Detektory RTG a gama záření na bázi polovodiče CdTe/CdZnTe
Gamma and X- ray CdTe/CdZnTe detectors
rigorous thesis (RECOGNIZED)
View/ Open
Permanent link
http://hdl.handle.net/20.500.11956/67741Identifiers
Study Information System: 165871
Collections
- Kvalifikační práce [10690]
Author
Faculty / Institute
Faculty of Mathematics and Physics
Discipline
Optics and optoelectronics
Department
Institute of Physics of Charles University
Date of defense
19. 6. 2015
Publisher
Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakultaLanguage
Czech
Grade
Recognized
Keywords (Czech)
CdTe, CdZnTe, detektory, gama zářeníKeywords (English)
CdTe, CdZnTe, detectors, gama and X-ray radiationV předložené práci byl studován vliv různých typů leptání povrchu a pasivace povrchu vysokoodporového polovodiče CdZnTe, za účelem nalezení optimálních podmínek ke zlepšení vlastností kontaktu kov-polovodič. Hlavní snahou bylo snížit hodnotu svodového proudu a tím získat lepší rentgenové a gama spektra, neboli vytvořit detektor fungující za pokojové teploty na bázi tohoto polovodiče s dostačujícím energetickým rozlišením a co největší účinností sběru náboje. Jednotlivé povrchové úpravy byly charakterizovány pomocí volt-ampérové charakteristiky, spektrální analýzy a určením profilu vnitřního elektrického pole.
In the present work we studied an influence of different types of surface etching and surface passivation of high resistivity CdZnTe-based semiconductor detector material. The aim was to find the optimal conditions to improve the properties of metal-semiconductor contact. The main effort was to reduce the leakage current and thus get better X-ray and gamma-ray spectrum, ie to create a detector operating at room temperature based on this semiconductor material with sufficient energy resolution and the maximum charge collection efficiency. Individual surface treatments were characterized by volt-ampere characteristics, spectral analysis and by determination of the profile of the internal electric field.