Úprava struktury defektů v polovodičích CdTe/CdZnTe žíháním v Cd a Te parách

Adjustment of defect structure in CdTe/CdZnTe semiconductors by annealing at Cd or Te overpressure

Zobrazit/otevřít

Text práce (1.596Mb)

Posudek vedoucího (54.65Kb)

Posudek oponenta (59.88Kb)

Záznam o průběhu obhajoby (17.71Kb)

Trvalý odkaz

http://hdl.handle.net/20.500.11956/26793

Identifikátory

SIS: 42846

Katalog UK: 990012862900106986

Kolekce

• Kvalifikační práce [11407]

Autor

Šedivý, Lukáš

Vedoucí práce

Belas, Eduard

Oponent práce

Grill, Roman

Fakulta / součást

Matematicko-fyzikální fakulta

Obor

Obecná fyzika

Katedra / ústav / klinika

Fyzikální ústav UK

Datum obhajoby

22. 6. 2010

Nakladatel

Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta

Jazyk

Čeština

Známka

Výborně

Citace dokumentu