Hledat
Zobrazují se záznamy 1-3 z 3
Structure defects in SiC radiation detectors
Strukturní defekty v SiC detektorech
Diplomová práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Belas, Eduard
Datum publikování: 2019
Datum obhajoby: 19. 06. 2019
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Silicon karbid je širokopásový polovodič o šířce gapu 2.4 eV - 3.3eV. SiC je dobře znám pro své vlastnosti, které dovolují jeho aplikaci v extrémních podmínkách. Jeho potencionální uplatnění je například vysokofrekvenčních ...
Silicon carbide (SiC), is a wide band gap (2.4 eV < Eg < 3.3 eV) semiconducting material well known for its potential applications in high-temperature, high-power, high-frequency or hard radiation resistant devices. ...
Silicon carbide (SiC), is a wide band gap (2.4 eV < Eg < 3.3 eV) semiconducting material well known for its potential applications in high-temperature, high-power, high-frequency or hard radiation resistant devices. ...
Numerical simulations of optical response of nanostructures using FDTD method
Numerické simulace optické odezvy nanostruktur pomocí metody FDTD
Bakalářská práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Veis, Martin
Datum publikování: 2019
Datum obhajoby: 12. 09. 2019
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Název práce: Numerické simulace optické odezvy nanostruktur pomocí metody FDTD Autor: Ondřej Novák ústav: Fyzikální ústav Univerzity Karlovy Vedoucí bakalářské práce: RNDr. Martin Veis, Ph.D., Fyzikální ústav Univerzity ...
Title: Numerical simulations of optical response of nanostructures using FDTD method Author: Ondřej Novák Institute: Institute of Physics of Charles University Supervisor: RNDr. Martin Veis, Ph.D., Institute of Physics of ...
Title: Numerical simulations of optical response of nanostructures using FDTD method Author: Ondřej Novák Institute: Institute of Physics of Charles University Supervisor: RNDr. Martin Veis, Ph.D., Institute of Physics of ...
Study of the differences in the architecture of the binding pockets of two major MDR pumps of yeast Saccharomyces cerevisiae, Pdr5p and Snq2p, using their common substrates
Studium rozdílů v architektuře vazebných kapes dvou hlavních MDR pump kvasinky Saccharomyces cerevisiae, Pdr5p a Snq2p, pomocí jejich společných substrátů
Bakalářská práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Gášková, Dana
Datum publikování: 2019
Datum obhajoby: 12. 09. 2019
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Mnohonásobná lieková rezistencia (multidrug resistance, MDR) je zodpovedná za po- kles účinnosti liekov na patogénnych mikroorganizmoch alebo nádorových ochoreniach. Jeden z mechanizmov mnohonásobnej liekovej rezistencie ...
Multidrug resistance (MDR) is responsible for the decrease in drug effectiveness on pathogenic microorganisms or tumours. One of the mechanisms of multidrug resistance is drug transport out of the cell (efflux) by membrane ...
Multidrug resistance (MDR) is responsible for the decrease in drug effectiveness on pathogenic microorganisms or tumours. One of the mechanisms of multidrug resistance is drug transport out of the cell (efflux) by membrane ...