Studium struktury modelových systémů kov-CeO2/Cu(111) metodou RHEED
Structural study of metal-CeO2/Cu(111) model systems by RHEED
diploma thesis (DEFENDED)
View/ Open
Permanent link
http://hdl.handle.net/20.500.11956/30619Identifiers
Study Information System: 62227
Collections
- Kvalifikační práce [10690]
Author
Advisor
Consultant
Matolín, Vladimír
Referee
Jiříček, Petr
Faculty / Institute
Faculty of Mathematics and Physics
Discipline
Physics of Surfaces and Ionized Media
Department
Department of Surface and Plasma Science
Date of defense
17. 5. 2010
Publisher
Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakultaLanguage
Czech
Grade
Excellent
Oxid ceru byl deponován vakuovým reaktivním napařováním na povrch monokrystalu mědi (111) v kyslíkové atmosféře při konstantních teplotách 25řC, 300řC a 450řC a při rostoucí teplotě od 25 do 450řC. Ve všech případech byl pozorován epitaxní růst oxidu ceru s rovinou (111) rovnoběžnou se substrátem. Mřížový parametr oxidu během depozice postupně rostl až na hodnotu 5,31 . Při depozici s rostoucí teplotou začaly navíc vznikat 3D domény se čtyřčetnou symetrií a s epitaxní rovinou (100) rovnoběžnou se substrátem. Mřížový parametr těchto domén měl hodnotu 5,36 ve směru rovnoběžném s povrchem. Tyto domény byly pozorované rovněž pomocí STM. Depozice paládia vedla k růstu epitaxních ostrůvků s rovinou (111) rovnoběžnou se substrátem a k částečné redukci oxidu ceru způsobené interakcí mezi atomy paládia a kyslíku s následným vznikem fáze PdO na rozhranní ostrůvek - oxid. Další redukce vrstvy oxidu ceru byla pozorována při ohřevu na 300řC. Při ohřevech na vyšší teplotu pak docházelo ke koalescenci ostrůvků paládia a tepelnému rozkladu oxidu paládia.
The cerium oxide was deposited by reactive vacuum evaporation on the (111) surface of copper single-crystal in oxygen atmosphere at constant substrate temperatures of 25řC, 300řC and 450řC and at increasing temperature from 25řC to 450řC. In each case, the cerium oxide grew epitaxially with the (111) plane parallel to the substrate. The lattice parameter of the oxide increased up to the value of 5,28 during the deposition. At increasing temperature the growth of additional three-dimensional domains with tetrafold symmetry and (100) plane parallel to the surface was observed. Lattice parameter of these domains exhibited the value of 5,36 in the direction parallel to the surface. These domains were also observed by STM. The palladium grew on the cerium oxide surface in form of epitaxial islands having (111) epitaxial plane parallel to the substrate surface. The palladium deposition resulted in the partial reduction of the oxide layer. The reduction was caused by the interaction of the palladium and oxygen atoms leading to the formation of PdO phase. This feature became more pronounced during annealing at 300řC. Annealing at higher temperatures led to coalescence of the palladium islands and thermal induced decomposition of the palladium oxide.