Show simple item record

Ultrafast processes in semiconductor nanocrystals
dc.contributor.advisorTrojánek, František
dc.creatorDzurňák, Branislav
dc.date.accessioned2017-04-06T13:03:46Z
dc.date.available2017-04-06T13:03:46Z
dc.date.issued2007
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/20.500.11956/13693
dc.description.abstractPráce se zabývá optickými vlastnostmi nanokrystalického křemíku implantovaného do substrátu z oxidu křemičitého. Zkoumali jsme vzorky s různými koncentracemi nanokrystalů. Proměřili jsme Ramanovské spektra vzorků a určili jsme velikosti a vzájemné vzdálenosti nanokrystalů ve vzorku v závislosti na hloubce. Měřili jsme absorpci i reflektivitu vzorků a určili jsme šířku zakázaného pásu. U vzorků s různými dózami byla pozorována teplotní závislost luminiscenčných spekter. Při excitaci vlnovou délkou 408 nm byly pozorovány dvě maxima, jedno z nich se s rostoucí teplotou posouvá k vyšším vlnovým délkám, druhé zůstává neměnné. Sledovali jsme také spektrum nízkoteplotní rezonanční luminiscence, za účelem rozpoznání fononovej struktury. Při zkoumaní časově rozlišené luminiscence byly pozorovány dvě složky rychlé luminiscence - pomalejší v řádu nanosekund a rychlejší v řádu 100 ps. Soustředili jsme se na studium rychlejší složky. U rychlejší složky byla pozorována upkonvertovaná luminiscence. Její intenzitní závislost je kvadratická. Sledovali jsme také degradaci luminiscence vlivem silného laserového svazku. Závěrem jsme diskutovali původ jednotlivých složek luminiscence.cs_CZ
dc.description.abstractThis diploma thesis deals with optical properties of silicon nanocrystals implanted in silicon oxide substrate. We examined samples with various concentrations of nanocrystals. We measured Raman spectra of our samples and identified size of nanocrystals and distance between them as function of depth. We measured absorption and reflection of samples and calculated the energy of band gap. For various implantation doses we examined temperature dependence of luminescence spectra. Two peaks were observed for excitation wavelength of 408 nm, the first shifts towards longer wavelength with increasing temperature, the second one stays unchanging. We observed low-temperature resonant luminescence in order to identify fonon structure. During observation of time-resolved luminescence two components of fast luminescence appeared - the slower in scale of nanoseconds, the faster in scale of picoseconds. We devoted to study of the faster component. For the faster component we observed up-converted luminescence. Intensity dependence of this component is quadratic. We also observe degradation of luminescence owing to strong laser beam. In conclusion we discussed origin of each component of luminescence spectra.en_US
dc.languageČeštinacs_CZ
dc.language.isocs_CZ
dc.publisherUniverzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakultacs_CZ
dc.titleUltrarychlé procesy v polovodičových nanokrystalechcs_CZ
dc.typediplomová prácecs_CZ
dcterms.created2007
dcterms.dateAccepted2007-09-20
dc.description.departmentKatedra chemické fyziky a optikycs_CZ
dc.description.departmentDepartment of Chemical Physics and Opticsen_US
dc.description.facultyFaculty of Mathematics and Physicsen_US
dc.description.facultyMatematicko-fyzikální fakultacs_CZ
dc.identifier.repId43682
dc.title.translatedUltrafast processes in semiconductor nanocrystalsen_US
dc.contributor.refereeDohnalová, Kateřina
dc.identifier.aleph000865797
thesis.degree.nameMgr.
thesis.degree.levelmagisterskécs_CZ
thesis.degree.disciplineOptika a optoelektronikacs_CZ
thesis.degree.disciplineOptics and optoelectronicsen_US
thesis.degree.programPhysicsen_US
thesis.degree.programFyzikacs_CZ
uk.faculty-name.csMatematicko-fyzikální fakultacs_CZ
uk.faculty-name.enFaculty of Mathematics and Physicsen_US
uk.faculty-abbr.csMFFcs_CZ
uk.degree-discipline.csOptika a optoelektronikacs_CZ
uk.degree-discipline.enOptics and optoelectronicsen_US
uk.degree-program.csFyzikacs_CZ
uk.degree-program.enPhysicsen_US
thesis.grade.csVýborněcs_CZ
thesis.grade.enExcellenten_US
uk.abstract.csPráce se zabývá optickými vlastnostmi nanokrystalického křemíku implantovaného do substrátu z oxidu křemičitého. Zkoumali jsme vzorky s různými koncentracemi nanokrystalů. Proměřili jsme Ramanovské spektra vzorků a určili jsme velikosti a vzájemné vzdálenosti nanokrystalů ve vzorku v závislosti na hloubce. Měřili jsme absorpci i reflektivitu vzorků a určili jsme šířku zakázaného pásu. U vzorků s různými dózami byla pozorována teplotní závislost luminiscenčných spekter. Při excitaci vlnovou délkou 408 nm byly pozorovány dvě maxima, jedno z nich se s rostoucí teplotou posouvá k vyšším vlnovým délkám, druhé zůstává neměnné. Sledovali jsme také spektrum nízkoteplotní rezonanční luminiscence, za účelem rozpoznání fononovej struktury. Při zkoumaní časově rozlišené luminiscence byly pozorovány dvě složky rychlé luminiscence - pomalejší v řádu nanosekund a rychlejší v řádu 100 ps. Soustředili jsme se na studium rychlejší složky. U rychlejší složky byla pozorována upkonvertovaná luminiscence. Její intenzitní závislost je kvadratická. Sledovali jsme také degradaci luminiscence vlivem silného laserového svazku. Závěrem jsme diskutovali původ jednotlivých složek luminiscence.cs_CZ
uk.abstract.enThis diploma thesis deals with optical properties of silicon nanocrystals implanted in silicon oxide substrate. We examined samples with various concentrations of nanocrystals. We measured Raman spectra of our samples and identified size of nanocrystals and distance between them as function of depth. We measured absorption and reflection of samples and calculated the energy of band gap. For various implantation doses we examined temperature dependence of luminescence spectra. Two peaks were observed for excitation wavelength of 408 nm, the first shifts towards longer wavelength with increasing temperature, the second one stays unchanging. We observed low-temperature resonant luminescence in order to identify fonon structure. During observation of time-resolved luminescence two components of fast luminescence appeared - the slower in scale of nanoseconds, the faster in scale of picoseconds. We devoted to study of the faster component. For the faster component we observed up-converted luminescence. Intensity dependence of this component is quadratic. We also observe degradation of luminescence owing to strong laser beam. In conclusion we discussed origin of each component of luminescence spectra.en_US
uk.publication.placePrahacs_CZ
uk.grantorUniverzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta, Katedra chemické fyziky a optikycs_CZ


Files in this item

Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record


© 2017 Univerzita Karlova, Ústřední knihovna, Ovocný trh 560/5, 116 36 Praha 1; email: admin-repozitar [at] cuni.cz

Za dodržení všech ustanovení autorského zákona jsou zodpovědné jednotlivé složky Univerzity Karlovy. / Each constituent part of Charles University is responsible for adherence to all provisions of the copyright law.

Upozornění / Notice: Získané informace nemohou být použity k výdělečným účelům nebo vydávány za studijní, vědeckou nebo jinou tvůrčí činnost jiné osoby než autora. / Any retrieved information shall not be used for any commercial purposes or claimed as results of studying, scientific or any other creative activities of any person other than the author.

DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
Theme by 
@mire NV