Show simple item record

Vliv hlubokých hladin na transport náboje v CdTe a CdZnTe
dc.contributor.advisorFranc, Jan
dc.creatorDědič, Václav
dc.date.accessioned2018-11-30T13:16:25Z
dc.date.available2018-11-30T13:16:25Z
dc.date.issued2014
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/20.500.11956/72918
dc.description.abstractCdTe and CdZnTe are promising materials for room temperature semiconductor X-ray and gamma ray detectors. The accumulation of a space charge at deep energy levels due to a band bending at contacts with Schottky barriers and due to trapped photogenerated charge may result in time dependent change of charge collection efficiency in CdTe and CdZnTe detectors known as polarization effect. This thesis is mainly focused on a study of electric field profiles in detectors under dark and high photon flux conditions simulating detector operation using crossed polarizers technique exploiting the electro-optic (Pockels) effect. It also deals with a study of deep levels responsible for the polarization and influence of contact metals on charge accumulation. Several experimental results are supported by theoretical simulations. The measurements were performed on three sets of samples equipped with different contact metals (Au, In) cut from three different n-type CdTe and CdZnTe materials. Energy levels were detected using methods based on the Pockels effect and discharge current measurements. Detailed study of internal electric field profiles has revealed a fundamental influence of near midgap energy levels related to crystal defects and contact metals on the polarization in semiconductor detectors under high radiation...en_US
dc.description.abstractCdTe a CdZnTe jsou perspektivní materiály pro detektory Rentgenového a gama záření pracující za pokojové teploty. Akumulace prostorového náboje na hlubokých energetických hladinách způsobená zahnutím pásu u kontaktu s Schottkyho bariérou a zachycením fotogenerovaného náboje může vést k časově závislé změně efektivity sběru náboje v CdTe a CdZnTe detektorech známé jako polarizační jev. Tato práce se zabývá především studiem profilů elektrických polí v detektorech za tmy a za vysokých fotonových toků simulujících provoz detektoru pomocí metody zkřížených polarizátorů využívající elektro-optický (Pockelsův) jev. Dále se práce zabývá studiem hlubokých hladin zodpovědných za polarizaci a vlivem kontaktních kovů na akumulaci náboje. Některé experimentální výsledky jsou podpořeny teoretickými simulacemi. Měření byla provedena na třech sadách vzorků opatřených různými kontaktními kovy (Au, In) připravených ze tří různých n-typových materiálů CdTe a CdZnTe. Energetické hladiny byly detekovány za použití metod založených na Pockelsově jevu a měření vybíjecích proudů. Detailní studium vnitřních elektrických polí ukazuje na zásadní vliv energetických hladin poblíž středu zakázaného pásu souvisejících s krystalovými poruchami a kontaktních kovů na polarizaci v polovodičových detektorech za vysokých toků záření. Powered...cs_CZ
dc.languageEnglishcs_CZ
dc.language.isoen_US
dc.publisherUniverzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakultacs_CZ
dc.subjectCdTeen_US
dc.subjectCdZnTeen_US
dc.subjectsemiconductor X-ray and gamma-ray detectorsen_US
dc.subjectpolarization in detectoren_US
dc.subjectdeep energy levelsen_US
dc.subjectcontact metalsen_US
dc.subjectPockels effecten_US
dc.subjectCdTecs_CZ
dc.subjectCdZnTecs_CZ
dc.subjectpolovodičové detektory Rentgenova a gama zářenícs_CZ
dc.subjectpolarizace v detektorucs_CZ
dc.subjecthluboké energetické hladinycs_CZ
dc.subjectkontaktní kovycs_CZ
dc.subjectPockelsův jevcs_CZ
dc.titleInfluence of Deep Levels on Charge Transport in CdTe and CdZnTeen_US
dc.typedizertační prácecs_CZ
dcterms.created2014
dcterms.dateAccepted2014-06-25
dc.description.departmentFyzikální ústav UKcs_CZ
dc.description.departmentInstitute of Physics of Charles Universityen_US
dc.description.facultyFaculty of Mathematics and Physicsen_US
dc.description.facultyMatematicko-fyzikální fakultacs_CZ
dc.identifier.repId76370
dc.title.translatedVliv hlubokých hladin na transport náboje v CdTe a CdZnTecs_CZ
dc.contributor.refereeOswald, Jiří
dc.contributor.refereeŠtekl, Ivan
dc.identifier.aleph001862551
thesis.degree.namePh.D.
thesis.degree.leveldoktorskécs_CZ
thesis.degree.disciplineKvantová optika a optoelektronikacs_CZ
thesis.degree.disciplineQuantum Optics and Optoelectronicsen_US
thesis.degree.programPhysicsen_US
thesis.degree.programFyzikacs_CZ
uk.faculty-name.csMatematicko-fyzikální fakultacs_CZ
uk.faculty-name.enFaculty of Mathematics and Physicsen_US
uk.faculty-abbr.csMFFcs_CZ
uk.degree-discipline.csKvantová optika a optoelektronikacs_CZ
uk.degree-discipline.enQuantum Optics and Optoelectronicsen_US
uk.degree-program.csFyzikacs_CZ
uk.degree-program.enPhysicsen_US
thesis.grade.csProspěl/acs_CZ
thesis.grade.enPassen_US
uk.abstract.csCdTe a CdZnTe jsou perspektivní materiály pro detektory Rentgenového a gama záření pracující za pokojové teploty. Akumulace prostorového náboje na hlubokých energetických hladinách způsobená zahnutím pásu u kontaktu s Schottkyho bariérou a zachycením fotogenerovaného náboje může vést k časově závislé změně efektivity sběru náboje v CdTe a CdZnTe detektorech známé jako polarizační jev. Tato práce se zabývá především studiem profilů elektrických polí v detektorech za tmy a za vysokých fotonových toků simulujících provoz detektoru pomocí metody zkřížených polarizátorů využívající elektro-optický (Pockelsův) jev. Dále se práce zabývá studiem hlubokých hladin zodpovědných za polarizaci a vlivem kontaktních kovů na akumulaci náboje. Některé experimentální výsledky jsou podpořeny teoretickými simulacemi. Měření byla provedena na třech sadách vzorků opatřených různými kontaktními kovy (Au, In) připravených ze tří různých n-typových materiálů CdTe a CdZnTe. Energetické hladiny byly detekovány za použití metod založených na Pockelsově jevu a měření vybíjecích proudů. Detailní studium vnitřních elektrických polí ukazuje na zásadní vliv energetických hladin poblíž středu zakázaného pásu souvisejících s krystalovými poruchami a kontaktních kovů na polarizaci v polovodičových detektorech za vysokých toků záření. Powered...cs_CZ
uk.abstract.enCdTe and CdZnTe are promising materials for room temperature semiconductor X-ray and gamma ray detectors. The accumulation of a space charge at deep energy levels due to a band bending at contacts with Schottky barriers and due to trapped photogenerated charge may result in time dependent change of charge collection efficiency in CdTe and CdZnTe detectors known as polarization effect. This thesis is mainly focused on a study of electric field profiles in detectors under dark and high photon flux conditions simulating detector operation using crossed polarizers technique exploiting the electro-optic (Pockels) effect. It also deals with a study of deep levels responsible for the polarization and influence of contact metals on charge accumulation. Several experimental results are supported by theoretical simulations. The measurements were performed on three sets of samples equipped with different contact metals (Au, In) cut from three different n-type CdTe and CdZnTe materials. Energy levels were detected using methods based on the Pockels effect and discharge current measurements. Detailed study of internal electric field profiles has revealed a fundamental influence of near midgap energy levels related to crystal defects and contact metals on the polarization in semiconductor detectors under high radiation...en_US
uk.file-availabilityV
uk.publication.placePrahacs_CZ
uk.grantorUniverzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta, Fyzikální ústav UKcs_CZ
thesis.grade.codeP


Files in this item

Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record


© 2017 Univerzita Karlova, Ústřední knihovna, Ovocný trh 3-5, 116 36 Praha; email: admin-repozitar [at] cuni.cz

Za dodržení všech ustanovení autorského zákona jsou zodpovědné jednotlivé složky Univerzity Karlovy. / Each constituent part of Charles University is responsible for adherence to all provisions of the copyright law.

Upozornění / Notice: Získané informace nemohou být použity k výdělečným účelům nebo vydávány za studijní, vědeckou nebo jinou tvůrčí činnost jiné osoby než autora. / Any retrieved information shall not be used for any commercial purposes or claimed as results of studying, scientific or any other creative activities of any person other than the author.

DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
Theme by 
@mire NV