Show simple item record

Charge transport optical characterization in semiconductor radiation detectors
Optická charakterizace transportu náboje v polovodičových detektorech záření
dc.contributor.advisorBelas, Eduard
dc.creatorRidzoňová, Katarína
dc.date.accessioned2017-06-02T06:55:47Z
dc.date.available2017-06-02T06:55:47Z
dc.date.issued2016
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/20.500.11956/82972
dc.description.abstractMerania foto-voltampérových charakteristík, spektrálnej závislosti fotoprúdu a laserom indukovaných tranzientných prúdov umožňujú výskum povrchových rekombinačných centier, objemových pascových hladín a profilu vnútorného elektrického poľa. V prezentovanej práci boli vyššie spomenutými metódami skúmané n-typové planárne detektory s takmer Ohmickými kontaktmi. Bolo dokázané, že v prípade silne sa absorbujúceho svetla v DC režime osvetlenia neovplyvňuje transportné vlastnosti len povrchová rekombinácia. Musí byť zarátaný aj vplyv priestorového náboja, ktorý vzniká ako dôsledok záchytu nosičov na pascových hladinách. Preto k popisu meraných foto- voltampérových charakteristík boli odvodené nové teoretické modely. Namerané dáta boli fitované novou teóriou, odkiaľ sme získali parametre pohyblivosť a povrchovú rekombináciu.cs_CZ
dc.description.abstractMeasurements of DC photocurrent-voltage characteristic, photocurrents spectral response and laser induced transient current technique enable investigation of surface recombination centers, bulk trap levels and distribution of the inner electric field. In the presented work, the n- type planar CdZnTe detectors with quasi Ohmic contacts were studied by above mentioned methods. It has been shown that in the case of strongly absorbed light under the DC regime of illumination not only surface recombination influences the detector's transport properties. The effect of the space charge, created as a consequence of carriers trapped by the impurity levels, must be taken into account. Therefore some new theoretical models were created in order to describe measured photocurrent-voltage dependencies. Obtained data were fitted with the new theory and the mobility and surface recombination velocity for electrons were determined.en_US
dc.languageSlovenčinacs_CZ
dc.language.isosk_SK
dc.publisherUniverzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakultacs_CZ
dc.subjectCdZnTecs_CZ
dc.subjectfotoprúdcs_CZ
dc.subjectpriestorový nábojcs_CZ
dc.subjectpovrchová rekombináciacs_CZ
dc.subjectCdZnTeen_US
dc.subjectphotocurrenten_US
dc.subjectspace chargeen_US
dc.subjectsurface recombinationen_US
dc.titleOptická charakterizácia transportu náboja v polovodičových detektoroch žiareniask_SK
dc.typediplomová prácecs_CZ
dcterms.created2016
dcterms.dateAccepted2016-09-15
dc.description.departmentInstitute of Physics of Charles Universityen_US
dc.description.departmentFyzikální ústav UKcs_CZ
dc.description.facultyMatematicko-fyzikální fakultacs_CZ
dc.description.facultyFaculty of Mathematics and Physicsen_US
dc.identifier.repId154154
dc.title.translatedCharge transport optical characterization in semiconductor radiation detectorsen_US
dc.title.translatedOptická charakterizace transportu náboje v polovodičových detektorech zářenícs_CZ
dc.contributor.refereeToušek, Jiří
dc.identifier.aleph002104089
thesis.degree.nameMgr.
thesis.degree.levelnavazující magisterskécs_CZ
thesis.degree.disciplineOptika a optoelektronikacs_CZ
thesis.degree.disciplineOptics and Optoelectronicsen_US
thesis.degree.programFyzikacs_CZ
thesis.degree.programPhysicsen_US
uk.thesis.typediplomová prácecs_CZ
uk.taxonomy.organization-csMatematicko-fyzikální fakulta::Fyzikální ústav UKcs_CZ
uk.taxonomy.organization-enFaculty of Mathematics and Physics::Institute of Physics of Charles Universityen_US
uk.faculty-name.csMatematicko-fyzikální fakultacs_CZ
uk.faculty-name.enFaculty of Mathematics and Physicsen_US
uk.faculty-abbr.csMFFcs_CZ
uk.degree-discipline.csOptika a optoelektronikacs_CZ
uk.degree-discipline.enOptics and Optoelectronicsen_US
uk.degree-program.csFyzikacs_CZ
uk.degree-program.enPhysicsen_US
thesis.grade.csVýborněcs_CZ
thesis.grade.enExcellenten_US
uk.abstract.csMerania foto-voltampérových charakteristík, spektrálnej závislosti fotoprúdu a laserom indukovaných tranzientných prúdov umožňujú výskum povrchových rekombinačných centier, objemových pascových hladín a profilu vnútorného elektrického poľa. V prezentovanej práci boli vyššie spomenutými metódami skúmané n-typové planárne detektory s takmer Ohmickými kontaktmi. Bolo dokázané, že v prípade silne sa absorbujúceho svetla v DC režime osvetlenia neovplyvňuje transportné vlastnosti len povrchová rekombinácia. Musí byť zarátaný aj vplyv priestorového náboja, ktorý vzniká ako dôsledok záchytu nosičov na pascových hladinách. Preto k popisu meraných foto- voltampérových charakteristík boli odvodené nové teoretické modely. Namerané dáta boli fitované novou teóriou, odkiaľ sme získali parametre pohyblivosť a povrchovú rekombináciu.cs_CZ
uk.abstract.enMeasurements of DC photocurrent-voltage characteristic, photocurrents spectral response and laser induced transient current technique enable investigation of surface recombination centers, bulk trap levels and distribution of the inner electric field. In the presented work, the n- type planar CdZnTe detectors with quasi Ohmic contacts were studied by above mentioned methods. It has been shown that in the case of strongly absorbed light under the DC regime of illumination not only surface recombination influences the detector's transport properties. The effect of the space charge, created as a consequence of carriers trapped by the impurity levels, must be taken into account. Therefore some new theoretical models were created in order to describe measured photocurrent-voltage dependencies. Obtained data were fitted with the new theory and the mobility and surface recombination velocity for electrons were determined.en_US
uk.file-availabilityV
uk.publication.placePrahacs_CZ
uk.grantorUniverzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta, Fyzikální ústav UKcs_CZ
dc.identifier.lisID990021040890106986


Files in this item

Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record


© 2017 Univerzita Karlova, Ústřední knihovna, Ovocný trh 560/5, 116 36 Praha 1; email: admin-repozitar [at] cuni.cz

Za dodržení všech ustanovení autorského zákona jsou zodpovědné jednotlivé složky Univerzity Karlovy. / Each constituent part of Charles University is responsible for adherence to all provisions of the copyright law.

Upozornění / Notice: Získané informace nemohou být použity k výdělečným účelům nebo vydávány za studijní, vědeckou nebo jinou tvůrčí činnost jiné osoby než autora. / Any retrieved information shall not be used for any commercial purposes or claimed as results of studying, scientific or any other creative activities of any person other than the author.

DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
Theme by 
@mire NV