Hledat
Zobrazují se záznamy 1-6 z 6
Vliv vnějších polí na elektrické pole a fotoproud detektorů CdTe
Influence of external fields on electric field and photocurrent in CdTe detectors
Rigorózní práce (UZNÁNO)
Vedoucí práce: Franc, Jan
Datum publikování: 2017
Datum obhajoby: 15. 03. 2017
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Tato práce se zabývá studiem polovodičových detektorů z materiálů CdTe a CdZnTe pracujících za vysokých toků záření. Experimentálně byl studován vliv vysokých toků Rentgenového a optického záření na tzv. polarizaci detektoru. ...
This thesis is focused on a study of CdTe and CdZnTe semiconductor detectors working under high flux of radiation. We studied experimentally an influence of high flux of X-rays and optical radiation on polarization of the ...
This thesis is focused on a study of CdTe and CdZnTe semiconductor detectors working under high flux of radiation. We studied experimentally an influence of high flux of X-rays and optical radiation on polarization of the ...
Photo-Hall effect spectroscopy and laser-induced transient currents in CdTe-based semiconductor radiation detectors
Foto-Hallovská spektroskopie a laserem indukované tranzientní proudy v polovodičových detektorech na bázi CdTe
Rigorózní práce (UZNÁNO)
Vedoucí práce: Grill, Roman
Datum publikování: 2018
Datum obhajoby: 24. 10. 2018
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Název: Foto-Hallovská spektroskopie a laserem indukované tranzientní proudy v polovodičových detektorech na bázi CdTe Autor: Artem Musiienko Pracoviště: Fyzikální Ústav, MFF UK Vedoucí disertační práce: Prof. RNDr. Roman ...
Title: Photo-Hall effect spectroscopy and laser-induced transient currents in CdTe-based semiconductor radiation detectors Author: Artem Musiienko Department / Institute: Institute of Physics, Faculty of Mathematics and ...
Title: Photo-Hall effect spectroscopy and laser-induced transient currents in CdTe-based semiconductor radiation detectors Author: Artem Musiienko Department / Institute: Institute of Physics, Faculty of Mathematics and ...
Fotoluminiscence krystalů CdTe
Photoluminescence of CdTe crystals
Rigorózní práce (UZNÁNO)
Datum publikování: 2013
Datum obhajoby: 16. 08. 2013
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Název práce: Fotoluminiscence krystalů CdTe Autor: Jan Procházka Katedra / Ústav: Fyzikální ústav Univerzity Karlovy v Praze Vedoucí disertační práce: Doc. RNDr. Pavel Hlídek, CSc. Abstrakt: S použitím nízkoteplotní ...
Title: Photoluminescence of CdTe crystals Author: Jan Procházka Department: Institute of Physics of Charles University in Prague Supervisor: Doc. RNDr. Pavel Hlídek, CSc. Abstract: Energy levels connected with defects in ...
Title: Photoluminescence of CdTe crystals Author: Jan Procházka Department: Institute of Physics of Charles University in Prague Supervisor: Doc. RNDr. Pavel Hlídek, CSc. Abstract: Energy levels connected with defects in ...
Detektory RTG a gama záření na bázi polovodiče CdTe/CdZnTe
Gamma and X- ray CdTe/CdZnTe detectors
Rigorózní práce (UZNÁNO)
Datum publikování: 2015
Datum obhajoby: 19. 06. 2015
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: V předložené práci byl studován vliv různých typů leptání povrchu a pasivace povrchu vysokoodporového polovodiče CdZnTe, za účelem nalezení optimálních podmínek ke zlepšení vlastností kontaktu kov-polovodič. Hlavní snahou ...
In the present work we studied an influence of different types of surface etching and surface passivation of high resistivity CdZnTe-based semiconductor detector material. The aim was to find the optimal conditions to ...
In the present work we studied an influence of different types of surface etching and surface passivation of high resistivity CdZnTe-based semiconductor detector material. The aim was to find the optimal conditions to ...
Recombination centers in semiinsulating CdTe
Centra rekombinace v semiizolačním CdTe
Rigorózní práce (UZNÁNO)
Datum publikování: 2014
Datum obhajoby: 15. 04. 2014
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Název práce: Centra rekombinace v semiizolačním CdTe Autor: Jakub Zázvorka Katedra / Ústav: Fyzikální ústav Univerzity Karlovy Vedoucí diplomové práce: prof. Ing. Jan Franc, DrSc., Fyzikální ústav Univerzity Karlovy Abstrakt: ...
Title: Recombination centers in semiinsulating CdTe Author: Jakub Zázvorka Department / Institute: Institute of Physics of Charles University Supervisor of the master thesis: prof. Ing. Jan Franc, DrSc., Institute of Physics ...
Title: Recombination centers in semiinsulating CdTe Author: Jakub Zázvorka Department / Institute: Institute of Physics of Charles University Supervisor of the master thesis: prof. Ing. Jan Franc, DrSc., Institute of Physics ...
Influence of Deep Levels on Charge Transport in CdTe and CdZnTe
Vliv hlubokých hladin na transport náboje v CdTe a CdZnTe
Rigorózní práce (UZNÁNO)
Datum publikování: 2014
Datum obhajoby: 21. 07. 2014
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: CdTe a CdZnTe jsou perspektivní materiály pro detektory Rentgenového a gama záření pracující za pokojové teploty. Akumulace prostorového náboje na hlubokých energetických hladinách způsobená zahnutím pásu u kontaktu s ...
CdTe and CdZnTe are promising materials for room temperature semiconductor X-ray and gamma ray detectors. The accumulation of a space charge at deep energy levels due to a band bending at contacts with Schottky barriers ...
CdTe and CdZnTe are promising materials for room temperature semiconductor X-ray and gamma ray detectors. The accumulation of a space charge at deep energy levels due to a band bending at contacts with Schottky barriers ...