Hledat
Zobrazují se záznamy 1-2 z 2
Structure defects in SiC radiation detectors
Strukturní defekty v SiC detektorech
Rigorózní práce (UZNÁNO)
Vedoucí práce: Belas, Eduard
Datum publikování: 2019
Datum obhajoby: 26. 11. 2019
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Silicon karbid je širokopásový polovodič o šířce gapu 2.4 eV - 3.3eV. SiC je dobře znám pro své vlastnosti, které dovolují jeho aplikaci v extrémních podmínkách. Jeho potencionální uplatnění je například vysokofrekvenčních ...
Silicon carbide (SiC), is a wide band gap (2.4 eV < Eg < 3.3 eV) semiconducting material well known for its potential applications in high-temperature, high-power, high-frequency or hard radiation resistant devices. ...
Silicon carbide (SiC), is a wide band gap (2.4 eV < Eg < 3.3 eV) semiconducting material well known for its potential applications in high-temperature, high-power, high-frequency or hard radiation resistant devices. ...
Structure defects in SiC radiation detectors
Strukturní defekty v SiC detektorech
Diplomová práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Belas, Eduard
Datum publikování: 2019
Datum obhajoby: 19. 06. 2019
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Silicon karbid je širokopásový polovodič o šířce gapu 2.4 eV - 3.3eV. SiC je dobře znám pro své vlastnosti, které dovolují jeho aplikaci v extrémních podmínkách. Jeho potencionální uplatnění je například vysokofrekvenčních ...
Silicon carbide (SiC), is a wide band gap (2.4 eV < Eg < 3.3 eV) semiconducting material well known for its potential applications in high-temperature, high-power, high-frequency or hard radiation resistant devices. ...
Silicon carbide (SiC), is a wide band gap (2.4 eV < Eg < 3.3 eV) semiconducting material well known for its potential applications in high-temperature, high-power, high-frequency or hard radiation resistant devices. ...