Hledat
Zobrazují se záznamy 1-10 z 11
Properties of point defects in CdTe at temperatures of 300 - 600 K
Vlastnosti bodových defektů v CdTe při teplotách 300 - 600 K
Dizertační práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Moravec, Pavel
Datum publikování: 2019
Datum obhajoby: 23. 09. 2019
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Tepelná stabilita krystalů p-CdTe byla studována pomocí měření vodivosti a Hallova jevu při pokojové teplotě a při mírně zvýšených teplotách. Bylo pozorováno, že tepelné změny často implikují anomální chování hustoty děr ...
The thermal stability of p-type CdTe crystals by using conductivity and Hall-effect measurements have been studied at room and slightly increased temperatures. It was observed that thermal changes often implicate an anomalous ...
The thermal stability of p-type CdTe crystals by using conductivity and Hall-effect measurements have been studied at room and slightly increased temperatures. It was observed that thermal changes often implicate an anomalous ...
Optical and magneto-optical properties of Heusler compounds
Optické a magnetooptické vlastnosti Heuslerových sloučenin
Rigorózní práce (UZNÁNO)
Vedoucí práce: Veis, Martin
Datum publikování: 2019
Datum obhajoby: 04. 02. 2019
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Cílem této práce bylo studium Heuslrových sloučenin pomocí optických a magneto-optických (MO) metod. V případě první sloučeniny, Co2FeGa0.5Ge0.5, jsme studovali výskyt strukturálního disorderu za pomoci spektroskopické ...
Structure defects in SiC radiation detectors
Strukturní defekty v SiC detektorech
Rigorózní práce (UZNÁNO)
Vedoucí práce: Belas, Eduard
Datum publikování: 2019
Datum obhajoby: 26. 11. 2019
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Silicon karbid je širokopásový polovodič o šířce gapu 2.4 eV - 3.3eV. SiC je dobře znám pro své vlastnosti, které dovolují jeho aplikaci v extrémních podmínkách. Jeho potencionální uplatnění je například vysokofrekvenčních ...
Silicon carbide (SiC), is a wide band gap (2.4 eV < Eg < 3.3 eV) semiconducting material well known for its potential applications in high-temperature, high-power, high-frequency or hard radiation resistant devices. ...
Silicon carbide (SiC), is a wide band gap (2.4 eV < Eg < 3.3 eV) semiconducting material well known for its potential applications in high-temperature, high-power, high-frequency or hard radiation resistant devices. ...
Optical responses of biomolecules on regular metal plasmonic nanostructures
Optické odezvy biomolekul na pravidelných kovových plasmonických nanostrukturách
Dizertační práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Procházka, Marek
Datum publikování: 2019
Datum obhajoby: 01. 04. 2019
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Název: Optické odezvy biomolekul na pravidelných kovových plasmonických nanostrukturách Autor: Martin Šubr Ústav: Fyzikální ústav UK Vedoucí disertační práce: prof. RNDr. Marek Procházka, Dr., Fyzikální ústav UK Abstrakt: ...
Title: Optical Responses of Biomolecules on Regular Metal Plasmonic Nanostructures Author: Martin Šubr Department: Institute of Physics of Charles University Supervisor of the doctoral thesis: prof. RNDr. Marek Procházka, ...
Title: Optical Responses of Biomolecules on Regular Metal Plasmonic Nanostructures Author: Martin Šubr Department: Institute of Physics of Charles University Supervisor of the doctoral thesis: prof. RNDr. Marek Procházka, ...
Structure defects in SiC radiation detectors
Strukturní defekty v SiC detektorech
Diplomová práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Belas, Eduard
Datum publikování: 2019
Datum obhajoby: 19. 06. 2019
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Silicon karbid je širokopásový polovodič o šířce gapu 2.4 eV - 3.3eV. SiC je dobře znám pro své vlastnosti, které dovolují jeho aplikaci v extrémních podmínkách. Jeho potencionální uplatnění je například vysokofrekvenčních ...
Silicon carbide (SiC), is a wide band gap (2.4 eV < Eg < 3.3 eV) semiconducting material well known for its potential applications in high-temperature, high-power, high-frequency or hard radiation resistant devices. ...
Silicon carbide (SiC), is a wide band gap (2.4 eV < Eg < 3.3 eV) semiconducting material well known for its potential applications in high-temperature, high-power, high-frequency or hard radiation resistant devices. ...
Numerical simulations of optical response of nanostructures using FDTD method
Numerické simulace optické odezvy nanostruktur pomocí metody FDTD
Bakalářská práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Veis, Martin
Datum publikování: 2019
Datum obhajoby: 12. 09. 2019
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Název práce: Numerické simulace optické odezvy nanostruktur pomocí metody FDTD Autor: Ondřej Novák ústav: Fyzikální ústav Univerzity Karlovy Vedoucí bakalářské práce: RNDr. Martin Veis, Ph.D., Fyzikální ústav Univerzity ...
Title: Numerical simulations of optical response of nanostructures using FDTD method Author: Ondřej Novák Institute: Institute of Physics of Charles University Supervisor: RNDr. Martin Veis, Ph.D., Institute of Physics of ...
Title: Numerical simulations of optical response of nanostructures using FDTD method Author: Ondřej Novák Institute: Institute of Physics of Charles University Supervisor: RNDr. Martin Veis, Ph.D., Institute of Physics of ...
Dynamic control of magnetization for spintronic applications studied by magneto-optical methods
Dynamické ovládání magnetizace pro spintronické aplikace studované magnetooptickými metodami
Dizertační práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Veis, Martin
Datum publikování: 2019
Datum obhajoby: 28. 06. 2019
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: V této práci byly systematicky studovány dva mechanismy, jež hrají důležitou roli v přípravě tenkých vrstev magnetických oxidů. Prvním z nich byl vliv epitaxního pnutí na výsledné magnetooptické vlastnosti tenkých vrstev ...
Two important mechanisms in preparation of ultrathin films of magnetic oxides were systematically investigated in this work. First, influence of epitaxial strain on resulting magneto-optical properties of La2/3Sr1/3MnO3 ...
Two important mechanisms in preparation of ultrathin films of magnetic oxides were systematically investigated in this work. First, influence of epitaxial strain on resulting magneto-optical properties of La2/3Sr1/3MnO3 ...
Study of the differences in the architecture of the binding pockets of two major MDR pumps of yeast Saccharomyces cerevisiae, Pdr5p and Snq2p, using their common substrates
Studium rozdílů v architektuře vazebných kapes dvou hlavních MDR pump kvasinky Saccharomyces cerevisiae, Pdr5p a Snq2p, pomocí jejich společných substrátů
Bakalářská práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Gášková, Dana
Datum publikování: 2019
Datum obhajoby: 12. 09. 2019
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Mnohonásobná lieková rezistencia (multidrug resistance, MDR) je zodpovedná za po- kles účinnosti liekov na patogénnych mikroorganizmoch alebo nádorových ochoreniach. Jeden z mechanizmov mnohonásobnej liekovej rezistencie ...
Multidrug resistance (MDR) is responsible for the decrease in drug effectiveness on pathogenic microorganisms or tumours. One of the mechanisms of multidrug resistance is drug transport out of the cell (efflux) by membrane ...
Multidrug resistance (MDR) is responsible for the decrease in drug effectiveness on pathogenic microorganisms or tumours. One of the mechanisms of multidrug resistance is drug transport out of the cell (efflux) by membrane ...
Signatures of vibronic modulation of small molecular aggregates in two-dimensional electronic spectra
Odraz vibronické modulace ve dvoudimenzionálních elektronických spektrech malých molekulárních agregátů
Dizertační práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Šanda, František
Datum publikování: 2019
Datum obhajoby: 05. 09. 2019
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Pomocí nelineární ultrarychlé spektroskopie byly studovány efekty podtlumených vibračních módů na excitonový přenos energie v malých molekulárních agregátech. Pro zahrnutí souhry elektronické a vibrační koherence během ...
We studied the effects of underdamped vibrational modes on excitonic energy transfer in small molecular aggregates by means of ultrafast nonlinear spectroscopy. We developed a vibronic dynamical model to account for the ...
We studied the effects of underdamped vibrational modes on excitonic energy transfer in small molecular aggregates by means of ultrafast nonlinear spectroscopy. We developed a vibronic dynamical model to account for the ...
Raman microspectroscopy of living cells and biological tissues
Ramanova mikrospektroskopie živých buněk a biologických tkání
Dizertační práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Mojzeš, Peter
Datum publikování: 2019
Datum obhajoby: 19. 02. 2019
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Název práce: Ramanova mikrospektroskopie živých buněk a biologických tkání Autorka: Šárka Moudříková Katedra / ústav: Fyzikální ústav Univerzity Karlovy Vedoucí disertační práce: doc. RNDr. Peter Mojzeš, CSc., Fyzikální ...
Title: Raman microspectroscopy of living cells and biological tissues Author: Šárka Moudříková Department / Institute: Institute of Physics of Charles University Supervisor of the doctoral thesis: doc. RNDr. Peter Mojzeš, ...
Title: Raman microspectroscopy of living cells and biological tissues Author: Šárka Moudříková Department / Institute: Institute of Physics of Charles University Supervisor of the doctoral thesis: doc. RNDr. Peter Mojzeš, ...