Show simple item record

Gamma and X- ray CdTe/CdZnTe detectors
dc.contributor.advisorBelas, Eduard
dc.creatorPekárek, Jakub
dc.date.accessioned2021-03-23T20:58:04Z
dc.date.available2021-03-23T20:58:04Z
dc.date.issued2013
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/20.500.11956/58594
dc.description.abstractV předložené práci byl studován vliv různých typů leptání povrchu a pasivace povrchu vysokoodporového polovodiče CdZnTe, za účelem nalezení optimálních podmínek ke zlepšení vlastností kontaktu kov-polovodič. Hlavní snahou bylo snížit hodnotu svodového proudu a tím získat lepší rentgenové a gama spektra, neboli vytvořit detektor fungující za pokojové teploty na bázi tohoto polovodiče s dostačujícím energetickým rozlišením a co největší účinností sběru náboje. Jednotlivé povrchové úpravy byly charakterizovány pomocí volt-ampérové charakteristiky, spektrální analýzy a určením profilu vnitřního elektrického pole.cs_CZ
dc.description.abstractIn the present work we studied an influence of different types of surface etching and surface passivation of high resistivity CdZnTe-based semiconductor detector material. The aim was to find the optimal conditions to improve the properties of metal-semiconductor contact. The main effort was to reduce the leakage current and thus get better X-ray and gamma-ray spectrum, ie to create a detector operating at room temperature based on this semiconductor material with sufficient energy resolution and the maximum charge collection efficiency. Individual surface treatments were characterized by volt-ampere characteristics, spectral analysis and by determination of the profile of the internal electric field.en_US
dc.languageČeštinacs_CZ
dc.language.isocs_CZ
dc.publisherUniverzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakultacs_CZ
dc.subjectCdTecs_CZ
dc.subjectCdZnTecs_CZ
dc.subjectdetektorycs_CZ
dc.subjectgama zářenícs_CZ
dc.subjectCdTeen_US
dc.subjectCdZnTeen_US
dc.subjectdetectorsen_US
dc.subjectgama and X-ray radiationen_US
dc.titleDetektory RTG a gama záření na bázi polovodiče CdTe/CdZnTecs_CZ
dc.typediplomová prácecs_CZ
dcterms.created2013
dcterms.dateAccepted2013-09-19
dc.description.departmentInstitute of Physics of Charles Universityen_US
dc.description.departmentFyzikální ústav UKcs_CZ
dc.description.facultyFaculty of Mathematics and Physicsen_US
dc.description.facultyMatematicko-fyzikální fakultacs_CZ
dc.identifier.repId47588
dc.title.translatedGamma and X- ray CdTe/CdZnTe detectorsen_US
dc.contributor.refereeDoležal, Zdeněk
dc.identifier.aleph001626508
thesis.degree.nameMgr.
thesis.degree.levelnavazující magisterskécs_CZ
thesis.degree.disciplineOptics and Optoelectronicsen_US
thesis.degree.disciplineOptika a optoelektronikacs_CZ
thesis.degree.programPhysicsen_US
thesis.degree.programFyzikacs_CZ
uk.thesis.typediplomová prácecs_CZ
uk.taxonomy.organization-csMatematicko-fyzikální fakulta::Fyzikální ústav UKcs_CZ
uk.taxonomy.organization-enFaculty of Mathematics and Physics::Institute of Physics of Charles Universityen_US
uk.faculty-name.csMatematicko-fyzikální fakultacs_CZ
uk.faculty-name.enFaculty of Mathematics and Physicsen_US
uk.faculty-abbr.csMFFcs_CZ
uk.degree-discipline.csOptika a optoelektronikacs_CZ
uk.degree-discipline.enOptics and Optoelectronicsen_US
uk.degree-program.csFyzikacs_CZ
uk.degree-program.enPhysicsen_US
thesis.grade.csVýborněcs_CZ
thesis.grade.enExcellenten_US
uk.abstract.csV předložené práci byl studován vliv různých typů leptání povrchu a pasivace povrchu vysokoodporového polovodiče CdZnTe, za účelem nalezení optimálních podmínek ke zlepšení vlastností kontaktu kov-polovodič. Hlavní snahou bylo snížit hodnotu svodového proudu a tím získat lepší rentgenové a gama spektra, neboli vytvořit detektor fungující za pokojové teploty na bázi tohoto polovodiče s dostačujícím energetickým rozlišením a co největší účinností sběru náboje. Jednotlivé povrchové úpravy byly charakterizovány pomocí volt-ampérové charakteristiky, spektrální analýzy a určením profilu vnitřního elektrického pole.cs_CZ
uk.abstract.enIn the present work we studied an influence of different types of surface etching and surface passivation of high resistivity CdZnTe-based semiconductor detector material. The aim was to find the optimal conditions to improve the properties of metal-semiconductor contact. The main effort was to reduce the leakage current and thus get better X-ray and gamma-ray spectrum, ie to create a detector operating at room temperature based on this semiconductor material with sufficient energy resolution and the maximum charge collection efficiency. Individual surface treatments were characterized by volt-ampere characteristics, spectral analysis and by determination of the profile of the internal electric field.en_US
uk.file-availabilityV
uk.grantorUniverzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta, Fyzikální ústav UKcs_CZ
thesis.grade.code1
dc.contributor.consultantGrill, Roman
uk.publication-placePrahacs_CZ
uk.thesis.defenceStatusO
dc.identifier.lisID990016265080106986


Files in this item

Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record


© 2017 Univerzita Karlova, Ústřední knihovna, Ovocný trh 560/5, 116 36 Praha 1; email: admin-repozitar [at] cuni.cz

Za dodržení všech ustanovení autorského zákona jsou zodpovědné jednotlivé složky Univerzity Karlovy. / Each constituent part of Charles University is responsible for adherence to all provisions of the copyright law.

Upozornění / Notice: Získané informace nemohou být použity k výdělečným účelům nebo vydávány za studijní, vědeckou nebo jinou tvůrčí činnost jiné osoby než autora. / Any retrieved information shall not be used for any commercial purposes or claimed as results of studying, scientific or any other creative activities of any person other than the author.

DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
Theme by 
@mire NV