Studium elektrického pole v detektorech záření pomocí Pockelsova jevu

Abstract

Studium elektrického pole v detektorech záření pomocí Pockelsova jevu (Diplomová práce) by Michael Hakl Abstract Kadmium telurid (CdTe) se zdá být vhodným kandidátem pro de- tekci rentgenového a gamma záření za pokojové teploty díky gapové energii 1.5 eV a vysokému atomovému číslu. CdTe ve své podstatě představuje Pockelsovu celu, neboť vykazuje vysoký elektro-optický koeficient. Propustnost krystalu je modulována vnitřním elektrickým polem. Zpracováním obrázků pořízených IČ kamerou získáme profily elektrického pole rozprostřeného mezi elektrodami. Pole ve vysokood- porovém CdTe je ovlivněno pastmi položenými hluboko v zakázaném pásu, jež způsobují hromadění náboje v blízkosti elektrod. Obsazení těchto pastí je závislé na rozhraní mezi kovem a polovodičem. Vz- tah mezi polarizací detektoru a zahnutím pásu byl podroben studiu pro zlatý a indiový kontakt. Byla pozorována repolarizace resp. de- polarizace pole po osvětlení podgapovým a nadgapovým excitačním laserem. Tento efekt byl využit pro stanovení energie hluboké hladiny. Výsledky z měření Pockelsovou metodou byly porovnány se spektry z luminiscenční spektroskopie, kde se zjistila korelace mezi přítomností hlubokých pastí a bodových defektů na povrchu. Klíčová slova: CdTe detektor, Pockelsův elektro-optický jev, elek- trické pole, hluboké hladiny,...

Study of electric field in radiation detectors by Pockels effect (Master Thesis) by Michael Hakl Abstract Cadmium Telluride (CdTe) is a convenient candidate for room tem- perature detection of X-ray and gama radiation due to 1.5 eV band- gap energy and high atomic mass. Since CdTe has the highest linear electro-optical coefficient among II-VI compounds, the detector rep- resents a Pockels cell. Transmittance of the crystal is modulated by the internal electric field. Processing of infrared camera photographs results in an electric field profile between biasing electrodes. The elec- tric field in semi-insulting CdTe is influenced with deep level traps causing charge polarization under the electrodes. Occupation of traps is dependent on metal-semiconductor interface. Relation of charge accumulation and band bending for gold and indium contacts was studied. Repolarization/depolarization induced by additional illumi- nation with sub/above bandgap excitation laser was observed and ex- ploited for determination of the deep level energy. Results obtained by the Pockels-effect method were supported with luminescence measure- ments. Correlation between the occurrence of deep levels and surface point defects was discovered. Keywords: Pockels electro-optical effect, Cadmium Telluride ra- diation detector, Electric field, Schottky...