Hledat
Zobrazují se záznamy 1-3 z 3
Structure defects in SiC radiation detectors
Strukturní defekty v SiC detektorech
Rigorózní práce (UZNÁNO)
Vedoucí práce: Belas, Eduard
Datum publikování: 2019
Datum obhajoby: 26. 11. 2019
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Silicon karbid je širokopásový polovodič o šířce gapu 2.4 eV - 3.3eV. SiC je dobře znám pro své vlastnosti, které dovolují jeho aplikaci v extrémních podmínkách. Jeho potencionální uplatnění je například vysokofrekvenčních ...
Silicon carbide (SiC), is a wide band gap (2.4 eV < Eg < 3.3 eV) semiconducting material well known for its potential applications in high-temperature, high-power, high-frequency or hard radiation resistant devices. ...
Silicon carbide (SiC), is a wide band gap (2.4 eV < Eg < 3.3 eV) semiconducting material well known for its potential applications in high-temperature, high-power, high-frequency or hard radiation resistant devices. ...
Structure defects in SiC radiation detectors
Strukturní defekty v SiC detektorech
Diplomová práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Belas, Eduard
Datum publikování: 2019
Datum obhajoby: 19. 06. 2019
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Silicon karbid je širokopásový polovodič o šířce gapu 2.4 eV - 3.3eV. SiC je dobře znám pro své vlastnosti, které dovolují jeho aplikaci v extrémních podmínkách. Jeho potencionální uplatnění je například vysokofrekvenčních ...
Silicon carbide (SiC), is a wide band gap (2.4 eV < Eg < 3.3 eV) semiconducting material well known for its potential applications in high-temperature, high-power, high-frequency or hard radiation resistant devices. ...
Silicon carbide (SiC), is a wide band gap (2.4 eV < Eg < 3.3 eV) semiconducting material well known for its potential applications in high-temperature, high-power, high-frequency or hard radiation resistant devices. ...
Role vodíku při růstu epitaxního grafénu na SiC
Role of hydrogen during growth of epitaxial graphene on SiC
Bakalářská práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Kunc, Jan
Datum publikování: 2019
Datum obhajoby: 10. 09. 2019
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: This work is focused on preparation of graphene by epitaxial growth on silicon face of silicon carbide. In the introduction, the interesting properties of graphene are briefly described, and its possible applications are ...
Tato práce je zaměřena na přípravu grafenu pomocí epitaxního růstu na křemíkové straně karbidu křemíku. Její úvod je věnován stručnému popisu zajímavých vlastností grafenu a jeho možnému využití. Následně jsou uvedeny ...
Tato práce je zaměřena na přípravu grafenu pomocí epitaxního růstu na křemíkové straně karbidu křemíku. Její úvod je věnován stručnému popisu zajímavých vlastností grafenu a jeho možnému využití. Následně jsou uvedeny ...