Show simple item record

Studium interakce adsorbátu s pasivovanými povrchy Si pomocí STM
dc.contributor.advisorKocán, Pavel
dc.creatorMatvija, Peter
dc.date.accessioned2021-05-20T15:25:27Z
dc.date.available2021-05-20T15:25:27Z
dc.date.issued2017
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/20.500.11956/8023
dc.description.abstractSkenovacia tunelová mikroskopia bola použitá na štúdium morfolgie táliovej vrstvy v rôznych štádiách desorbcie Tl z povrchu Si(111) a na štúdium správania sa rôznych adsorbátov na povrchu Si(111)/Tl-(1 × 1). Využitie táliovej vrstvy na pasivásiu povrchu Si(111) bolo bližšie skúmané pre rôzne druhy adsorbátov. Mangánové, hliníkové, indiové a cínové vrstvy, ktoré boli priamo deponované na Si(111)-(7 × 7), boli porovnané s vrstvami pripravenými depozíciou adsorbátu na pasivačnú vrstvu po následnej termálnej desorbcii tália z povrchu (po ohreve na teplote ≈ 400◦ C). Skúmané adsorbáty vykazovali známky extrémne vysokej difuzivity a slabej väzby k Si(111)/Tl-(1 × 1). Pasivačná vrstva bola voči ad- sorbátom stabilná. Aplikácia tália ako surfaktantu spôsobovala zníženie teploty a pokrytia potrebného na prípravu rekonštrukcií pozorovaných na povrchoch pripravených priamou depozíciou adsorbátu. 1cs_CZ
dc.description.abstractThe scanning tunneling microscopy is used to study the morphology of Tl adlayer in various stages of Tl desorption from the Si(111) surface and to study behaviour of various adsorbates on the Si(111)/Tl-(1 × 1). The utilization of thallium layer for passivation of the Si(111) was examined closely for various adsorbates. Manganese, aluminium, indium and tin layers which were directly deposited onto the Si(111)-(7 × 7) were compared with the layers prepared by deposition of adsorbate onto the passivating layer after the subsequent thermal desorption of Tl (after annealing at ≈ 400◦ C). Examined adsorbates exhibited signs of extremely high diffusivity and weak bond with the surface Si(111)/Tl- (1 × 1). The passivating layer was stable against the adsorbates.The application of thallium in the role of surfactant caused lowering of temperature and coverage needed for the preparation of reconstructions which were observed on the surfaces prepared by the direct deposition of adsorbate. 1en_US
dc.languageEnglishcs_CZ
dc.language.isoen_US
dc.publisherUniverzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakultacs_CZ
dc.subjectSi(111)en_US
dc.subjectthalliumen_US
dc.subjectpassivationen_US
dc.subjectSi(111)cs_CZ
dc.subjecttáliumcs_CZ
dc.subjectpasivacecs_CZ
dc.titleInteraction of adsorbates with passivated Si surfaces studied by STMen_US
dc.typerigorózní prácecs_CZ
dcterms.created2017
dcterms.dateAccepted2017-03-09
dc.description.departmentKatedra fyziky povrchů a plazmatucs_CZ
dc.description.departmentDepartment of Surface and Plasma Scienceen_US
dc.description.facultyFaculty of Mathematics and Physicsen_US
dc.description.facultyMatematicko-fyzikální fakultacs_CZ
dc.identifier.repId188269
dc.title.translatedStudium interakce adsorbátu s pasivovanými povrchy Si pomocí STMcs_CZ
dc.identifier.aleph002131216
thesis.degree.nameRNDr.
thesis.degree.levelrigorózní řízenícs_CZ
thesis.degree.disciplinePhysics of Surfaces and Ionized Mediaen_US
thesis.degree.disciplineFyzika povrchů a ionizovaných prostředícs_CZ
thesis.degree.programPhysicsen_US
thesis.degree.programFyzikacs_CZ
uk.thesis.typerigorózní prácecs_CZ
uk.taxonomy.organization-csMatematicko-fyzikální fakulta::Katedra fyziky povrchů a plazmatucs_CZ
uk.taxonomy.organization-enFaculty of Mathematics and Physics::Department of Surface and Plasma Scienceen_US
uk.faculty-name.csMatematicko-fyzikální fakultacs_CZ
uk.faculty-name.enFaculty of Mathematics and Physicsen_US
uk.faculty-abbr.csMFFcs_CZ
uk.degree-discipline.csFyzika povrchů a ionizovaných prostředícs_CZ
uk.degree-discipline.enPhysics of Surfaces and Ionized Mediaen_US
uk.degree-program.csFyzikacs_CZ
uk.degree-program.enPhysicsen_US
thesis.grade.csUznánocs_CZ
thesis.grade.enRecognizeden_US
uk.abstract.csSkenovacia tunelová mikroskopia bola použitá na štúdium morfolgie táliovej vrstvy v rôznych štádiách desorbcie Tl z povrchu Si(111) a na štúdium správania sa rôznych adsorbátov na povrchu Si(111)/Tl-(1 × 1). Využitie táliovej vrstvy na pasivásiu povrchu Si(111) bolo bližšie skúmané pre rôzne druhy adsorbátov. Mangánové, hliníkové, indiové a cínové vrstvy, ktoré boli priamo deponované na Si(111)-(7 × 7), boli porovnané s vrstvami pripravenými depozíciou adsorbátu na pasivačnú vrstvu po následnej termálnej desorbcii tália z povrchu (po ohreve na teplote ≈ 400◦ C). Skúmané adsorbáty vykazovali známky extrémne vysokej difuzivity a slabej väzby k Si(111)/Tl-(1 × 1). Pasivačná vrstva bola voči ad- sorbátom stabilná. Aplikácia tália ako surfaktantu spôsobovala zníženie teploty a pokrytia potrebného na prípravu rekonštrukcií pozorovaných na povrchoch pripravených priamou depozíciou adsorbátu. 1cs_CZ
uk.abstract.enThe scanning tunneling microscopy is used to study the morphology of Tl adlayer in various stages of Tl desorption from the Si(111) surface and to study behaviour of various adsorbates on the Si(111)/Tl-(1 × 1). The utilization of thallium layer for passivation of the Si(111) was examined closely for various adsorbates. Manganese, aluminium, indium and tin layers which were directly deposited onto the Si(111)-(7 × 7) were compared with the layers prepared by deposition of adsorbate onto the passivating layer after the subsequent thermal desorption of Tl (after annealing at ≈ 400◦ C). Examined adsorbates exhibited signs of extremely high diffusivity and weak bond with the surface Si(111)/Tl- (1 × 1). The passivating layer was stable against the adsorbates.The application of thallium in the role of surfactant caused lowering of temperature and coverage needed for the preparation of reconstructions which were observed on the surfaces prepared by the direct deposition of adsorbate. 1en_US
uk.file-availabilityV
uk.grantorUniverzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta, Katedra fyziky povrchů a plazmatucs_CZ
thesis.grade.codeU
uk.publication-placePrahacs_CZ
uk.thesis.defenceStatusU
dc.identifier.lisID990021312160106986


Files in this item

Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record


© 2017 Univerzita Karlova, Ústřední knihovna, Ovocný trh 560/5, 116 36 Praha 1; email: admin-repozitar [at] cuni.cz

Za dodržení všech ustanovení autorského zákona jsou zodpovědné jednotlivé složky Univerzity Karlovy. / Each constituent part of Charles University is responsible for adherence to all provisions of the copyright law.

Upozornění / Notice: Získané informace nemohou být použity k výdělečným účelům nebo vydávány za studijní, vědeckou nebo jinou tvůrčí činnost jiné osoby než autora. / Any retrieved information shall not be used for any commercial purposes or claimed as results of studying, scientific or any other creative activities of any person other than the author.

DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
Theme by 
@mire NV