Show simple item record

Časově rozlišené měření optického zisku křemíkových nanostruktur
dc.creatorOndič, Lukáš
dc.date.accessioned2017-05-08T02:34:54Z
dc.date.available2017-05-08T02:34:54Z
dc.date.issued2011
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/20.500.11956/47379
dc.description.abstract3 Název práce: Časově rozlišené měření optického zisku křemíkových nanostruktur Autor: Bc. Lukáš Ondič Katedra: Katedra chemické fyziky a optiky Vedoucí diplomové práce: Prof. RNDr. Ivan Pelant, DrSc., Fyzikální ústav AVČR, Praha e-mail vedoucího: pelant@fzu.cz Abstrakt: Cílem této diplomové práce je studium optických vlastností materiálu připraveného z křemíkových nanokrystalů (Si-ncs) v SiO2 matrici. Námi použitá metoda přípravy (elektrochemické leptání a doleptávaní v H2O2) umožňuje výrobu Si-ncs se středním průměrem 2-3 nm zabudovaných do matrice SiO2 ve vysokých koncentracích ∼ 1019 Si-ncs/cm3 . Zaměřili jsme se na studium jejich fotoluminis- cenčních (PL) vlastností a na měření koeficientu optického zisku. Časově rozlíšená PL emisní spektra odhalila existenci dvou emisních komponent - "rychlé" komponenty (∼ 435 nm) s dohasínáním na nanosekundové časové škále a "pomalé" komponenty (∼ 600 − 620 nm) s µs časem doznívaní. Navíc jsme pozorovali "zelený" emisní pás (∼ 500 nm), a to jen v krátkém detekčním okně v průbehu pulzní excitace a krátce po ní. Pro časově rozlišené měření optického zisku jsme použili techniku Vari- able Stripe Length (VSL) v kombinaci s technikou Shifting Excitation Spot (SES),...cs_CZ
dc.description.abstract2 Title: Time-resolved measurement of optical gain in silicon based nanostructures Author: Bc. Lukáš Ondič Department: Department of Chemical Physics and Optics Supervisor: Prof. RNDr. Ivan Pelant, DrSc., Institute of Physics, Academy of Sci- ences of the Czech Republic Supervisor's email address: pelant@fzu.cz Abstract: The aim of this work is to study the optical properties of the mate- rial based on oxidized silicon nanocrystals (Si-ncs) embedded at high densities in SiO2-based matrix. These materials seem to be very promising on the way towards silicon laser. Using our preparation technique - modified electrochemical etching and post-etching in H2O2 - we obtain small Si-ncs with the mean core size of 2-3 nm, in- corporated at high densities of ∼ 1019 Si-ncs/cm3 into an SiO2-based matrix. In this work, we focused on studying their photoluminiscence (PL) properties and measuring the net optical gain of these samples. Therefore, we investigated their time-resolved and steady-state PL emission spectra which revealed two emission bands - the F-band (∼ 435 nm) with ns decay-time and the S-band (∼ 600 − 620 nm) with µs decay- time. Moreover, we observed a "green" emission band (∼ 500 nm) present only during the pulsed excitation and immediately after. We performed time-resolved gain spec- troscopy using...en_US
dc.languageEnglishcs_CZ
dc.language.isoen_US
dc.publisherUniverzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakultacs_CZ
dc.subjectkřemíkové nanokrystalycs_CZ
dc.subjectoptický ziskcs_CZ
dc.subjectfotoluminiscencecs_CZ
dc.subjectsilicon nanocrystalsen_US
dc.subjectoptical gainen_US
dc.subjectphotoluminiscenceen_US
dc.titleTime-resolved measurement of optical gain in silicon based nanostructuresen_US
dc.typerigorózní prácecs_CZ
dcterms.created2011
dcterms.dateAccepted2011-11-30
dc.description.departmentInstitute of Physics of Charles Universityen_US
dc.description.departmentFyzikální ústav UKcs_CZ
dc.description.facultyFaculty of Mathematics and Physicsen_US
dc.description.facultyMatematicko-fyzikální fakultacs_CZ
dc.identifier.repId117234
dc.title.translatedČasově rozlišené měření optického zisku křemíkových nanostrukturcs_CZ
dc.identifier.aleph001403711
thesis.degree.nameRNDr.
thesis.degree.levelrigorózní řízenícs_CZ
thesis.degree.disciplineOptics and optoelectronicsen_US
thesis.degree.disciplineOptika a optoelektronikacs_CZ
thesis.degree.programPhysicsen_US
thesis.degree.programFyzikacs_CZ
uk.faculty-name.csMatematicko-fyzikální fakultacs_CZ
uk.faculty-name.enFaculty of Mathematics and Physicsen_US
uk.faculty-abbr.csMFFcs_CZ
uk.degree-discipline.csOptika a optoelektronikacs_CZ
uk.degree-discipline.enOptics and optoelectronicsen_US
uk.degree-program.csFyzikacs_CZ
uk.degree-program.enPhysicsen_US
thesis.grade.csProspělcs_CZ
thesis.grade.enPassen_US
uk.abstract.cs3 Název práce: Časově rozlišené měření optického zisku křemíkových nanostruktur Autor: Bc. Lukáš Ondič Katedra: Katedra chemické fyziky a optiky Vedoucí diplomové práce: Prof. RNDr. Ivan Pelant, DrSc., Fyzikální ústav AVČR, Praha e-mail vedoucího: pelant@fzu.cz Abstrakt: Cílem této diplomové práce je studium optických vlastností materiálu připraveného z křemíkových nanokrystalů (Si-ncs) v SiO2 matrici. Námi použitá metoda přípravy (elektrochemické leptání a doleptávaní v H2O2) umožňuje výrobu Si-ncs se středním průměrem 2-3 nm zabudovaných do matrice SiO2 ve vysokých koncentracích ∼ 1019 Si-ncs/cm3 . Zaměřili jsme se na studium jejich fotoluminis- cenčních (PL) vlastností a na měření koeficientu optického zisku. Časově rozlíšená PL emisní spektra odhalila existenci dvou emisních komponent - "rychlé" komponenty (∼ 435 nm) s dohasínáním na nanosekundové časové škále a "pomalé" komponenty (∼ 600 − 620 nm) s µs časem doznívaní. Navíc jsme pozorovali "zelený" emisní pás (∼ 500 nm), a to jen v krátkém detekčním okně v průbehu pulzní excitace a krátce po ní. Pro časově rozlišené měření optického zisku jsme použili techniku Vari- able Stripe Length (VSL) v kombinaci s technikou Shifting Excitation Spot (SES),...cs_CZ
uk.abstract.en2 Title: Time-resolved measurement of optical gain in silicon based nanostructures Author: Bc. Lukáš Ondič Department: Department of Chemical Physics and Optics Supervisor: Prof. RNDr. Ivan Pelant, DrSc., Institute of Physics, Academy of Sci- ences of the Czech Republic Supervisor's email address: pelant@fzu.cz Abstract: The aim of this work is to study the optical properties of the mate- rial based on oxidized silicon nanocrystals (Si-ncs) embedded at high densities in SiO2-based matrix. These materials seem to be very promising on the way towards silicon laser. Using our preparation technique - modified electrochemical etching and post-etching in H2O2 - we obtain small Si-ncs with the mean core size of 2-3 nm, in- corporated at high densities of ∼ 1019 Si-ncs/cm3 into an SiO2-based matrix. In this work, we focused on studying their photoluminiscence (PL) properties and measuring the net optical gain of these samples. Therefore, we investigated their time-resolved and steady-state PL emission spectra which revealed two emission bands - the F-band (∼ 435 nm) with ns decay-time and the S-band (∼ 600 − 620 nm) with µs decay- time. Moreover, we observed a "green" emission band (∼ 500 nm) present only during the pulsed excitation and immediately after. We performed time-resolved gain spec- troscopy using...en_US
uk.publication-placePrahacs_CZ
uk.grantorUniverzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta, Fyzikální ústav UKcs_CZ


Files in this item

Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record


© 2017 Univerzita Karlova, Ústřední knihovna, Ovocný trh 3-5, 116 36 Praha; email: dspace (at) is.cuni.cz

Za dodržení všech ustanovení autorského zákona jsou zodpovědné jednotlivé složky Univerzity Karlovy. / Each constituent part of Charles University is responsible for adherence to all provisions of the copyright law.

Upozornění / Notice: Získané informace nemohou být použity k výdělečným účelům nebo vydávány za studijní, vědeckou nebo jinou tvůrčí činnost jiné osoby než autora. / Any retrieved information shall not be used for any commercial purposes or claimed as results of studying, scientific or any other creative activities of any person other than the author.

DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
Theme by 
@mire NV