UZNÁNO)
Datum publikování: 2013
Datum obhajoby: 16. 08. 2013
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Název práce: Fotoluminiscence krystalů CdTe Autor: Jan Procházka Katedra / Ústav: Fyzikální ústav Univerzity Karlovy v Praze Vedoucí disertační práce: Doc. RNDr. Pavel Hlídek, CSc. Abstrakt: S použitím nízkoteplotní ...
Title: Photoluminescence of CdTe crystals Author: Jan Procházka Department: Institute of Physics of Charles University in Prague Supervisor: Doc. RNDr. Pavel Hlídek, CSc. Abstract: Energy levels connected with defects in ...
Title: Photoluminescence of CdTe crystals Author: Jan Procházka Department: Institute of Physics of Charles University in Prague Supervisor: Doc. RNDr. Pavel Hlídek, CSc. Abstract: Energy levels connected with defects in ...
Detektory RTG a gama záření na bázi polovodiče CdTe/CdZnTe
Gamma and X- ray CdTe/CdZnTe detectors
Rigorózní práce (UZNÁNO)
Datum publikování: 2015
Datum obhajoby: 19. 06. 2015
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: V předložené práci byl studován vliv různých typů leptání povrchu a pasivace povrchu vysokoodporového polovodiče CdZnTe, za účelem nalezení optimálních podmínek ke zlepšení vlastností kontaktu kov-polovodič. Hlavní snahou ...
In the present work we studied an influence of different types of surface etching and surface passivation of high resistivity CdZnTe-based semiconductor detector material. The aim was to find the optimal conditions to ...
In the present work we studied an influence of different types of surface etching and surface passivation of high resistivity CdZnTe-based semiconductor detector material. The aim was to find the optimal conditions to ...