Studium adsorpce kovů na Si(100)2×1 pomocí STM při nízkých teplotách

Abstract

Práce se zabývá přípravou UHV aparatury umožňující měření skenovacím tunelovým mikroskopem při nízkých teplotách a studiem jednorozměrných hliníkových struktur na povrchu Si(100)2 × 1. Byla provedena kalibrační měření depoz- iční rychlosti Al z připraveného vypařovadla, teploty křemíkového substrátu při žíhání a pr·běhu teploty chladicího výměníku kryopanelu při chlazení ka- palným dusíkem. Bylo provedeno měření pomocí STM při teplotě 60řC a po- zorovány hliníkové řetízky na křemíkovém povrchu. Byly vyhodnoceny jejich délky a tvary a vytvořena rozdělení délek řetízk· při r·zných teplotách vy- cházející z dřívějších měření. Pozorovaná rozdělení byla uvedena do souvislosti s probíhajícími fyzikálními ději. 1

The thesis covers the preparation of a UHV system enabling low-temperature measurements by scanning tunneling microscope and the study of one-dimensional aluminium structures on the Si(100)2 × 1 surface. Calibration measurements of deposition rate of Al from an evaporator, temperature of the silicon substrate during annealing and temperature of a cooling device during cooling have been carried out. A STM measurement has been carried out at the temperature of 60řC and aluminium chains on the silicon surface have been observed. Their lengths and forms have been analyzed and length distributions at various tem- perature have been created by using previously obtained data. The observed distributions have been discussed concerning the underlying physical processes. 1