Hledat
Zobrazují se záznamy 1-3 z 3
Dynamika spinové polarizace v polovodičích
Dynamics of spin polarization in semiconductors
Rigorózní práce (UZNÁNO)
Datum publikování: 2014
Datum obhajoby: 17. 06. 2014
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: V této práci se zabýváme studiem ultrarychlé laserem indukované dyna- miky magnetizace ve vzorcích feromagnetického polovodiče Ga1−xMnxAs s nominální koncentrací Mn v rozsahu x = 0,015-0,14. K získání informací o pohybu ...
In this work we study ultrafast laser-induced magnetization dynamics in samples of ferromagnetic semiconductor Ga1−xMnxAs with a nominal concentration of Mn within the range of x = 0,015-0,14. To get information about ...
In this work we study ultrafast laser-induced magnetization dynamics in samples of ferromagnetic semiconductor Ga1−xMnxAs with a nominal concentration of Mn within the range of x = 0,015-0,14. To get information about ...
Optická odezva magnetických materiálů
Optical response of magnetic materials
Diplomová práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Ostatnický, Tomáš
Datum publikování: 2014
Datum obhajoby: 18. 09. 2014
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: David Wagenknecht: Abstrakt k diplomové práci Optická odezva magnetických materiálů, 2014 Magnetický polovodič Ga1−xMnxAs a jiné anizotropní materiály mohou dle teoretických předpovědí vykazovat zajímavé chování v odrazivosti, ...
David Wagenknecht: Abstract of a diploma thesis Optical response of magnetic materials, 2014 Magnetooptical properties of anisotropic semiconductors are studied to describe asymmetry of Ga1−xMnxAs, because theoretical ...
David Wagenknecht: Abstract of a diploma thesis Optical response of magnetic materials, 2014 Magnetooptical properties of anisotropic semiconductors are studied to describe asymmetry of Ga1−xMnxAs, because theoretical ...
Studium anizotropní magnetorezistence magnetického polovodiče GaMnAs
Investigation of anizotropic magnetorezistence of ferromagnetic semiconductor GaMnAs
Bakalářská práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Němec, Petr
Datum publikování: 2014
Datum obhajoby: 17. 06. 2014
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Práce pojednává o měření anizotropní magnetorezistence (AMR) na sérii GaMnAs vzorků připravených metodou epitaxe z molekulových svazků (MBE). Měření probíhala při rotaci magnetického pole v rovině vzorku (in plane) ve ...
This thesis is devoted to the measurement of the anisotropic magnetoresistance (AMR) on a series of samples that were prepared by the molecular beam epitaxy (MBE). The measurements were taken during a rotation of a magnetic ...
This thesis is devoted to the measurement of the anisotropic magnetoresistance (AMR) on a series of samples that were prepared by the molecular beam epitaxy (MBE). The measurements were taken during a rotation of a magnetic ...