Show simple item record

Přepínání zachlazením v antiferomagnetu CuMnAs
dc.contributor.advisorOlejník, Kamil
dc.creatorKašpar, Zdeněk
dc.date.accessioned2021-04-20T08:06:28Z
dc.date.available2021-04-20T08:06:28Z
dc.date.issued2021
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/20.500.11956/125180
dc.description.abstractThis thesis contains detailed study of a newly discovered effect of quench switch- ing in thin films of antiferromagnetic CuMnAs. This effect can be used to induce highly reproducible resistance switching behaviour in response to electrical or optical laser pulsing. The resistance changes reach up to GMR-like values of 20 % at room temperature and 100 % at low temperatures. We attribute these changes to the nano-fragmentation of magnetic domain structure. After CuMnAs is pulsed into a high resistance state, a characteristic period of time follows, during which the resistance relaxes back to the original value. This relaxation can be described by Kohlrausch stretched exponential function. This type of relaxation is characteristic for behaviour of correlated complex systems, which goes well with the idea of highly fragmented and correlated magnetic states of quenched CuMnAs. The quench switching effect is studied in detail on devices with different geometries, for various parameters of the writing pulse, as well as growth pa- rameters of the CuMnAs films. The switching is demonstrated in CuMnAs films prepared on GaP, GaAs and Si substrates, where the quality of the film differs. This illustrates robustness and application potential of the effect. 1en_US
dc.description.abstractTato práce se zabývá studiem nově objeveného přepínacího jevu v tenkých vrstvách antiferomagnetu CuMnAs. Toto přepínání se projevuje změnou odporu způsobenou silnými elektrickými nebo laserovými pulzy. Změna odporu dosahuje až 20 % při pokojové teplotě a až 100 % při nízkých teplotách. Pravděpodobným původem tohoto jevu je fragmentace doménového uspořádání do malých nano- metrových domén. Po přepnutí do stavu s vysokým odporem se po určitý čas navrací odpor v CuMnAs na původní úroveň. Tuto relaxaci je možné popsat pomocí Kohl- rauschových exponenciálních funkcí, které se používají k popisu komplexních korelovaných systémů. To odpovídá našemu chápání tohoto jevu, založeném na fragmentaci domén. Přepínání jsme studovali na vzorcích s různou geometrií, při různých parame- trech elektrických pulzů a také v závislosti na různých růstových parametrech vrstev CuMnAs. Přepínat lze vrstvy připravené na GaP, GaAs i Si substrátech, které se liší různou kvalitou. To ilustruje robustnost přepínání a jeho možný potenciál v aplikacích. 1cs_CZ
dc.languageEnglishcs_CZ
dc.language.isoen_US
dc.publisherUniverzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakultacs_CZ
dc.subjectAntiferomagnetická spintronika|CuMnAs|Elektrické přepínání|Přepínání zachlazenímcs_CZ
dc.subjectAniferromagnetic spintronics|CuMnAs|Electrical switching|Quench switchingen_US
dc.titleQuench Switching of Antiferromagnetic CuMnAsen_US
dc.typedizertační prácecs_CZ
dcterms.created2021
dcterms.dateAccepted2021-03-30
dc.description.facultyMatematicko-fyzikální fakultacs_CZ
dc.description.facultyFaculty of Mathematics and Physicsen_US
dc.identifier.repId177693
dc.title.translatedPřepínání zachlazením v antiferomagnetu CuMnAscs_CZ
dc.contributor.refereeGoennenwein, Sebastian T.B.
dc.contributor.refereeUhlíř, Vojtěch
thesis.degree.namePh.D.
thesis.degree.leveldoktorskécs_CZ
thesis.degree.disciplinePhysics of nanostructures and nanomaterialsen_US
thesis.degree.disciplineFyzika nanostruktur a nanomateriálůcs_CZ
thesis.degree.programFyzika nanostruktur a nanomateriálůcs_CZ
thesis.degree.programPhysics of nanostructures and nanomaterialsen_US
uk.thesis.typedizertační prácecs_CZ
uk.faculty-name.csMatematicko-fyzikální fakultacs_CZ
uk.faculty-name.enFaculty of Mathematics and Physicsen_US
uk.faculty-abbr.csMFFcs_CZ
uk.degree-discipline.csFyzika nanostruktur a nanomateriálůcs_CZ
uk.degree-discipline.enPhysics of nanostructures and nanomaterialsen_US
uk.degree-program.csFyzika nanostruktur a nanomateriálůcs_CZ
uk.degree-program.enPhysics of nanostructures and nanomaterialsen_US
thesis.grade.csProspěl/acs_CZ
thesis.grade.enPassen_US
uk.abstract.csTato práce se zabývá studiem nově objeveného přepínacího jevu v tenkých vrstvách antiferomagnetu CuMnAs. Toto přepínání se projevuje změnou odporu způsobenou silnými elektrickými nebo laserovými pulzy. Změna odporu dosahuje až 20 % při pokojové teplotě a až 100 % při nízkých teplotách. Pravděpodobným původem tohoto jevu je fragmentace doménového uspořádání do malých nano- metrových domén. Po přepnutí do stavu s vysokým odporem se po určitý čas navrací odpor v CuMnAs na původní úroveň. Tuto relaxaci je možné popsat pomocí Kohl- rauschových exponenciálních funkcí, které se používají k popisu komplexních korelovaných systémů. To odpovídá našemu chápání tohoto jevu, založeném na fragmentaci domén. Přepínání jsme studovali na vzorcích s různou geometrií, při různých parame- trech elektrických pulzů a také v závislosti na různých růstových parametrech vrstev CuMnAs. Přepínat lze vrstvy připravené na GaP, GaAs i Si substrátech, které se liší různou kvalitou. To ilustruje robustnost přepínání a jeho možný potenciál v aplikacích. 1cs_CZ
uk.abstract.enThis thesis contains detailed study of a newly discovered effect of quench switch- ing in thin films of antiferromagnetic CuMnAs. This effect can be used to induce highly reproducible resistance switching behaviour in response to electrical or optical laser pulsing. The resistance changes reach up to GMR-like values of 20 % at room temperature and 100 % at low temperatures. We attribute these changes to the nano-fragmentation of magnetic domain structure. After CuMnAs is pulsed into a high resistance state, a characteristic period of time follows, during which the resistance relaxes back to the original value. This relaxation can be described by Kohlrausch stretched exponential function. This type of relaxation is characteristic for behaviour of correlated complex systems, which goes well with the idea of highly fragmented and correlated magnetic states of quenched CuMnAs. The quench switching effect is studied in detail on devices with different geometries, for various parameters of the writing pulse, as well as growth pa- rameters of the CuMnAs films. The switching is demonstrated in CuMnAs films prepared on GaP, GaAs and Si substrates, where the quality of the film differs. This illustrates robustness and application potential of the effect. 1en_US
uk.file-availabilityV
uk.grantorUniverzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakultacs_CZ
thesis.grade.codeP
uk.publication-placePrahacs_CZ
uk.thesis.defenceStatusO
uk.departmentExternal.nameFyzikální ústav AV ČR, v.v.i.cs


Files in this item

Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record


© 2017 Univerzita Karlova, Ústřední knihovna, Ovocný trh 560/5, 116 36 Praha 1; email: admin-repozitar [at] cuni.cz

Za dodržení všech ustanovení autorského zákona jsou zodpovědné jednotlivé složky Univerzity Karlovy. / Each constituent part of Charles University is responsible for adherence to all provisions of the copyright law.

Upozornění / Notice: Získané informace nemohou být použity k výdělečným účelům nebo vydávány za studijní, vědeckou nebo jinou tvůrčí činnost jiné osoby než autora. / Any retrieved information shall not be used for any commercial purposes or claimed as results of studying, scientific or any other creative activities of any person other than the author.

DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
Theme by 
@mire NV