Morfologie a fyzikální vlastnosti VPbS3, vrstevnaté sloučeniny s nesouměřitelnou krystalovou strukturou.

Abstract

The subject of this bachelor thesis is the research on the morphology and physical properties of the misfit layer compound VPbS3. The main part of the work was the study of the sample cleaved surface. We focused on chemical stability, the to- pography of the cleaved surface, the depths of cleaved artefacts and the influence of the structure of the cleaved surface on the exfoliation of the thin layers. We exfoliated the sample to two substrates - Si/SiOx/5 nm Au a Si/300 nm SiOx - to compare adhesion. We also measured the temperature dependence of the electrical resistance of the material VPbS3. Within the work were used and compared three microscope methods - optical microscopy, scanning electron microscopy and atomic force microscopy. Marginally we also focused on the growth of the crystals VPbS3 and verified their composition. From the perspective of the AFM, the sample VPbS3 is chemically stable. We managed to exfoliate a layer with a thickness of 1,9 nm to the Si/300 nm SiOx substrate and with a thickness of 0,8 nm to the Si/SiOx/5 nm Au substrate. Following the previous measurement, the electric resistivity measu- rement reports semiconducting behaviour. 1

Předmětem této bakalářské práce je zkoumání základních vlastností vzorku VPbS3, vrstevnatého materiálu s nesouměřitelnou krystalovou strukturou. Hlavní částí práce bylo studium štípnutého povrchu vzorku. Věnovali jsme se chemické stabilitě, struk- tuře štípnutého povrchu, hloubkám vyštípnutých artefaktů i vlivu struktury po- vrchu na exfoliaci tenkých vrstev. Exfoliace vzorků byla provedena na dva substráty - Si/SiOx/5 nm Au a Si/300 nm SiOx - pro porovnání adheze. Rovněž byla pro- měřena závislost odporu materiálu VPbS3 na teplotě. V rámci práce byly využity a srovnány tři mikroskopické metody - optická mikroskopie, skenovací elektronová mikroskopie a mikroskopie atomárních sil. Okrajově jsme se věnovali růstu krystalů materiálu a ověření jejich složení. Vzorek VPbS3 je z pohledu AFM chemicky sta- bilní. Na substrát Si/300 nm SiOx se podařilo exfoliovat vrstvy vzorku o tloušťce cca 1,9 nm, na substrát Si/SiOx/5 nm Au se podařilo exfoliovat vrstvy o tloušťce cca 0,8 nm. V souladu s předchozím pozorováním měření elektrického odporu vykazuje známky polovodivého chování. 1