Hledat
Zobrazují se záznamy 1-10 z 15
Photo-Hall effect spectroscopy and laser-induced transient currents in CdTe-based semiconductor radiation detectors
Foto-Hallovská spektroskopie a laserem indukované tranzientní proudy v polovodičových detektorech na bázi CdTe
Rigorózní práce (UZNÁNO)
Vedoucí práce: Grill, Roman
Datum publikování: 2018
Datum obhajoby: 24. 10. 2018
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Název: Foto-Hallovská spektroskopie a laserem indukované tranzientní proudy v polovodičových detektorech na bázi CdTe Autor: Artem Musiienko Pracoviště: Fyzikální Ústav, MFF UK Vedoucí disertační práce: Prof. RNDr. Roman ...
Title: Photo-Hall effect spectroscopy and laser-induced transient currents in CdTe-based semiconductor radiation detectors Author: Artem Musiienko Department / Institute: Institute of Physics, Faculty of Mathematics and ...
Title: Photo-Hall effect spectroscopy and laser-induced transient currents in CdTe-based semiconductor radiation detectors Author: Artem Musiienko Department / Institute: Institute of Physics, Faculty of Mathematics and ...
Charge transport in semiconducting radiation detectors
Transport náboje v polovodičových detektorech záření
Rigorózní práce (UZNÁNO)
Vedoucí práce: Belas, Eduard
Datum publikování: 2020
Datum obhajoby: 11. 11. 2020
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Tato práce se zaměřuje na studium transportu náboje v polovodičových detektorech záření. Jsou provedeny teoretické výpočty proudových závislostí založené na rovnici kontinuity a drift-difúzní rovnici. Užitečné aproximace ...
This thesis is focused on study of charge transport in semiconducting radiation detectors. Theoretical calculations of current waveforms based on continuity equation and drift-diffusion equation are done. Useful approximations ...
This thesis is focused on study of charge transport in semiconducting radiation detectors. Theoretical calculations of current waveforms based on continuity equation and drift-diffusion equation are done. Useful approximations ...
Detektory RTG a gama záření na bázi polovodiče CdTe/CdZnTe
Gamma and X- ray CdTe/CdZnTe detectors
Diplomová práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Belas, Eduard
Datum publikování: 2013
Datum obhajoby: 19. 09. 2013
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: V předložené práci byl studován vliv různých typů leptání povrchu a pasivace povrchu vysokoodporového polovodiče CdZnTe, za účelem nalezení optimálních podmínek ke zlepšení vlastností kontaktu kov-polovodič. Hlavní snahou ...
In the present work we studied an influence of different types of surface etching and surface passivation of high resistivity CdZnTe-based semiconductor detector material. The aim was to find the optimal conditions to ...
In the present work we studied an influence of different types of surface etching and surface passivation of high resistivity CdZnTe-based semiconductor detector material. The aim was to find the optimal conditions to ...
Detektory RTG a gama záření na bázi polovodiče CdTe/CdZnTe
Gamma and X- ray CdTe/CdZnTe detectors
Rigorózní práce (UZNÁNO)
Datum publikování: 2015
Datum obhajoby: 19. 06. 2015
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: V předložené práci byl studován vliv různých typů leptání povrchu a pasivace povrchu vysokoodporového polovodiče CdZnTe, za účelem nalezení optimálních podmínek ke zlepšení vlastností kontaktu kov-polovodič. Hlavní snahou ...
In the present work we studied an influence of different types of surface etching and surface passivation of high resistivity CdZnTe-based semiconductor detector material. The aim was to find the optimal conditions to ...
In the present work we studied an influence of different types of surface etching and surface passivation of high resistivity CdZnTe-based semiconductor detector material. The aim was to find the optimal conditions to ...
Vliv kontaktů na sběr náboje v detektorech rtg a gama záření
Study of the charge collection efficiency affected by metalization in Gamma and X- ray detectors
Bakalářská práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Belas, Eduard
Datum publikování: 2016
Datum obhajoby: 13. 09. 2016
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: V této práci byl studován vliv kovových kontaktů připravených z alkoholového a vodního roztoku chloridu zlatitého na polovodičovém materiálu CdZnTe na detekční schopnosti detektoru rtg a gama záření. Na kvalitu kontaktů ...
In this thesis, the influence of metal contacts, prepared on CdZnTe-based semiconductor material by electroless deposition using aqueous or alcohol based solution, on the detection quality of Gamma and X-ray detectors. The ...
In this thesis, the influence of metal contacts, prepared on CdZnTe-based semiconductor material by electroless deposition using aqueous or alcohol based solution, on the detection quality of Gamma and X-ray detectors. The ...
Detekce gama a Rtg záření detektory připravenými z monokrystalů (CdZn)Te.
Gamma- ray and X- ray detection by detectors based on (CdZn)Te single crystals.
Bakalářská práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Belas, Eduard
Datum publikování: 2011
Datum obhajoby: 23. 06. 2011
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: V předložené práci byl studován vliv kovových kontaktů připravených na detektorech z vysokoodporového polovodičového materiálu Cd0,85Zn0,15Te na kvalitu detekovaného signálu. Cílem práce bylo vytvoření ohmických kontaktů. ...
In this thesis, the influence of metal contacts, prepared on semiconductor detectors made of high resistive Cd0,85Zn0,15Te, on the quality of detected signal was investigated. The goal of thesis was to prepare ohmic contacts. ...
In this thesis, the influence of metal contacts, prepared on semiconductor detectors made of high resistive Cd0,85Zn0,15Te, on the quality of detected signal was investigated. The goal of thesis was to prepare ohmic contacts. ...
Charge transport in semiconducting radiation detectors
Transport náboje v polovodičových detektorech záření
Diplomová práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Belas, Eduard
Datum publikování: 2018
Datum obhajoby: 11. 09. 2018
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Tato práce se zaměřuje na studium transportu náboje v polovodičových detektorech záření. Jsou provedeny teoretické výpočty proudových závislostí založené na rovnici kontinuity a drift-difúzní rovnici. Užitečné aproximace ...
This thesis is focused on study of charge transport in semiconducting radiation detectors. Theoretical calculations of current waveforms based on continuity equation and drift-diffusion equation are done. Useful approximations ...
This thesis is focused on study of charge transport in semiconducting radiation detectors. Theoretical calculations of current waveforms based on continuity equation and drift-diffusion equation are done. Useful approximations ...
Influence of Deep Levels on Charge Transport in CdTe and CdZnTe
Vliv hlubokých hladin na transport náboje v CdTe a CdZnTe
Dizertační práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Franc, Jan
Datum publikování: 2014
Datum obhajoby: 25. 06. 2014
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: CdTe a CdZnTe jsou perspektivní materiály pro detektory Rentgenového a gama záření pracující za pokojové teploty. Akumulace prostorového náboje na hlubokých energetických hladinách způsobená zahnutím pásu u kontaktu s ...
CdTe and CdZnTe are promising materials for room temperature semiconductor X-ray and gamma ray detectors. The accumulation of a space charge at deep energy levels due to a band bending at contacts with Schottky barriers ...
CdTe and CdZnTe are promising materials for room temperature semiconductor X-ray and gamma ray detectors. The accumulation of a space charge at deep energy levels due to a band bending at contacts with Schottky barriers ...
Optická charakterizácia transportu náboja v polovodičových detektoroch žiarenia
Charge transport optical characterization in semiconductor radiation detectors
Optická charakterizace transportu náboje v polovodičových detektorech záření
Rigorózní práce (UZNÁNO)
Vedoucí práce: Belas, Eduard
Datum publikování: 2018
Datum obhajoby: 05. 02. 2018
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Merania foto-voltampérových charakteristík, spektrálnej závislosti fotoprúdu a laserom indukovaných tranzientných prúdov umožňujú výskum povrchových rekombinačných centier, objemových pascových hladín a profilu vnútorného ...
Measurements of DC photocurrent-voltage characteristic, photocurrents spectral response and laser induced transient current technique enable investigation of surface recombination centers, bulk trap levels and distribution ...
Measurements of DC photocurrent-voltage characteristic, photocurrents spectral response and laser induced transient current technique enable investigation of surface recombination centers, bulk trap levels and distribution ...
Optická charakterizácia transportu náboja v polovodičových detektoroch žiarenia
Charge transport optical characterization in semiconductor radiation detectors
Optická charakterizace transportu náboje v polovodičových detektorech záření
Diplomová práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Belas, Eduard
Datum publikování: 2016
Datum obhajoby: 15. 09. 2016
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Merania foto-voltampérových charakteristík, spektrálnej závislosti fotoprúdu a laserom indukovaných tranzientných prúdov umožňujú výskum povrchových rekombinačných centier, objemových pascových hladín a profilu vnútorného ...
Measurements of DC photocurrent-voltage characteristic, photocurrents spectral response and laser induced transient current technique enable investigation of surface recombination centers, bulk trap levels and distribution ...
Measurements of DC photocurrent-voltage characteristic, photocurrents spectral response and laser induced transient current technique enable investigation of surface recombination centers, bulk trap levels and distribution ...