Dynamics of structural defects in CdTe-based semiconductors
Dynamika strukturních defektů v polovodičích CdTe
dissertation thesis (DEFENDED)
View/ Open
Permanent link
http://hdl.handle.net/20.500.11956/47175Identifiers
Study Information System: 47112
Collections
- Kvalifikační práce [10690]
Author
Advisor
Consultant
Grill, Roman
Referee
Holý, Václav
Fochuk, Petro
Faculty / Institute
Faculty of Mathematics and Physics
Discipline
Quantum Optics and Optoelectronics
Department
Institute of Physics of Charles University
Date of defense
23. 9. 2011
Publisher
Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakultaLanguage
English
Grade
Pass
Keywords (Czech)
CdTe, žíhání, inkluze, detektor, defektyKeywords (English)
CdTe, annealing, inclusions, detector, defectsNázev práce: Dynamika strukturních defektů v polovodičích CdTe Autor: RNDr. Marek Bugár Ústav: Fyzikální ústav Univerzity Karlovy v Praze Vedoucí doktorské práce: Doc. Ing. Eduard Belas CSc.; Fyzikální ústav Univerzity Karlovy v Praze Abstrakt: Práce je zaměřena na výzkum vlivu žíhání na strukturní, elektrické a optické vlastnosti epitaxních podložek na bázi CdZnTe a detektorů rentgenového a gama záření na bázi CdTe a CdZnTe. První část práce zkoumá strukturní vlastnosti mikrodefektů - inkluzí - snižujících kvalitu obou typů materiálů a je zaměřena na nalezení efektivního žíhacího procesu pro jejich odstranění. V případě podložek CdZnTe se žíhací experimenty zaměřují také na nalezení temperančních podmínek zvyšujících jejich infračervenou propustnost. V detektorech vysokoenergetického záření je cílem žíhacích experimentů také zachování vysokoodporového stavu materiálu. Práce obsahuje také měření transportních vlastností CdTe přímo při vysokých teplotách. Klíčová slova: CdTe, žíhaní, inkluze, detektor, defekty
Title: Dynamics of structural defects in CdTe-based semiconductors Author: RNDr. Marek Bugár Institute: Institute of Physics, Charles University in Prague Supervisor of the doctoral thesis: Doc. Ing. Eduard Belas CSc.; Institute of Physics, Charles University in Prague Abstract: The work was aimed at investigation of the effect of annealing on structural, electrical and optical properties of CdZnTe epitaxial substrates and CdTe-based and CdZnTe-based X-ray and gamma-ray detectors. The first part of the work is focused on investigation of structural properties of one type of second phase defects - inclusions - present in the material, which degrade the material quality. Consequent annealing experiments were aimed at reduction of these defects. In case of CdZnTe substrates, an annealing treatment leading to increase of the infrared transmittance was investigated. On the other hand, annealing experiments on the detectors of high-energetic radiation were focused on preservation of the high-resistive state. Moreover, the work contains detailed measurements of transport properties of CdTe taken directly at high temperatures. Key words: CdTe, annealing, inclusions, detectors, defects