Hledat
Zobrazují se záznamy 1-3 z 3
Vliv vnějších polí na elektrické pole a fotoproud detektorů CdTe
Influence of external fields on electric field and photocurrent in CdTe detectors
Diplomová práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Franc, Jan
Datum publikování: 2015
Datum obhajoby: 10. 06. 2015
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Tato práce se zabývá studiem polovodičových detektorů z materiálů CdTe a CdZnTe pracujících za vysokých toků záření. Experimentálně byl studován vliv vysokých toků Rentgenového a optického záření na tzv. polarizaci detektoru. ...
This thesis is focused on a study of CdTe and CdZnTe semiconductor detectors working under high flux of radiation. We studied experimentally an influence of high flux of X-rays and optical radiation on polarization of the ...
This thesis is focused on a study of CdTe and CdZnTe semiconductor detectors working under high flux of radiation. We studied experimentally an influence of high flux of X-rays and optical radiation on polarization of the ...
Detektory RTG a gama záření na bázi polovodiče CdTe/CdZnTe
Gamma and X- ray CdTe/CdZnTe detectors
Diplomová práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Belas, Eduard
Datum publikování: 2013
Datum obhajoby: 19. 09. 2013
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: V předložené práci byl studován vliv různých typů leptání povrchu a pasivace povrchu vysokoodporového polovodiče CdZnTe, za účelem nalezení optimálních podmínek ke zlepšení vlastností kontaktu kov-polovodič. Hlavní snahou ...
In the present work we studied an influence of different types of surface etching and surface passivation of high resistivity CdZnTe-based semiconductor detector material. The aim was to find the optimal conditions to ...
In the present work we studied an influence of different types of surface etching and surface passivation of high resistivity CdZnTe-based semiconductor detector material. The aim was to find the optimal conditions to ...
Elektromigrace defektů v polovodičích (CdZn)Te.
Electromigration of defects in (CdZn)Te single crystals.
Bakalářská práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Belas, Eduard
Datum publikování: 2011
Datum obhajoby: 13. 09. 2011
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: V předložené práci je studován efekt elektromigrace defektů v materiálu (CdZn)Te ve vnějším elektrickém poli, při několika různých teplotách a proudech. Cílem práce bylo ověřit tento efekt pomocí několika elektrických ...
In the present work we study effect of electromigration of defects in CdTe material in external electric field at various temperatures and biases. The aim was to verify this effect using a set of electric contacts arranged ...
In the present work we study effect of electromigration of defects in CdTe material in external electric field at various temperatures and biases. The aim was to verify this effect using a set of electric contacts arranged ...