Show simple item record

Laser spectroscopy of semiconductor quantum dots
dc.creatorPokorný, Martin
dc.date.accessioned2021-05-24T12:46:16Z
dc.date.available2021-05-24T12:46:16Z
dc.date.issued2014
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/20.500.11956/67425
dc.description.abstractPráce je zaměřena na zkoumání fotoluminiscenčních vlastností InAs kvantových bodů na GaAs substrátu překrytých GaAs1-xSbx krycí vrstvou připravených Stranski-Krastanowovou metodou. Měřili jsme doby doznívání luminiscence dvou vzorků s různou koncentrací Sb v této vrstvě. Zkoumali jsme vliv teploty, intenzity a vlnové délky excitačního pulzu na intenzitu a dobu doznívání luminiscence. Porovnali jsme vlastnosti vzorku po excitaci 760 nm pulzem a 850 nm - v prvním případě byla energie excitačních fotonů větší, než šířka zakázaného pásu substrátu; při větší excitační vlnové délce jsme excitovali pouze kvantové tečky a smáčecí vrstvu. Z těchto vlastností dále odvozujeme rekombinační a relaxační procesy v InAs kvantových tečkách a transport nosičů náboje ze substrátu i smáčecí vrstvy do nich. Součástí práce bylo seznámení se s metodami měření ultrarychlé fotoluminiscence a sestavení experimentálního uspořádání.cs_CZ
dc.description.abstractThis work is focused on examining photoluminescent properties of InAs quantum dots (QDs) on GaAs substrate covered by GaAs1-xSbx strain reducing capping layer (SRL) prepared by Stranski-Krastanow method. We measured luminescence decay time of two samples with different concentration of Sb in this layer. We investigated the influence of temperature, intensity and wavelength of the excitation pulse on the luminescent decay time. We also compared the properties of the samples after excitation by 760 nm pulse and 850 nm pulse - the former one is energetically above the substrate band gap; in the second case we excited only the QDs and the wetting layer (WL). We consequently derived recombination and relaxation processes occurring inside InAs QDs and also the transport of charge carriers from the substrate and the WL into QDs. One part of this diploma thesis was to learn about the methods of measuring ultrafast photoluminescence and build the experimental set-up.en_US
dc.languageČeštinacs_CZ
dc.language.isocs_CZ
dc.publisherUniverzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakultacs_CZ
dc.subjectquantum dotsen_US
dc.subjectupconversionen_US
dc.subjectluminescenceen_US
dc.subjectkvantové bodycs_CZ
dc.subjectupkonverzecs_CZ
dc.subjectluminiscencecs_CZ
dc.titleLaserová spektroskopie polovodičových kvantových bodůcs_CZ
dc.typerigorózní prácecs_CZ
dcterms.created2014
dcterms.dateAccepted2014-06-25
dc.description.departmentFyzikální ústav UKcs_CZ
dc.description.departmentInstitute of Physics of Charles Universityen_US
dc.description.facultyFaculty of Mathematics and Physicsen_US
dc.description.facultyMatematicko-fyzikální fakultacs_CZ
dc.identifier.repId152096
dc.title.translatedLaser spectroscopy of semiconductor quantum dotsen_US
dc.identifier.aleph001785934
thesis.degree.nameRNDr.
thesis.degree.levelrigorózní řízenícs_CZ
thesis.degree.disciplineOptika a optoelektronikacs_CZ
thesis.degree.disciplineOptics and optoelectronicsen_US
thesis.degree.programPhysicsen_US
thesis.degree.programFyzikacs_CZ
uk.thesis.typerigorózní prácecs_CZ
uk.taxonomy.organization-csMatematicko-fyzikální fakulta::Fyzikální ústav UKcs_CZ
uk.taxonomy.organization-enFaculty of Mathematics and Physics::Institute of Physics of Charles Universityen_US
uk.faculty-name.csMatematicko-fyzikální fakultacs_CZ
uk.faculty-name.enFaculty of Mathematics and Physicsen_US
uk.faculty-abbr.csMFFcs_CZ
uk.degree-discipline.csOptika a optoelektronikacs_CZ
uk.degree-discipline.enOptics and optoelectronicsen_US
uk.degree-program.csFyzikacs_CZ
uk.degree-program.enPhysicsen_US
thesis.grade.csUznánocs_CZ
thesis.grade.enRecognizeden_US
uk.abstract.csPráce je zaměřena na zkoumání fotoluminiscenčních vlastností InAs kvantových bodů na GaAs substrátu překrytých GaAs1-xSbx krycí vrstvou připravených Stranski-Krastanowovou metodou. Měřili jsme doby doznívání luminiscence dvou vzorků s různou koncentrací Sb v této vrstvě. Zkoumali jsme vliv teploty, intenzity a vlnové délky excitačního pulzu na intenzitu a dobu doznívání luminiscence. Porovnali jsme vlastnosti vzorku po excitaci 760 nm pulzem a 850 nm - v prvním případě byla energie excitačních fotonů větší, než šířka zakázaného pásu substrátu; při větší excitační vlnové délce jsme excitovali pouze kvantové tečky a smáčecí vrstvu. Z těchto vlastností dále odvozujeme rekombinační a relaxační procesy v InAs kvantových tečkách a transport nosičů náboje ze substrátu i smáčecí vrstvy do nich. Součástí práce bylo seznámení se s metodami měření ultrarychlé fotoluminiscence a sestavení experimentálního uspořádání.cs_CZ
uk.abstract.enThis work is focused on examining photoluminescent properties of InAs quantum dots (QDs) on GaAs substrate covered by GaAs1-xSbx strain reducing capping layer (SRL) prepared by Stranski-Krastanow method. We measured luminescence decay time of two samples with different concentration of Sb in this layer. We investigated the influence of temperature, intensity and wavelength of the excitation pulse on the luminescent decay time. We also compared the properties of the samples after excitation by 760 nm pulse and 850 nm pulse - the former one is energetically above the substrate band gap; in the second case we excited only the QDs and the wetting layer (WL). We consequently derived recombination and relaxation processes occurring inside InAs QDs and also the transport of charge carriers from the substrate and the WL into QDs. One part of this diploma thesis was to learn about the methods of measuring ultrafast photoluminescence and build the experimental set-up.en_US
uk.file-availabilityV
uk.grantorUniverzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta, Fyzikální ústav UKcs_CZ
thesis.grade.codeU
uk.publication-placePrahacs_CZ
uk.thesis.defenceStatusU
dc.identifier.lisID990017859340106986


Files in this item

Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record


© 2017 Univerzita Karlova, Ústřední knihovna, Ovocný trh 560/5, 116 36 Praha 1; email: admin-repozitar [at] cuni.cz

Za dodržení všech ustanovení autorského zákona jsou zodpovědné jednotlivé složky Univerzity Karlovy. / Each constituent part of Charles University is responsible for adherence to all provisions of the copyright law.

Upozornění / Notice: Získané informace nemohou být použity k výdělečným účelům nebo vydávány za studijní, vědeckou nebo jinou tvůrčí činnost jiné osoby než autora. / Any retrieved information shall not be used for any commercial purposes or claimed as results of studying, scientific or any other creative activities of any person other than the author.

DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
Theme by 
@mire NV