Hledat
Zobrazují se záznamy 1-4 z 4
Vliv vnějších polí na elektrické pole a fotoproud detektorů CdTe
Influence of external fields on electric field and photocurrent in CdTe detectors
Rigorózní práce (UZNÁNO)
Vedoucí práce: Franc, Jan
Datum publikování: 2017
Datum obhajoby: 15. 03. 2017
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Tato práce se zabývá studiem polovodičových detektorů z materiálů CdTe a CdZnTe pracujících za vysokých toků záření. Experimentálně byl studován vliv vysokých toků Rentgenového a optického záření na tzv. polarizaci detektoru. ...
This thesis is focused on a study of CdTe and CdZnTe semiconductor detectors working under high flux of radiation. We studied experimentally an influence of high flux of X-rays and optical radiation on polarization of the ...
This thesis is focused on a study of CdTe and CdZnTe semiconductor detectors working under high flux of radiation. We studied experimentally an influence of high flux of X-rays and optical radiation on polarization of the ...
Vliv vnějších polí na elektrické pole a fotoproud detektorů CdTe
Influence of external fields on electric field and photocurrent in CdTe detectors
Diplomová práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Franc, Jan
Datum publikování: 2015
Datum obhajoby: 10. 06. 2015
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Tato práce se zabývá studiem polovodičových detektorů z materiálů CdTe a CdZnTe pracujících za vysokých toků záření. Experimentálně byl studován vliv vysokých toků Rentgenového a optického záření na tzv. polarizaci detektoru. ...
This thesis is focused on a study of CdTe and CdZnTe semiconductor detectors working under high flux of radiation. We studied experimentally an influence of high flux of X-rays and optical radiation on polarization of the ...
This thesis is focused on a study of CdTe and CdZnTe semiconductor detectors working under high flux of radiation. We studied experimentally an influence of high flux of X-rays and optical radiation on polarization of the ...
Influence of Deep Levels on Charge Transport in CdTe and CdZnTe
Vliv hlubokých hladin na transport náboje v CdTe a CdZnTe
Dizertační práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Franc, Jan
Datum publikování: 2014
Datum obhajoby: 25. 06. 2014
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: CdTe a CdZnTe jsou perspektivní materiály pro detektory Rentgenového a gama záření pracující za pokojové teploty. Akumulace prostorového náboje na hlubokých energetických hladinách způsobená zahnutím pásu u kontaktu s ...
CdTe and CdZnTe are promising materials for room temperature semiconductor X-ray and gamma ray detectors. The accumulation of a space charge at deep energy levels due to a band bending at contacts with Schottky barriers ...
CdTe and CdZnTe are promising materials for room temperature semiconductor X-ray and gamma ray detectors. The accumulation of a space charge at deep energy levels due to a band bending at contacts with Schottky barriers ...
Influence of Deep Levels on Charge Transport in CdTe and CdZnTe
Vliv hlubokých hladin na transport náboje v CdTe a CdZnTe
Rigorózní práce (UZNÁNO)
Datum publikování: 2014
Datum obhajoby: 21. 07. 2014
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: CdTe a CdZnTe jsou perspektivní materiály pro detektory Rentgenového a gama záření pracující za pokojové teploty. Akumulace prostorového náboje na hlubokých energetických hladinách způsobená zahnutím pásu u kontaktu s ...
CdTe and CdZnTe are promising materials for room temperature semiconductor X-ray and gamma ray detectors. The accumulation of a space charge at deep energy levels due to a band bending at contacts with Schottky barriers ...
CdTe and CdZnTe are promising materials for room temperature semiconductor X-ray and gamma ray detectors. The accumulation of a space charge at deep energy levels due to a band bending at contacts with Schottky barriers ...