Elektrické a optické vlastnosti SiC monokrystalů
Electrical and optical properties of SiC single crystals
diplomová práce (OBHÁJENO)
Zobrazit/ otevřít
Trvalý odkaz
http://hdl.handle.net/20.500.11956/121069Identifikátory
SIS: 192865
Kolekce
- Kvalifikační práce [10926]
Autor
Vedoucí práce
Konzultant práce
Kunc, Jan
Oponent práce
Štekl, Ivan
Fakulta / součást
Matematicko-fyzikální fakulta
Obor
Optika a optoelektronika
Katedra / ústav / klinika
Fyzikální ústav UK
Datum obhajoby
15. 9. 2020
Nakladatel
Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakultaJazyk
Čeština
Známka
Výborně
Klíčová slova (česky)
SiC, detektory záření, kontakt kov-polovodič, V-A charakteristiky, Ramanova spektroskopieKlíčová slova (anglicky)
SiC, radiation detectors, metal-semiconductor contacts, V-A characteristics, Raman spectroscopyKarbid křemíku (SiC) je polovodič s širokým zakázaným pásem až do 3,2 eV. Aplikace na bázi SiC jsou schopné pracovat v extrémních podmínkách, vysokoteplotních a vysokoenergetických režimech. Tato práce je zaměřena na zkoumání elektrických, optických a spektroskopických vlastností monokrystalického SiC různými metodami včetně Ramanovy spektroskopie, volt-ampérových charakteristik, měření transientních proudů a spektroskopických metod. Také je studována adheze kontaktů a vliv různých materiálů kontaktů na schopnost detekovat ionizující záření za účelem optimalizace technologie přípravy kvalitních radiačních detektorů na bázi SiC.
Silicon carbide is a semiconductor with a wide bandgap of up to 3.2 eV and is capable of operating in extreme conditions, high temperature and high energy modes. This work focuses on the investigation of electrical and optical properties of monocrystalline SiC by various methods including Raman spectroscopy, volt-ampere characteristics, L-TCT and spectroscopic techniques. The adhesion of contacts and the influence of different contact materials on the ability to detect ionizing radiation are also studied to optimize the technology of preparation of quality SiC-based radiation detectors.