Příprava mikrostruktur pro měření transportních vlastností těžkofermionových sloučenin

Abstract

V této práci se zabýváme přípravou mikrostruktur z monokrystalu CeCoIn5 pomocí fokusovaného iontového svazku a následně měřením jejich elektrických odporů. Monokrystalitické trámečky o délce ∼ 50 µm byly vyřezány pomocí fo- kusovaného iontového svazku, přeneseny na křemíkové substráty s předpřipra- venými zlatými strukturami a vodivě spojeny deponovanou platinou. Byly opti- malizovány a testovány parametry elektronové litografie, testování elektrického odporu zlatých kontaktů a platinových můstků a transport mikrostruktur. Z mě- rení elektrického odporu monokrystalu CeCoIn5 byla stanovena kritická teplota supravodivého přechodu Tc = 2.27 K a z jeho měření v magnetickém poli byl stanoven H-T fázový diagram. superconducting transition. Tyto data jsou v sou- ladu s literaturou. Naproti tomu měření mikrostruktur neukázalo supravodivý přechod, což poukazuje na nedostatečnou kvalitu vzorků. 1

In this thesis, we focus on preparation of micro-devices for resistivity measure- ment of CeCoIn5 using focused ion beam technique. Single crystal samples of ∼ 50 µm length were carved out by focused ion beam and transported on silicon sub- strates with prepared gold structures for electrical resistivity measurement. The samples were conductivily attached to gold contact pads by focused ion beam in- duced platinum deposition. Several steps and techniques were optimized: electron litography, golden pads electrical resitivity measurement and platinum structures electrical resitivity measurement and microstructure transport. Electrical resisti- vity measurement of CeCoIn5 single crystal showed superconductive transition at Tc = 2.27 K and H-T phase diagram was created from measurement in magnetic fields. The result obtained from bulk sample are in agreement with literature. On the other hand measurement of micro-devices showed no superconducting transition, suggesting unsufficient quality of samples. 1