Lineární terahertzová spektroskopie polovodičových nanostruktur

Abstract

In this thesis there is used quantum model of electron conductivity of semiconductor nanostructures introduced in [4].Conductivity is calculated in first order perturbation theory with addition of thermalization current. Main focus of this thesis is concerned on calculation of conductivity of crystal shaped full or hollow sphere with use of above mentioned model. Calculated equation is then used for numerical calculation of conductivity spectra of GaAs in terahertz region, that is then graphically visualised.

V této práci je využito kvantového modelu elektronové vodivosti polovodičových nanostruktur zavedeného v [4]. Vodivost je vypočtena v prvním řádu poruchového počtu s přidáním termalizačního proudu. Hlavní část této práce je věnována výpočtu vodivosti krystalu tvaru plné nebo duté koule za použití zmíněného modelu. Vypočteného vzorce je dále využito k numerickému výpočtu vodivostního spektra GaAs v terahertzové oblasti, které je pak graficky znázorněno.