Hledat
Zobrazují se záznamy 1-7 z 7
Photo-Hall effect spectroscopy and laser-induced transient currents in CdTe-based semiconductor radiation detectors
Foto-Hallovská spektroskopie a laserem indukované tranzientní proudy v polovodičových detektorech na bázi CdTe
Rigorózní práce (UZNÁNO)
Vedoucí práce: Grill, Roman
Datum publikování: 2018
Datum obhajoby: 24. 10. 2018
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Název: Foto-Hallovská spektroskopie a laserem indukované tranzientní proudy v polovodičových detektorech na bázi CdTe Autor: Artem Musiienko Pracoviště: Fyzikální Ústav, MFF UK Vedoucí disertační práce: Prof. RNDr. Roman ...
Title: Photo-Hall effect spectroscopy and laser-induced transient currents in CdTe-based semiconductor radiation detectors Author: Artem Musiienko Department / Institute: Institute of Physics, Faculty of Mathematics and ...
Title: Photo-Hall effect spectroscopy and laser-induced transient currents in CdTe-based semiconductor radiation detectors Author: Artem Musiienko Department / Institute: Institute of Physics, Faculty of Mathematics and ...
Charge transport in semiconducting radiation detectors
Transport náboje v polovodičových detektorech záření
Rigorózní práce (UZNÁNO)
Vedoucí práce: Belas, Eduard
Datum publikování: 2020
Datum obhajoby: 11. 11. 2020
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Tato práce se zaměřuje na studium transportu náboje v polovodičových detektorech záření. Jsou provedeny teoretické výpočty proudových závislostí založené na rovnici kontinuity a drift-difúzní rovnici. Užitečné aproximace ...
This thesis is focused on study of charge transport in semiconducting radiation detectors. Theoretical calculations of current waveforms based on continuity equation and drift-diffusion equation are done. Useful approximations ...
This thesis is focused on study of charge transport in semiconducting radiation detectors. Theoretical calculations of current waveforms based on continuity equation and drift-diffusion equation are done. Useful approximations ...
Charge transport in semiconducting radiation detectors
Transport náboje v polovodičových detektorech záření
Diplomová práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Belas, Eduard
Datum publikování: 2018
Datum obhajoby: 11. 09. 2018
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Tato práce se zaměřuje na studium transportu náboje v polovodičových detektorech záření. Jsou provedeny teoretické výpočty proudových závislostí založené na rovnici kontinuity a drift-difúzní rovnici. Užitečné aproximace ...
This thesis is focused on study of charge transport in semiconducting radiation detectors. Theoretical calculations of current waveforms based on continuity equation and drift-diffusion equation are done. Useful approximations ...
This thesis is focused on study of charge transport in semiconducting radiation detectors. Theoretical calculations of current waveforms based on continuity equation and drift-diffusion equation are done. Useful approximations ...
Influence of Deep Levels on Charge Transport in CdTe and CdZnTe
Vliv hlubokých hladin na transport náboje v CdTe a CdZnTe
Dizertační práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Franc, Jan
Datum publikování: 2014
Datum obhajoby: 25. 06. 2014
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: CdTe a CdZnTe jsou perspektivní materiály pro detektory Rentgenového a gama záření pracující za pokojové teploty. Akumulace prostorového náboje na hlubokých energetických hladinách způsobená zahnutím pásu u kontaktu s ...
CdTe and CdZnTe are promising materials for room temperature semiconductor X-ray and gamma ray detectors. The accumulation of a space charge at deep energy levels due to a band bending at contacts with Schottky barriers ...
CdTe and CdZnTe are promising materials for room temperature semiconductor X-ray and gamma ray detectors. The accumulation of a space charge at deep energy levels due to a band bending at contacts with Schottky barriers ...
Room-temperature semiconducting detectors
Polovodičové detektory záření pracující za pokojové teploty
Dizertační práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Belas, Eduard
Datum publikování: 2017
Datum obhajoby: 15. 09. 2017
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Polovodičový materiál CdTe/CdZnTe má díky svým vlastnostem obrovský aplikační potenciál spektroskopických radiačních detektorech pracujících za pokojové teploty. Takové detektory mohou být využity v lékařství, národní ...
Semiconducting material CdTe/CdZnTe has a huge application potential in spectroscopic room temperature radiation detection due to its properties. Such detectors can be used in medical applications, homeland security and ...
Semiconducting material CdTe/CdZnTe has a huge application potential in spectroscopic room temperature radiation detection due to its properties. Such detectors can be used in medical applications, homeland security and ...
Photo-Hall effect spectroscopy and laser-induced transient currents in CdTe-based semiconductor radiation detectors
Foto-Hallovská spektroskopie a laserem indukované tranzientní proudy v polovodičových detektorech na bázi CdTe
Dizertační práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Grill, Roman
Datum publikování: 2018
Datum obhajoby: 27. 09. 2018
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Název: Foto-Hallovská spektroskopie a laserem indukované tranzientní proudy v polovodičových detektorech na bázi CdTe Autor: Artem Musiienko Pracoviště: Fyzikální Ústav, MFF UK Vedoucí disertační práce: Prof. RNDr. Roman ...
Title: Photo-Hall effect spectroscopy and laser-induced transient currents in CdTe-based semiconductor radiation detectors Author: Artem Musiienko Department / Institute: Institute of Physics, Faculty of Mathematics and ...
Title: Photo-Hall effect spectroscopy and laser-induced transient currents in CdTe-based semiconductor radiation detectors Author: Artem Musiienko Department / Institute: Institute of Physics, Faculty of Mathematics and ...
Influence of Deep Levels on Charge Transport in CdTe and CdZnTe
Vliv hlubokých hladin na transport náboje v CdTe a CdZnTe
Rigorózní práce (UZNÁNO)
Datum publikování: 2014
Datum obhajoby: 21. 07. 2014
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: CdTe a CdZnTe jsou perspektivní materiály pro detektory Rentgenového a gama záření pracující za pokojové teploty. Akumulace prostorového náboje na hlubokých energetických hladinách způsobená zahnutím pásu u kontaktu s ...
CdTe and CdZnTe are promising materials for room temperature semiconductor X-ray and gamma ray detectors. The accumulation of a space charge at deep energy levels due to a band bending at contacts with Schottky barriers ...
CdTe and CdZnTe are promising materials for room temperature semiconductor X-ray and gamma ray detectors. The accumulation of a space charge at deep energy levels due to a band bending at contacts with Schottky barriers ...