Zobrazit minimální záznam

Ultrarychlá laserová spektroskopie polovodičů
dc.contributor.advisorMalý, Petr
dc.creatorPopelář, Tomáš
dc.date.accessioned2022-05-02T11:02:54Z
dc.date.available2022-05-02T11:02:54Z
dc.date.issued2022
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/20.500.11956/172343
dc.description.abstractTato disertační práce se zabývá studiem moderních polovodičových materiálů, diamantu a křemíkových nanokrystalů, pomocí metod laserové spektroskopie. Pro detailní výzkum diamantu bylo postaveno nové experimentální uspořádání, generátor laserových pulsů ve střední infračervené oblasti. S jeho pomocí byla zkoumána dynamika excitovaných nosičů o vysokých hustotách, jejich kondenzace do elektron- děrové kapaliny a interakce se světlem kolem jejich plasmové frekvence. Díky vysoké citlivosti těchto měření na teplotu nosičů bylo možné vidět dynamiku termalizace, k jejímuž popisu byla použita kvantová teorie absorpce na volných nosičích. V dopovaných křemíkových nanokrystalech zabudovaných do SiO2 matrice jsme zkoumali potenciální přítomnost volných nosičů, která by umožnila vytvořit PN přechod. Dále jsme v těchto vzorcích objevili významný rekombinační kanál, který se projevuje při vysokých intenzitách excitace. Identifkovali jsme jeho původ a popsali jeho interakci s nanokrystaly. Nakonec jsme analyzovali vliv atomů bóru v nanokrystalech na distribuci časů doznívání podle vyzářené vlnové délky.cs_CZ
dc.description.abstractThis Ph. D. thesis is focused on the study of modern semiconductor materials, diamond, and silicon nanocrystals, by methods of laser spectroscopy. A new experimental setup, the generator of mid-infrared laser pulses, was built to study diamond in detail. With its help, we observed the dynamics of high-density excited carriers, their condensation into electron-hole liquid, and their interaction with light around their plasma frequency. Thanks to the high sensitivity of these measurements on the excited carrier temperature we could observe the thermalisation dynamics which was described by the quantum theory of free carrier absorption. In the doped silicon nanocrystals embedded into SiO2 matrix, we studied the potential presence of free carriers which could be used to create a PN junction. We also found an important recombination channel in these samples which manifests at high excitation intensities. We identified its origin and described its interaction with nanocrystals. At last, we analyzed the influence of incorporated boron atoms on the distribution of decay times according to the emitted wavelength.en_US
dc.languageEnglishcs_CZ
dc.language.isoen_US
dc.publisherUniverzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakultacs_CZ
dc.subjectdiamond|silicon nanocrystals|time-resolved spectroscopy|NBOHCen_US
dc.subjectdiamant|křemíkové nanokrystaly|časově rozlišená spektroskopie|NBOHCcs_CZ
dc.titleUltrafast laser spectroscopy of semiconductorsen_US
dc.typedizertační prácecs_CZ
dcterms.created2022
dcterms.dateAccepted2022-04-01
dc.description.departmentDepartment of Chemical Physics and Opticsen_US
dc.description.departmentKatedra chemické fyziky a optikycs_CZ
dc.description.facultyFaculty of Mathematics and Physicsen_US
dc.description.facultyMatematicko-fyzikální fakultacs_CZ
dc.identifier.repId123053
dc.title.translatedUltrarychlá laserová spektroskopie polovodičůcs_CZ
dc.contributor.refereeOswald, Jiří
dc.contributor.refereeŽídek, Karel
thesis.degree.namePh.D.
thesis.degree.leveldoktorskécs_CZ
thesis.degree.disciplineQuantum Optics and Optoelectronicsen_US
thesis.degree.disciplineKvantová optika a optoelektronikacs_CZ
thesis.degree.programQuantum Optics and Optoelectronicsen_US
thesis.degree.programKvantová optika a optoelektronikacs_CZ
uk.thesis.typedizertační prácecs_CZ
uk.taxonomy.organization-csMatematicko-fyzikální fakulta::Katedra chemické fyziky a optikycs_CZ
uk.taxonomy.organization-enFaculty of Mathematics and Physics::Department of Chemical Physics and Opticsen_US
uk.faculty-name.csMatematicko-fyzikální fakultacs_CZ
uk.faculty-name.enFaculty of Mathematics and Physicsen_US
uk.faculty-abbr.csMFFcs_CZ
uk.degree-discipline.csKvantová optika a optoelektronikacs_CZ
uk.degree-discipline.enQuantum Optics and Optoelectronicsen_US
uk.degree-program.csKvantová optika a optoelektronikacs_CZ
uk.degree-program.enQuantum Optics and Optoelectronicsen_US
thesis.grade.csProspěl/acs_CZ
thesis.grade.enPassen_US
uk.abstract.csTato disertační práce se zabývá studiem moderních polovodičových materiálů, diamantu a křemíkových nanokrystalů, pomocí metod laserové spektroskopie. Pro detailní výzkum diamantu bylo postaveno nové experimentální uspořádání, generátor laserových pulsů ve střední infračervené oblasti. S jeho pomocí byla zkoumána dynamika excitovaných nosičů o vysokých hustotách, jejich kondenzace do elektron- děrové kapaliny a interakce se světlem kolem jejich plasmové frekvence. Díky vysoké citlivosti těchto měření na teplotu nosičů bylo možné vidět dynamiku termalizace, k jejímuž popisu byla použita kvantová teorie absorpce na volných nosičích. V dopovaných křemíkových nanokrystalech zabudovaných do SiO2 matrice jsme zkoumali potenciální přítomnost volných nosičů, která by umožnila vytvořit PN přechod. Dále jsme v těchto vzorcích objevili významný rekombinační kanál, který se projevuje při vysokých intenzitách excitace. Identifkovali jsme jeho původ a popsali jeho interakci s nanokrystaly. Nakonec jsme analyzovali vliv atomů bóru v nanokrystalech na distribuci časů doznívání podle vyzářené vlnové délky.cs_CZ
uk.abstract.enThis Ph. D. thesis is focused on the study of modern semiconductor materials, diamond, and silicon nanocrystals, by methods of laser spectroscopy. A new experimental setup, the generator of mid-infrared laser pulses, was built to study diamond in detail. With its help, we observed the dynamics of high-density excited carriers, their condensation into electron-hole liquid, and their interaction with light around their plasma frequency. Thanks to the high sensitivity of these measurements on the excited carrier temperature we could observe the thermalisation dynamics which was described by the quantum theory of free carrier absorption. In the doped silicon nanocrystals embedded into SiO2 matrix, we studied the potential presence of free carriers which could be used to create a PN junction. We also found an important recombination channel in these samples which manifests at high excitation intensities. We identified its origin and described its interaction with nanocrystals. At last, we analyzed the influence of incorporated boron atoms on the distribution of decay times according to the emitted wavelength.en_US
uk.file-availabilityV
uk.grantorUniverzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta, Katedra chemické fyziky a optikycs_CZ
thesis.grade.codeP
dc.contributor.consultantTrojánek, František
uk.publication-placePrahacs_CZ
uk.thesis.defenceStatusO


Soubory tohoto záznamu

Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail

Tento záznam se objevuje v následujících sbírkách

Zobrazit minimální záznam


© 2017 Univerzita Karlova, Ústřední knihovna, Ovocný trh 560/5, 116 36 Praha 1; email: admin-repozitar [at] cuni.cz

Za dodržení všech ustanovení autorského zákona jsou zodpovědné jednotlivé složky Univerzity Karlovy. / Each constituent part of Charles University is responsible for adherence to all provisions of the copyright law.

Upozornění / Notice: Získané informace nemohou být použity k výdělečným účelům nebo vydávány za studijní, vědeckou nebo jinou tvůrčí činnost jiné osoby než autora. / Any retrieved information shall not be used for any commercial purposes or claimed as results of studying, scientific or any other creative activities of any person other than the author.

DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
Theme by 
@mire NV