Show simple item record

Strukturní defekty v II-VI polovodičích
dc.contributor.advisorBelas, Eduard
dc.creatorŠedivý, Lukáš
dc.date.accessioned2022-05-26T12:43:22Z
dc.date.available2022-05-26T12:43:22Z
dc.date.issued2022
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/20.500.11956/172438
dc.description.abstractTitle: Structural defects in II-VI semiconductors Author: Lukáš Šedivý Department: Institute of Physics of Charles University Supervisor: Doc. Ing. Eduard Belas, CSc., Institute of Physics, Faculty of Mathematics and Physics, Charles University Abstract: The single crystalline CdTe doped by chlorine is an excellent material for man- ufacturing x-ray and gamma-ray room-temperature semiconductor detectors thanks to the large linear attenuation coefficient, the possibility to make it high-resistive at the room temperature, and good electron mobility and the lifetime. This thesis aimed to examine the effect of annealing in well-defined ambient component pressure, Cd or Te, on the crys- tal's defect structure. The first experimental is devoted to eliminating the second phase defects - inclusions - present in CdTe : Cl, which significantly decay the crystal quality and detection performance. The following experimental parts are focused on the detailed inves- tigation of the point defect structure of CdTe : Cl. The annealing interval bisection method for reaching high resistivity material is introduced. The equilibrium defect structure is in- vestigated using the in-situ high-temperature Hall effect measurements. The results are interpreted through an advanced model of the defect structure considering also dissocia-...en_US
dc.description.abstractNázev práce: Strukturní defekty v II-VI polovodičích Autor: Lukáš Šedivý Department: Fyzikální ústav Univerzity Karlovy Školitel: Doc. Ing. Eduard Belas, CSc., Fyzikální ústav Univerzity Karlovy, Matematicko- fyzikální fakulta, Univerzita Karlova Abstrakt : Chlórem dopovaný mono-krystal Teluridu kademnatého CdTe je perspektivní materiál pro výrobu nechlazených detektorů vysokoenergetického záření především pro jeho vysoký absorpční koeficient, vysoký odpor za pokojové teploty, dobrou elektron/děrovou pohyblivost a příznivý µτ produkt. Cílem této práce je zmapovat vliv systematického žíhání v parách Cd a Te na výslednou defektní strukturu krystalu. Přičemž první experi- mentální kapitola je věnována metodice odstranění inkluzí běžně přítomných v CdTe : Cl, které významně limitují detekční schopnosti materiálu. Následující experimentální kapitoly jsou zasvěceny výzkumu bodových defektu v CdTe : Cl. V práci je představena metoda půlení intervalu, která umožňuje nastolit/znovunastolit vysokoodporový stav krystalu. Vliv bodových defektu v termodynamické rovnováze na galvanomagnetické charakteristiky krystalu je studován pomocí in-situ měření Hallova jevu za vysokých teplot. Změřená ex- perimentální data...cs_CZ
dc.languageEnglishcs_CZ
dc.language.isoen_US
dc.publisherUniverzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakultacs_CZ
dc.subjectCdTeen_US
dc.subjectCdZnTe|Defects|Annealing|Hall effect|Diffusionen_US
dc.subjectCdTecs_CZ
dc.subjectCdZnTe|defekty|žíhání|Hallův jev|difúzecs_CZ
dc.titleStructural defects in II-VI semiconductorsen_US
dc.typerigorózní prácecs_CZ
dcterms.created2022
dcterms.dateAccepted2022-04-27
dc.description.departmentFyzikální ústav UKcs_CZ
dc.description.departmentInstitute of Physics of Charles Universityen_US
dc.description.facultyFaculty of Mathematics and Physicsen_US
dc.description.facultyMatematicko-fyzikální fakultacs_CZ
dc.identifier.repId246968
dc.title.translatedStrukturní defekty v II-VI polovodičíchcs_CZ
thesis.degree.nameRNDr.
thesis.degree.levelrigorózní řízenícs_CZ
thesis.degree.disciplineOptics and Optoelectronicsen_US
thesis.degree.disciplineOptika a optoelektronikacs_CZ
thesis.degree.programPhysicsen_US
thesis.degree.programFyzikacs_CZ
uk.thesis.typerigorózní prácecs_CZ
uk.taxonomy.organization-csMatematicko-fyzikální fakulta::Fyzikální ústav UKcs_CZ
uk.taxonomy.organization-enFaculty of Mathematics and Physics::Institute of Physics of Charles Universityen_US
uk.faculty-name.csMatematicko-fyzikální fakultacs_CZ
uk.faculty-name.enFaculty of Mathematics and Physicsen_US
uk.faculty-abbr.csMFFcs_CZ
uk.degree-discipline.csOptika a optoelektronikacs_CZ
uk.degree-discipline.enOptics and Optoelectronicsen_US
uk.degree-program.csFyzikacs_CZ
uk.degree-program.enPhysicsen_US
thesis.grade.csUznánocs_CZ
thesis.grade.enRecognizeden_US
uk.abstract.csNázev práce: Strukturní defekty v II-VI polovodičích Autor: Lukáš Šedivý Department: Fyzikální ústav Univerzity Karlovy Školitel: Doc. Ing. Eduard Belas, CSc., Fyzikální ústav Univerzity Karlovy, Matematicko- fyzikální fakulta, Univerzita Karlova Abstrakt : Chlórem dopovaný mono-krystal Teluridu kademnatého CdTe je perspektivní materiál pro výrobu nechlazených detektorů vysokoenergetického záření především pro jeho vysoký absorpční koeficient, vysoký odpor za pokojové teploty, dobrou elektron/děrovou pohyblivost a příznivý µτ produkt. Cílem této práce je zmapovat vliv systematického žíhání v parách Cd a Te na výslednou defektní strukturu krystalu. Přičemž první experi- mentální kapitola je věnována metodice odstranění inkluzí běžně přítomných v CdTe : Cl, které významně limitují detekční schopnosti materiálu. Následující experimentální kapitoly jsou zasvěceny výzkumu bodových defektu v CdTe : Cl. V práci je představena metoda půlení intervalu, která umožňuje nastolit/znovunastolit vysokoodporový stav krystalu. Vliv bodových defektu v termodynamické rovnováze na galvanomagnetické charakteristiky krystalu je studován pomocí in-situ měření Hallova jevu za vysokých teplot. Změřená ex- perimentální data...cs_CZ
uk.abstract.enTitle: Structural defects in II-VI semiconductors Author: Lukáš Šedivý Department: Institute of Physics of Charles University Supervisor: Doc. Ing. Eduard Belas, CSc., Institute of Physics, Faculty of Mathematics and Physics, Charles University Abstract: The single crystalline CdTe doped by chlorine is an excellent material for man- ufacturing x-ray and gamma-ray room-temperature semiconductor detectors thanks to the large linear attenuation coefficient, the possibility to make it high-resistive at the room temperature, and good electron mobility and the lifetime. This thesis aimed to examine the effect of annealing in well-defined ambient component pressure, Cd or Te, on the crys- tal's defect structure. The first experimental is devoted to eliminating the second phase defects - inclusions - present in CdTe : Cl, which significantly decay the crystal quality and detection performance. The following experimental parts are focused on the detailed inves- tigation of the point defect structure of CdTe : Cl. The annealing interval bisection method for reaching high resistivity material is introduced. The equilibrium defect structure is in- vestigated using the in-situ high-temperature Hall effect measurements. The results are interpreted through an advanced model of the defect structure considering also dissocia-...en_US
uk.file-availabilityV
uk.grantorUniverzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta, Fyzikální ústav UKcs_CZ
thesis.grade.codeU
uk.publication-placePrahacs_CZ
uk.thesis.defenceStatusU


Files in this item

Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record


© 2017 Univerzita Karlova, Ústřední knihovna, Ovocný trh 560/5, 116 36 Praha 1; email: admin-repozitar [at] cuni.cz

Za dodržení všech ustanovení autorského zákona jsou zodpovědné jednotlivé složky Univerzity Karlovy. / Each constituent part of Charles University is responsible for adherence to all provisions of the copyright law.

Upozornění / Notice: Získané informace nemohou být použity k výdělečným účelům nebo vydávány za studijní, vědeckou nebo jinou tvůrčí činnost jiné osoby než autora. / Any retrieved information shall not be used for any commercial purposes or claimed as results of studying, scientific or any other creative activities of any person other than the author.

DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
Theme by 
@mire NV