Hledat
Zobrazují se záznamy 1-5 z 5
Studium adsorpce a mobility atomů Al na povrchu Si(100)
Adsorption and mobility of Al adatoms on Si(100) surface
Diplomová práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Ošťádal, Ivan
Datum publikování: 2013
Datum obhajoby: 18. 09. 2013
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Tématem práce je r st hliníkových útvar jednorozm rných etízk na povrchu Si(100). Pomocí STM byly zm eny r stové charakteristiky Al na Si(100) p i pokojové a vy í teplot a r zných hodnotách pokrytí. Výsledky jsou diskutovány ...
The subject of the thesis is growth of aluminium structures one-dimensional chains on Si(100) surface. Growth characteristics of Al on Si(100) at room temperature and at higher temperature and various coverages were measured ...
The subject of the thesis is growth of aluminium structures one-dimensional chains on Si(100) surface. Growth characteristics of Al on Si(100) at room temperature and at higher temperature and various coverages were measured ...
Morfologie modelových katalyzátorů v prostředí elektrolytu
Morphology of model catalysts in electrolyte environment
Diplomová práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Mysliveček, Josef
Datum publikování: 2016
Datum obhajoby: 14. 09. 2016
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Předmětem práce je příprava inverzního modelového katalyzátoru CeOx/Pt(111) a jeho studium kombinací metod povrchové fyziky a elektrochemie. Pro elektrochemická měření byla navržena a zkousntruována nová elektrochemická ...
The aim of this thesis is preparation of inverse model catalyst CeOx/Pt(111) and its investigation using combination of surface physics methods and electrochemistry. New electrochemical cell was designed and built for ...
The aim of this thesis is preparation of inverse model catalyst CeOx/Pt(111) and its investigation using combination of surface physics methods and electrochemistry. New electrochemical cell was designed and built for ...
Fyzikálně-chemické vlastnosti epitaxních vrstev CeO2/Cu(110)
Physically chemical properties of epitaxial films CeO2/Cu(110)
Diplomová práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Veltruská, Kateřina
Datum publikování: 2012
Datum obhajoby: 18. 05. 2012
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: V rámci této práce byly zkoumány možnosti přípravy tenkých epitaxních vrstev oxidu ceru na povrchu Cu(110). K charakterizaci připravených systémů byly použity metody rentgenová fotoelektronová spektroskopie (XPS), úhlově ...
In this work ways of preparation of thin epitaxial cerium oxide film on Cu(110) surface were studied. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), X-ray photoelectron difraction (XPD), low energy electron difraction (LEED), ion ...
In this work ways of preparation of thin epitaxial cerium oxide film on Cu(110) surface were studied. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), X-ray photoelectron difraction (XPD), low energy electron difraction (LEED), ion ...
Studium mobility atomů kovů na povrchu Si(100) pomocí STM
STM study of metal adatom mobility on Si(100) surface
Diplomová práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Ošťádal, Ivan
Datum publikování: 2012
Datum obhajoby: 20. 09. 2012
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Práce se zabývá studiem difúze kovů III. a IV. skupiny na povrchu Si(100). Jsou popsány tři různé metody, jak je možné určit hodnoty difúzních bariér a diskutovány neshody v publikovaných výsledcích. Růst hliníku na Si(100) ...
Surface diffusion of group III and IV metals on Si(100) is studied. Three methods for obtaining diffusion barriers are presented and discrepancies in published results are discussed. Room temperature growth of Al on Si(100) ...
Surface diffusion of group III and IV metals on Si(100) is studied. Three methods for obtaining diffusion barriers are presented and discrepancies in published results are discussed. Room temperature growth of Al on Si(100) ...
Studium růstu 1-D struktur obsahujících atomy kovů III a IV skupiny pomocí STM
STM study of growing 1D nanostructures composed by III and IV group atoms
Diplomová práce (OBHÁJENO)
Vedoucí práce: Ošťádal, Ivan
Datum publikování: 2011
Datum obhajoby: 23. 09. 2011
Fakulta / součást: Matematicko-fyzikální fakulta / Faculty of Mathematics and Physics
Abstrakt: Práce se zabývá studiem struktur Al a Sn na povrchu Si(100) s rekonstrukcí 2$\times$1 pomocí STM. Jsou studovány zvláštnosti zobrazování a morfologie kovových struktur. Z STM měření jsou pro Al a Sn získány růstové ...
In the presented work we study Al and Sn on a Si(100)2$\times$1 surface by means of STM. Peculiarities of displaying and morphology of metallic structures are investigated. Utilizing the STM to investigate Al and Sn, we ...
In the presented work we study Al and Sn on a Si(100)2$\times$1 surface by means of STM. Peculiarities of displaying and morphology of metallic structures are investigated. Utilizing the STM to investigate Al and Sn, we ...