Show simple item record

Novel thin scintillation films for 2D imaging screens
dc.contributor.advisorKučera, Miroslav
dc.creatorHanuš, Martin
dc.date.accessioned2017-04-18T12:41:35Z
dc.date.available2017-04-18T12:41:35Z
dc.date.issued2009
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/20.500.11956/21092
dc.description.abstractV této práci jsme se zaměřili na zkoumání vlastností scintilačních vrstev cerem dotovaných granátů (CexLu3-xAl5O12, CexY3-xAl5O12) připravených metodou izotermální kapalné epitaxe. Tento scintilační materiál se vyznačuje rychlou časovou odezvou, vysokou kvantovou účinností a velkou chemickou i mechanickou odolností, jež jej činí ideálním pro zařízení pro 2D zobrazení. Konkrétně jsme měřili absorpci, excitační a emisní spektra, kinetiku luminiscence a strukturní vlastnosti. Cílem bylo porovnat vlastnosti připravených vrstev s vlastnostmi monokrystalů připravených Czochralského metodou. Snahou bylo určení vlivu složení taveniny a technologických parametrů na měřené vlastnosti. Dále pak také stanovení optimálního množství ceru ve vrstvě. Byla použita tavidla PbO - B2O3 a tavidla BaO - BaF2 - B2O3. Tyto umožňují růst granátových vrstev již při teplotách okolo 1000řC. Ve výsledku pak mají vrstvy méně intrinsických defektů krystalové mříže oproti monokrystalu připravenému Czochralského metodou (cca 1900řC). Námi pěstované vrstvy o tloušťce 1 až 30 mm obsahují vyšší koncentraci ceru oproti monokrystalu. Vzhledem k vyššímu obsahu dalších příměsí ve vrstvách pří použití tavidla PbO - B2O3 bylo pěstováno také z tavidla BaO - BaF2 - B2O3, které ve vrstvách nezanechává tolik příměsí.cs_CZ
dc.description.abstractIn this work we studied properties of Ce doped garnet scintillator layers (CexLu3-xAl5O12, CexY3-xAl5O12). They were prepared by liquid phase epitaxy. Studied materials show fast response, high quantum efficiency and good chemical and mechanical stability. Thus they are ideal for use in devices for 2D imaging. We measured absorption, excitation and emission spectra and kinetics of luminescence. Aim was to compare properties of grown layers with properties of single crystals grown by Czochralski method. We looked for the impact of melt compounds to measured layer properties. We also tried to determine optimal amount of Ce in layer. We used flux PbO - B2O3 and flux BaO - BaF2 - B2O3. In those fluxes we succeeded to grow garnet layers at temperatures as low as 1000řC. This lead to less intrinsic defects in crystalic lattice of layer in comparison to single crystals grown by Czochralski method (1900řC). Our layers were from 1 to 30 mm thick with higher concentration of Ce than singlecrystal. Due to higher concentration of impurities in layers grown from PbO - B2O3 flux we grown layers from BaO - BaF2 - B2O3 flux too. Flux BaO - BaF2 - B2O3 leaves less impurities in layers.en_US
dc.languageČeštinacs_CZ
dc.language.isocs_CZ
dc.publisherUniverzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakultacs_CZ
dc.titleTenké scintilační vrstvy pro 2D zobrazenícs_CZ
dc.typediplomová prácecs_CZ
dcterms.created2009
dcterms.dateAccepted2009-05-12
dc.description.departmentInstitute of Physics of Charles Universityen_US
dc.description.departmentFyzikální ústav UKcs_CZ
dc.description.facultyFaculty of Mathematics and Physicsen_US
dc.description.facultyMatematicko-fyzikální fakultacs_CZ
dc.identifier.repId47688
dc.title.translatedNovel thin scintillation films for 2D imaging screensen_US
dc.contributor.refereeMareš, Jiří A.
dc.identifier.aleph001118110
thesis.degree.nameMgr.
thesis.degree.levelnavazující magisterskécs_CZ
thesis.degree.disciplineOptika a optoelektronikacs_CZ
thesis.degree.disciplineOptics and Optoelectronicsen_US
thesis.degree.programFyzikacs_CZ
thesis.degree.programPhysicsen_US
uk.faculty-name.csMatematicko-fyzikální fakultacs_CZ
uk.faculty-name.enFaculty of Mathematics and Physicsen_US
uk.faculty-abbr.csMFFcs_CZ
uk.degree-discipline.csOptika a optoelektronikacs_CZ
uk.degree-discipline.enOptics and Optoelectronicsen_US
uk.degree-program.csFyzikacs_CZ
uk.degree-program.enPhysicsen_US
thesis.grade.csVelmi dobřecs_CZ
thesis.grade.enVery gooden_US
uk.abstract.csV této práci jsme se zaměřili na zkoumání vlastností scintilačních vrstev cerem dotovaných granátů (CexLu3-xAl5O12, CexY3-xAl5O12) připravených metodou izotermální kapalné epitaxe. Tento scintilační materiál se vyznačuje rychlou časovou odezvou, vysokou kvantovou účinností a velkou chemickou i mechanickou odolností, jež jej činí ideálním pro zařízení pro 2D zobrazení. Konkrétně jsme měřili absorpci, excitační a emisní spektra, kinetiku luminiscence a strukturní vlastnosti. Cílem bylo porovnat vlastnosti připravených vrstev s vlastnostmi monokrystalů připravených Czochralského metodou. Snahou bylo určení vlivu složení taveniny a technologických parametrů na měřené vlastnosti. Dále pak také stanovení optimálního množství ceru ve vrstvě. Byla použita tavidla PbO - B2O3 a tavidla BaO - BaF2 - B2O3. Tyto umožňují růst granátových vrstev již při teplotách okolo 1000řC. Ve výsledku pak mají vrstvy méně intrinsických defektů krystalové mříže oproti monokrystalu připravenému Czochralského metodou (cca 1900řC). Námi pěstované vrstvy o tloušťce 1 až 30 mm obsahují vyšší koncentraci ceru oproti monokrystalu. Vzhledem k vyššímu obsahu dalších příměsí ve vrstvách pří použití tavidla PbO - B2O3 bylo pěstováno také z tavidla BaO - BaF2 - B2O3, které ve vrstvách nezanechává tolik příměsí.cs_CZ
uk.abstract.enIn this work we studied properties of Ce doped garnet scintillator layers (CexLu3-xAl5O12, CexY3-xAl5O12). They were prepared by liquid phase epitaxy. Studied materials show fast response, high quantum efficiency and good chemical and mechanical stability. Thus they are ideal for use in devices for 2D imaging. We measured absorption, excitation and emission spectra and kinetics of luminescence. Aim was to compare properties of grown layers with properties of single crystals grown by Czochralski method. We looked for the impact of melt compounds to measured layer properties. We also tried to determine optimal amount of Ce in layer. We used flux PbO - B2O3 and flux BaO - BaF2 - B2O3. In those fluxes we succeeded to grow garnet layers at temperatures as low as 1000řC. This lead to less intrinsic defects in crystalic lattice of layer in comparison to single crystals grown by Czochralski method (1900řC). Our layers were from 1 to 30 mm thick with higher concentration of Ce than singlecrystal. Due to higher concentration of impurities in layers grown from PbO - B2O3 flux we grown layers from BaO - BaF2 - B2O3 flux too. Flux BaO - BaF2 - B2O3 leaves less impurities in layers.en_US
uk.publication-placePrahacs_CZ
uk.grantorUniverzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta, Fyzikální ústav UKcs_CZ


Files in this item

Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record


© 2017 Univerzita Karlova, Ústřední knihovna, Ovocný trh 3-5, 116 36 Praha; email: admin-repozitar [at] cuni.cz

Za dodržení všech ustanovení autorského zákona jsou zodpovědné jednotlivé složky Univerzity Karlovy. / Each constituent part of Charles University is responsible for adherence to all provisions of the copyright law.

Upozornění / Notice: Získané informace nemohou být použity k výdělečným účelům nebo vydávány za studijní, vědeckou nebo jinou tvůrčí činnost jiné osoby než autora. / Any retrieved information shall not be used for any commercial purposes or claimed as results of studying, scientific or any other creative activities of any person other than the author.

DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
Theme by 
@mire NV