Diffuse x-ray scattering from GaN epitaxial layers
Difúzní rozptyl rentgenového záření na GaN epitaxních vrstvách
dizertační práce (OBHÁJENO)
Zobrazit/ otevřít
Trvalý odkaz
http://hdl.handle.net/20.500.11956/57327Identifikátory
SIS: 44667
Kolekce
- Kvalifikační práce [10932]
Autor
Vedoucí práce
Oponent práce
Caha, Ondřej
Pietsch, Ulrich
Fakulta / součást
Matematicko-fyzikální fakulta
Obor
Fyzika kondenzovaných látek a materiálový výzkum
Katedra / ústav / klinika
Katedra fyziky kondenzovaných látek
Datum obhajoby
29. 11. 2012
Nakladatel
Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakultaJazyk
Angličtina
Známka
Prospěl/a
Klíčová slova (česky)
Gallium Nitrid (GaN), difrakce rtg záření, Monte Carlo simulace, threading dislokace, vrstevné chybyKlíčová slova (anglicky)
Gallium Nitride, x-ray diffraction, Monte Carlo simulation, threading dislocations, stacking faultsReální struktura heteroepitaxních vrstev GaN a AlGaN je studována pomocí difúzního rozptylu rtg záření. Nově vyvinutá metoda založená na Monte Carlo simulaci umožňuje určovat hustotu threading dislokací ve vrstvách c-GaN a vrstevných chyb ve vrstvách a-GaN. Hustoty defektů ze simulací Monte Carlo jsou srovnány s hodnotami získanými standardními metodami (transmisní elektronová mikroskopie, metalografie leptových důlků). Výhody a omezení našeho postupu jsou podrobně diskutovány; přesnost metody je stanovena jako 15%. Ukázali jsme, že naše metoda je spolehlivý nástroj pro určení hustot threading dislokací a vrstevných chyb ve vrstvách GaN.
Real structure of heteroepitaxial GaN and AlGaN layers is studied by diffuse x-ray scattering. A new developed method based on Monte Carlo simulation enabling to determine densities of threading dislocations in c-plane GaN and stacking faults in a-plane GaN is presented. The results of Monte Carlo simulations are compared with ones obtained by use of other conventional techniques. The advantages and limitations of the new method are discussed in detail. The methods accuracy is estimated as about 15%. We have shown that our method is a reliable tool for threading dislocations and stacking faults densities determination.