Hledat
Zobrazují se záznamy 1-2 z 2
Optical and magneto-optical properties of Heusler compounds
Optické a magnetooptické vlastnosti Heuslerových sloučenin
Rigorózní práce (UZNÁNO)
Vedoucí práce: Veis, Martin
Datum publikování: 2019
Datum obhajoby: 04. 02. 2019
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Cílem této práce bylo studium Heuslrových sloučenin pomocí optických a magneto-optických (MO) metod. V případě první sloučeniny, Co2FeGa0.5Ge0.5, jsme studovali výskyt strukturálního disorderu za pomoci spektroskopické ...
Structure defects in SiC radiation detectors
Strukturní defekty v SiC detektorech
Rigorózní práce (UZNÁNO)
Vedoucí práce: Belas, Eduard
Datum publikování: 2019
Datum obhajoby: 26. 11. 2019
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Silicon karbid je širokopásový polovodič o šířce gapu 2.4 eV - 3.3eV. SiC je dobře znám pro své vlastnosti, které dovolují jeho aplikaci v extrémních podmínkách. Jeho potencionální uplatnění je například vysokofrekvenčních ...
Silicon carbide (SiC), is a wide band gap (2.4 eV < Eg < 3.3 eV) semiconducting material well known for its potential applications in high-temperature, high-power, high-frequency or hard radiation resistant devices. ...
Silicon carbide (SiC), is a wide band gap (2.4 eV < Eg < 3.3 eV) semiconducting material well known for its potential applications in high-temperature, high-power, high-frequency or hard radiation resistant devices. ...