Show simple item record

Adsorption and mobility of Al adatoms on Si(100) surface
dc.contributor.advisorOšťádal, Ivan
dc.creatorMajer, Karel
dc.date.accessioned2017-05-15T14:56:24Z
dc.date.available2017-05-15T14:56:24Z
dc.date.issued2013
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/20.500.11956/52079
dc.description.abstractTématem práce je r st hliníkových útvar jednorozm rných etízk na povrchu Si(100). Pomocí STM byly zm eny r stové charakteristiky Al na Si(100) p i pokojové a vy í teplot a r zných hodnotách pokrytí. Výsledky jsou diskutovány v kontextu p edchozích experiment a je navr en zp sob ur ení aktiva ní energie povrchové migrace. D le itou ást práce tvo í p íprava a testování nové nízkoteplotní UHV aparatury pro m ení pomocí STM. Jsou popsány funkce aparatury. V dosud neznámých podmínkách byl nalezen postup p ípravy istého povrchu Si(100) a metody dosa ení atomárního rozli ení p i STM experimentu. Je popsán test sm rových vypa ovadel pro Al a Sn. Depozice Al na nové aparatu e dosud nebyla úsp ná. Depozice Sn prob hla správn a byly zobrazeny struktury Sn na Si(100) p i nízké teplot . Ty se li í od struktur pozorovaných p i pokojové teplot a byla v nich objevena kolena dosud pozorovaná výhradn u Al.cs_CZ
dc.description.abstractThe subject of the thesis is growth of aluminium structures one-dimensional chains on Si(100) surface. Growth characteristics of Al on Si(100) at room temperature and at higher temperature and various coverages were measured using STM. The results are discussed with respect to previous experiments and a way to find the value of activation energy of surface migration is proposed. An important part of the thesis is preparation and tests of a new low-temperature UHV apparatus for STM experiments. Functions of the apparatus are described. A way to prepare clean Si(100) surface as well as the methods of achieving atomic-scale resolution in STM were found in conditions previously unknown. A test of evaporators for Al and Sn is described. Al deposition has not been successful in the new apparatus yet. Sn deposition has been successful and low-temperature structures of tin on Si(100) were observed. They differ from room-temperature structures and contain kinks which were previously observed only in Al structures.en_US
dc.languageČeštinacs_CZ
dc.language.isocs_CZ
dc.publisherUniverzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakultacs_CZ
dc.subjectSTMcs_CZ
dc.subjecthliníkcs_CZ
dc.subjectcíncs_CZ
dc.subjectSi(100)cs_CZ
dc.subjectrůstcs_CZ
dc.subjectSTMen_US
dc.subjectaluminiumen_US
dc.subjecttinen_US
dc.subjectSi(100)en_US
dc.subjectgrowthen_US
dc.titleStudium adsorpce a mobility atomů Al na povrchu Si(100)cs_CZ
dc.typediplomová prácecs_CZ
dcterms.created2013
dcterms.dateAccepted2013-09-18
dc.description.departmentDepartment of Surface and Plasma Scienceen_US
dc.description.departmentKatedra fyziky povrchů a plazmatucs_CZ
dc.description.facultyFaculty of Mathematics and Physicsen_US
dc.description.facultyMatematicko-fyzikální fakultacs_CZ
dc.identifier.repId110862
dc.title.translatedAdsorption and mobility of Al adatoms on Si(100) surfaceen_US
dc.contributor.refereeMysliveček, Josef
dc.identifier.aleph001625907
thesis.degree.nameMgr.
thesis.degree.levelnavazující magisterskécs_CZ
thesis.degree.disciplinePhysics of Surfaces and Ionized Mediaen_US
thesis.degree.disciplineFyzika povrchů a ionizovaných prostředícs_CZ
thesis.degree.programFyzikacs_CZ
thesis.degree.programPhysicsen_US
uk.faculty-name.csMatematicko-fyzikální fakultacs_CZ
uk.faculty-name.enFaculty of Mathematics and Physicsen_US
uk.faculty-abbr.csMFFcs_CZ
uk.degree-discipline.csFyzika povrchů a ionizovaných prostředícs_CZ
uk.degree-discipline.enPhysics of Surfaces and Ionized Mediaen_US
uk.degree-program.csFyzikacs_CZ
uk.degree-program.enPhysicsen_US
thesis.grade.csVýborněcs_CZ
thesis.grade.enExcellenten_US
uk.abstract.csTématem práce je r st hliníkových útvar jednorozm rných etízk na povrchu Si(100). Pomocí STM byly zm eny r stové charakteristiky Al na Si(100) p i pokojové a vy í teplot a r zných hodnotách pokrytí. Výsledky jsou diskutovány v kontextu p edchozích experiment a je navr en zp sob ur ení aktiva ní energie povrchové migrace. D le itou ást práce tvo í p íprava a testování nové nízkoteplotní UHV aparatury pro m ení pomocí STM. Jsou popsány funkce aparatury. V dosud neznámých podmínkách byl nalezen postup p ípravy istého povrchu Si(100) a metody dosa ení atomárního rozli ení p i STM experimentu. Je popsán test sm rových vypa ovadel pro Al a Sn. Depozice Al na nové aparatu e dosud nebyla úsp ná. Depozice Sn prob hla správn a byly zobrazeny struktury Sn na Si(100) p i nízké teplot . Ty se li í od struktur pozorovaných p i pokojové teplot a byla v nich objevena kolena dosud pozorovaná výhradn u Al.cs_CZ
uk.abstract.enThe subject of the thesis is growth of aluminium structures one-dimensional chains on Si(100) surface. Growth characteristics of Al on Si(100) at room temperature and at higher temperature and various coverages were measured using STM. The results are discussed with respect to previous experiments and a way to find the value of activation energy of surface migration is proposed. An important part of the thesis is preparation and tests of a new low-temperature UHV apparatus for STM experiments. Functions of the apparatus are described. A way to prepare clean Si(100) surface as well as the methods of achieving atomic-scale resolution in STM were found in conditions previously unknown. A test of evaporators for Al and Sn is described. Al deposition has not been successful in the new apparatus yet. Sn deposition has been successful and low-temperature structures of tin on Si(100) were observed. They differ from room-temperature structures and contain kinks which were previously observed only in Al structures.en_US
uk.file-availabilityV
uk.publication-placePrahacs_CZ
uk.grantorUniverzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta, Katedra fyziky povrchů a plazmatucs_CZ


Files in this item

Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record


© 2017 Univerzita Karlova, Ústřední knihovna, Ovocný trh 3-5, 116 36 Praha; email: dspace (at) is.cuni.cz

Za dodržení všech ustanovení autorského zákona jsou zodpovědné jednotlivé složky Univerzity Karlovy. / Each constituent part of Charles University is responsible for adherence to all provisions of the copyright law.

Upozornění / Notice: Získané informace nemohou být použity k výdělečným účelům nebo vydávány za studijní, vědeckou nebo jinou tvůrčí činnost jiné osoby než autora. / Any retrieved information shall not be used for any commercial purposes or claimed as results of studying, scientific or any other creative activities of any person other than the author.

DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
Theme by 
@mire NV