Search
Now showing items 1-2 of 2
Influence of Deep Levels on Charge Transport in CdTe and CdZnTe
Vliv hlubokých hladin na transport náboje v CdTe a CdZnTe
dissertation thesis (DEFENDED)
Advisor: Franc, Jan
Date Issued: 2014
Date of defense: 25. 06. 2014
Faculty / Institute: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstract: CdTe a CdZnTe jsou perspektivní materiály pro detektory Rentgenového a gama záření pracující za pokojové teploty. Akumulace prostorového náboje na hlubokých energetických hladinách způsobená zahnutím pásu u kontaktu s ...
CdTe and CdZnTe are promising materials for room temperature semiconductor X-ray and gamma ray detectors. The accumulation of a space charge at deep energy levels due to a band bending at contacts with Schottky barriers ...
CdTe and CdZnTe are promising materials for room temperature semiconductor X-ray and gamma ray detectors. The accumulation of a space charge at deep energy levels due to a band bending at contacts with Schottky barriers ...
Influence of Deep Levels on Charge Transport in CdTe and CdZnTe
Vliv hlubokých hladin na transport náboje v CdTe a CdZnTe
rigorous thesis (RECOGNIZED)
Date Issued: 2014
Date of defense: 21. 07. 2014
Faculty / Institute: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstract: CdTe a CdZnTe jsou perspektivní materiály pro detektory Rentgenového a gama záření pracující za pokojové teploty. Akumulace prostorového náboje na hlubokých energetických hladinách způsobená zahnutím pásu u kontaktu s ...
CdTe and CdZnTe are promising materials for room temperature semiconductor X-ray and gamma ray detectors. The accumulation of a space charge at deep energy levels due to a band bending at contacts with Schottky barriers ...
CdTe and CdZnTe are promising materials for room temperature semiconductor X-ray and gamma ray detectors. The accumulation of a space charge at deep energy levels due to a band bending at contacts with Schottky barriers ...